![CY62157DV30LL-55ZSXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy62126ev30ll45zsxi-8679.jpg)
CY62157DV30LL-55ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
已出版
2004
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
44
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
基本部件号
CY62157
引脚数量
44
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
8Mb 512K x 16
端口的数量
1
电源电流
15mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
19b
密度
8 Mb
待机电流-最大值
0.000004A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageRoHS StatusWord Size
-
CY62157DV30LL-55ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
8 Mb
19 b
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ROHS3 Compliant
16 b
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16 b
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8 Mb
19 b
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ROHS3 Compliant
16 b
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44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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Volatile
8 Mb
19 b
3 V
ROHS3 Compliant
16 b
CY62157DV30LL-55ZSXI PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :