![EFR-DI-10-100-EMAC-SITE](https://res.utmel.com/Images/category/Development Boards, Kits, Programmers.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
Bulk
100A (Tc)
厂商
Fairchild Semiconductor
175W (Tc)
Obsolete
Xilinx
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
类型
License
应用
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8mOhm @ 59A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4000 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
170 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
媒体交付类型
Electronically Delivered
许可证 - 用户详情
Site
许可证长度
1 Year Renewal
版
-