![CY7C1019DV33-10ZSXIT](https://static.esinoelec.com/200dimg/alliancememoryinc-as6c400855zin-0393.jpg)
CY7C1019DV33-10ZSXIT
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
32
供应商器件包装
32-TSOP II
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
3V~3.6V
基本部件号
CY7C1019
工作电源电压
3.3V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
1Mb 128K x 8
端口的数量
1
电源电流
60mA
访问时间
10ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
17b
密度
1 Mb
最高频率
100MHz
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeInterfaceMin Supply Voltage
-
CY7C1019DV33-10ZSXIT
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
10ns
Parallel
3 V
-
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
-
-
-
-
SOIC
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
12 ns
Parallel
3 V
-
SOIC
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
10 ns
Parallel
3.15 V
-
SOIC
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
12 ns
Parallel
3 V
CY7C1019DV33-10ZSXIT PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :