![CY7C1049DV33-10ZSXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy62126ev30ll45zsxi-8679.jpg)
CY7C1049DV33-10ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC, SRAM, 4M, 512KX8, 10NS, TSOP44
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
1996
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
频率
10GHz
基本部件号
CY7C1049
引脚数量
44
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
4Mb 512K x 8
端口的数量
1
电源电流
90mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
19b
密度
4 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
3V
输出启用
YES
反向引脚排列
NO
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageRadiation HardeningOperating Supply Voltage
-
CY7C1049DV33-10ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
19 b
3.3 V
No
3.3 V
-
TSOP
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
4 Mb
19 b
3.3 V
No
3.3 V
-
TSOP
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
4 Mb
19 b
3.3 V
No
3.3 V
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
19 b
-
No
3.3 V
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
19 b
-
No
3.3 V
CY7C1049DV33-10ZSXI PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :