![CY62146ESL-45ZSXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy62126ev30ll45zsxi-8679.jpg)
CY62146ESL-45ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
已出版
2001
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
IT CAN ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V SUPPLY
电压 - 供电
2.2V~3.6V 4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CY62146
引脚数量
44
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
2.5/5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
4Mb 256K x 16
端口的数量
1
电源电流
20mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
地址总线宽度
18b
密度
4 Mb
待机电流-最大值
0.000007A
最高频率
22MHz
访问时间(最大)
45 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Terminal Pitch
-
CY62146ESL-45ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
18 b
3 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
18 b
3 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
18 b
3 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
18 b
3 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
4 Mb
18 b
3 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
CY62146ESL-45ZSXI PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :