
X3N170
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
UNCASED CHIP
UNSPECIFIED
UNSPECIFIED
150 °C
1
0.03 A
CALOGIC LLC
Obsolete
No
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.90.00.00
端子位置
UPPER
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
X-XUUC-N3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
200 Ω
DS 击穿电压-最小值
25 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.8 W
反馈上限-最大值 (Crss)
1.3 pF