![4N55/883B](https://static.esinoelec.com/200dimg/nxpusainc-saa6579v1112-6891.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
触点镀层
Gold
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
16-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
16
9% @ 16mA
2
Military grade
操作温度
-55°C~125°C
包装
Tube
已出版
2012
JESD-609代码
e4
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.40.80.00
最大功率耗散
200mW
基本部件号
4N55
电压-隔离度
1500VDC
输出电压
20V
输出类型
Transistor with Base
电源电压-最小值(Vsup)
2V
配置
COMPLEX
通道数量
2
功率耗散
200mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.55V
输入类型
DC
光电子器件类型
LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
20mA
最大输出电压
18V
数据率
0.4 MBps
每个通道的输出电流
8mA
最大集电极电流
8mA
反向击穿电压
5V
正向电压-最大值
1.8V
最大输入电流
20mA
输入电流
20mA
接通 / 关断时间(典型值)
400ns, 1μs
电流传输比
20 %
滞后比-Nom
0.0125
RoHS状态
ROHS3 Compliant
4N55/883B PDF数据手册
- PCN 组装/原产地 :