
规格参数
- 类型参数全选
底架
Panel, Through Hole
引脚数
4
24 V
1
Non-Compliant
最高工作温度
80 °C
最小工作温度
-40 °C
输出类型
Phototransistor
功率耗散
100 mW
正向电流
40 mA
正向电压
1.8 V
集电极发射器电压(VCEO)
24 V
最大集电极电流
30 mA
感应距离
5.588 mm
反向击穿电压
2 V
反向电压
2 V
波长
890 nm