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DTA113EM3T5G

型号:

DTA113EM3T5G

封装:

SOT-723

描述:

DTA113EM3T5G pdf数据手册 和 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 产品详情来自 AMI Semiconductor 库存可在深圳市佳达源电子有限公司

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    Bulkhead, Front Side Nut, Panel

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-723

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    SOT-723

  • Compliant

  • Lead free / RoHS Compliant

  • 100mA

  • 系列

    -

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    Crimp

  • 连接器类型

    Receptacle

  • 定位的数量

    8

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 紧固类型

    Threaded

  • 功率 - 最大

    260mW

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    3 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 5mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 电阻基(R1)

    1 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    1 kOhms

  • 评级结果

    Environment Resistant

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