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Intertech 晶体管 - 特殊用途
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益(hFE) | 环境耗散-最大值 | |||||||||||||
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![]() | TN2404K | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | TO-236, 3 PIN | 0.2 A | 1 | 150 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | YES | 3 | SILICON | 活跃 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | unknown | R-PDSO-G3 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-236AB | 4 Ω | 240 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||||||||||
![]() | SI9945BDY-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4925BDY-T1 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | SO-8 | 5.3 A | 2 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | YES | 8 | SILICON | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | DUAL | 鸥翼 | 240 | compliant | 30 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.025 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2 W | |||||||||||||||||
![]() | SI6880EDQ | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST4416 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 135 °C | YES | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | unknown | N-CHANNEL | JUNCTION | 0.36 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI440DDY-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SUD40N06-24 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | , | 37 A | 1 | 175 °C | YES | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | unknown | SINGLE | 增强型MOSFET | N-CHANNEL | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 75 W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI6434DQ | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | TSSOP-8 | 5.6 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | YES | 8 | SILICON | 无 | e0 | EAR99 | 锡铅 | 8541.29.00.95 | DUAL | 鸥翼 | compliant | R-PDSO-G8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | N-CHANNEL | 0.028 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.5 W | 1.5 W | ||||||||||||||||||
![]() | SQJA76EP | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4435BDY-E3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSDF1205R | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | , | 1 | 150 °C | YES | 有 | EAR99 | unknown | SINGLE | NPN | 0.04 W | 0.012 A | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIRA50ADP-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4943DY-T1 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4435DDY | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4412DY-T1 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | U404NL | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | , | 150 °C | NO | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | unknown | N-CHANNEL | JUNCTION | 0.5 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | 40 A | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | YES | 4 | SILICON | 有 | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | R-PSSO-G4 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | P-CHANNEL | 0.029 Ω | 158 A | 40 V | 39 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||
![]() | SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 32 A | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | YES | 4 | SILICON | 有 | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | AEC-Q101 | R-PSSO-G4 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-CHANNEL | 0.017 Ω | 130 A | 60 V | 31 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||
![]() | SIHFRC20-GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4936CDY-GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI2307DS-T1 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3443DV-T1 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 3.4 A | 1 | 150 °C | YES | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | compliant | SINGLE | 增强型MOSFET | P-CHANNEL | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI7686DP | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP140 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | TO-247AC | 31 A | 1 | 1 | 175 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | NO | 3 | SILICON | 无 | 无 | EAR99 | 雪崩 额定 | SINGLE | THROUGH-HOLE | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-247AC | 0.077 Ω | 120 A | 100 V | 100 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 180 W | ||||||||||||||
![]() | SI9940DY | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 5.3 A | 150 °C | YES | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | unknown | 增强型MOSFET | N-CHANNEL | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2.5 W |