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H11A817A3S

型号:

H11A817A3S

封装:

Axial

描述:

H11A817A3S pdf数据手册 和 Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output 产品详情来自 AMI Semiconductor 库存可在深圳市佳达源电子有限公司

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Bulk

  • RNC55

  • 厂商

    Vishay Dale

  • Active

  • 80% @ 5mA

  • Lead free / RoHS Compliant

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

  • 包装

    Tube

  • 尺寸/尺寸

    0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

  • 容差

    ±1%

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    62.6 kOhms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • 电压-隔离度

    5300Vrms

  • 输出类型

    Transistor

  • 失败率

    S (0.001%)

  • 通道数量

    1

  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)

    1.2V

  • 输入类型

    DC

  • 上升/下降时间(Typ)

    2.4µs, 2.4µs

  • 输出/通道电流

    50mA

  • 电压 - 输出(最大值)

    70V

  • 最大直流驱动电流(If)

    50mA

  • 电流传输比(最大)

    160% @ 5mA

  • 接通 / 关断时间(典型值)

    -

  • Vce 饱和度(最大值)

    200mV

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 座位高度(最大)

    -

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