![CY62136VNLL-55ZSXA](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy62126ev30ll45zsxi-8679.jpg)
CY62136VNLL-55ZSXA
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
已出版
2006
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
基本部件号
CY62136
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
2Mb 128K x 16
端口的数量
1
电源电流-最大值
0.02mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.0000075A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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CY62136VNLL-55ZSXA PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :