
TKM2502Y
-
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSON3030-8
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
No
Contact Manufacturer
ASAHI KASEI POWER DEVICES CORP
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
6 A
2
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
Not Qualified
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.026 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR