![CY7C1041GN30-10ZSXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-fm22l1655tg-8154.jpg)
CY7C1041GN30-10ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CY7C1041
JESD-30代码
R-PDSO-G44
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
4Mb 256K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
4194304 bit
访问时间(最大)
10 ns
长度
18.415mm
座位高度(最大)
1.194mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeSupply VoltageRoHS StatusTerminal PitchMemory FormatOperating TemperatureTechnology
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CY7C1041GN30-10ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3 V
ROHS3 Compliant
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
CY7C1041GN30-10ZSXI PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :