![CY62128DV30LL-70SI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy14e256lasz45xi-8063.jpg)
CY62128DV30LL-70SI
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
表面安装
YES
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
系列
MoBL®
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
not_compliant
频率
70GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CY62128
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
2.5/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
1Mb 128K x 8
电源电流-最大值
0.01mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
待机电流-最大值
0.000003A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
70 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.5V
长度
20.4465mm
座位高度(最大)
2.997mm
宽度
11.303mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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CY62128DV30LL-70SI PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :