
ATF-10736-STR
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, CERAMIC, 36, MICRO-X-4
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
No
Obsolete
AGILENT TECHNOLOGIES INC
MICROWAVE, X-CXMW-F4
1
175 °C
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
UNSPECIFIED
MICROWAVE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
X-CXMW-F4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
5 V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.43 W
最高频段
X BAND
功率增益-最小值(Gp)
12 dB