规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
TO-261, 4 PIN
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
0.0318
40
175 °C
NTF3055-100T1G
RECTANGULAR
ON Semiconductor
1
Active
N-channel MOSFET Transistor, 3 A dc, 60 V dc, 3-pin SOT-223
ON SEMICONDUCTOR
0.74
TO-261AA
3 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
FET General Purpose Power
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
Not Qualified
ON Semiconductor
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-261AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.11 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级（Eas）
74 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
155 pF