表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Contact Manufacturer

CHAMPION MICROELECTRONIC CORP

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

1 A

1

150 °C

-55 °C

PLASTIC/EPOXY

ROUND

CYLINDRICAL

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

漏极-源极导通最大电阻

8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W