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CDBJSC10650-G

型号:

CDBJSC10650-G

封装:

TO-220-2 Full Pack

数据表:

CDBJSC10650-G

描述:

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-2 Full Pack

  • 表面安装

    NO

  • 1

  • 175°C

  • 109W

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 应用

    POWER

  • 附加功能

    PD-CASE

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T2

  • 配置

    SINGLE

  • 速度

    No Recovery Time > 500mA (Io)

  • 二极管类型

    Silicon Carbide Schottky

  • 反向泄漏电流@ Vr

    100μA @ 650V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7V @ 10A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~175°C

  • 输出电流-最大值

    10A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    650V

  • 平均整流电流(Io)

    10A DC

  • 相位的数量

    1

  • 反向恢复时间

    0ns

  • Rep Pk反向电压-最大值

    650V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AC

  • 电容@Vr, F

    710pF @ 0V 1MHz

  • 最大非代表Pk前进电流

    100A

  • 反向电流-最大值

    100μA

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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