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BLF8G10LS-160V,112

型号:

BLF8G10LS-160V,112

封装:

-

数据表:

BLF8G10L(S)-160

描述:

TRANS RF PWR LDMOS 160W SOT502B

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 包装

    Tape and Reel

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-CDFP-F6

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    65V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    ULTRA HIGH FREQUENCY B

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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