规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
No
Transferred
KNOX SEMICONDUCTORS INC
DO-7
O-LALF-W2
1
150 °C
-65 °C
GLASS
ROUND
LONG FORM
0.4 W
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
ULTRA-LOW LEAKAGE
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
箱体转运
ISOLATED
Rep Pk反向电压-最大值
44 V
JEDEC-95代码
DO-7
反向电流-最大值
0.005 μA
击穿电压-最小值
44 V
反向测试电压
40 V
二极管电容-标称
56 pF
二极管容差
20%
可变电容二极管分类
ABRUPT