![CY7C1021BN-12ZXCT](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-fm22l1655tg-8154.jpg)
CY7C1021BN-12ZXCT
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
0.8mm
频率
12GHz
基本部件号
CY7C1021
引脚数量
44
工作电源电压
5V
电源
5V
内存大小
1Mb 64K x 16
端口的数量
1
电源电流
140mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageWord SizeOperating Supply Voltage
-
CY7C1021BN-12ZXCT
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
1 Mb
16 b
5 V
16 b
5 V
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
1 Mb
16 b
5 V
16 b
5 V
-
TSOP
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
16 b
5 V
16 b
5 V
-
TSOP
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
16 b
5 V
16 b
5 V
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
1 Mb
16 b
-
16 b
5 V
CY7C1021BN-12ZXCT PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :