![CY7C1061GE30-10BV1XI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy7c1011dv3310bvxi-8868.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
16Mb 1M x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
16777216 bit
访问时间(最大)
10 ns
长度
8mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeSupply VoltageRoHS StatusTechnologyNumber of TerminationsMemory Format
-
CY7C1061GE30-10BV1XI
48-VFBGA
48
Volatile
3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
-
48-VFBGA
48
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
-
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
48
Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
-
48-TFBGA
48
Volatile
3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
-
48-TFBGA
48
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
CY7C1061GE30-10BV1XI PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :