CY62126EV30LL-45ZSXI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62126EV30LL-45ZSXI SRAM, 1MB, 64KX16, 3V, TSOPII-44
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
已出版
1998
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
频率
1MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CY62126
引脚数量
44
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
1Mb 64K x 16
端口的数量
1
电源电流
16mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.000003A
访问时间(最大)
45 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
高度
1.044mm
长度
18.52mm
宽度
10.262mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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CY62126EV30LL-45ZSXI PDF数据手册
- 数据表 : CY62126EV30 CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-10542572.pdf CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-22148844.pdf CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-5393525.pdf CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-86779691.pdf CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-127972.pdf CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-10109701.pdf CY62126EV30LL-45ZSXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-14152331.pdf
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