制造商是'Toshiba'
Toshiba 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(134)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 制造商包装标识符 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 最高工作温度 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 终端形式 | Reach合规守则 | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 下降时间（典型值） | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 双电源电压 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 场效应管技术 | 最大结点温度（Tj） | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 最大rds | 栅源电压 | 电容-输入 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TK6A65D(STA4,X,M) | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 75 ns | 通孔 | 3 | Non-Compliant | 150 °C | 45 W | Single | 60 ns | 6 A | 30 V | 1.05 nF | 1.11 Ω | 15 mm | 10 mm | 4.5 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK10A60D(STA4,X,S) | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J356R,LF(T | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOT-23 | 表面贴装 | 1 | 3 | P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N44FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 200 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SILICON | SON6-P-0.50 | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 150mW | FLAT | SSM6N44 | 2 | Dual | 增强型MOSFET | 150mW | 50 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 4 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100μA | 8.5pF @ 3V | 30V | 100mA | 20V | 0.1A | 7Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150°C | 逻辑电平门 | 600μm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM5N16FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 100mA (Ta) | 20 V | 70 ns | 600 mV | 200 mW | N-Channel | + 150 C | - 10 V, + 10 V | 0.000212 oz | 3000 | SMD/SMT | 40 mS | Enhancement | Toshiba | Toshiba | MOSVI | 3 Ohms | Details | 125 ns | 100 mA | MOSFET | 表面贴装 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | USV | 东芝半导体与存储 | Tape & Reel (TR) | 150°C | 切割胶带 | - | MOSFETs | Si | Dual | 2 Channel | 200mW (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 3Ohm @ 10mA, 4V | 1.1V @ 100μA | 9.3pF @ 3V | - | 20V | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | unknown | SSM6P15 | 150mW | 2 P-Channel (Dual) | 12 Ω @ 10mA, 4V | 1.7V @ 100μA | 9.1pF @ 3V | 30V | 100mA | 20V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N55NU,LF(T | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 1W | Tape & Reel (TR) | 2014 | yes | 30V | 4A | 46 mΩ | 280pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N37FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | 150mW | 2 N-Channel (Dual) | 2.2 Ω @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 12pF @ 10V | 20V | 250mA | 10V | 20V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPCP8203(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 360mW | 1.48W | 2 N-Channel (Dual) | 2.5V @ 1mA | 15ns | 40V | 9 ns | 4.7A | 20V | 40V | Standard | 40mOhm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N17FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 2 | 40 ns | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6 | 100mA Ta | 150°C | Tape & Reel (TR) | 2007 | 活跃 | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | EAR99 | 200mW | Dual | 增强型MOSFET | 200mW | 100 ns | 200mW Ta | 2 N-Channel (Dual) | 20 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 1μA | 7pF @ 3V | 100mA | 1.5V | 7V | 0.1A | 50V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 1.5 V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM5P15FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 100mA (Ta) | 30 V | 65 ns | 1.7 V | 200 mW | P-Channel | + 150 C | - 20 V, + 20 V | 0.000212 oz | 3000 | SMD/SMT | 20 mS | Enhancement | Toshiba | Toshiba | MOSVI | 12 Ohms | Details | 175 ns | 100 mA | MOSFET | 表面贴装 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | USV | 东芝半导体与存储 | Tape & Reel (TR) | 150°C | 切割胶带 | - | MOSFETs | Si | Dual | 2 Channel | 200mW (Ta) | 2 P-Channel (Dual) | 12Ohm @ 10mA, 4V | 1.7V @ 100μA | 9.1pF @ 3V | - | 30V | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SILICON | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 285mW | 鸥翼 | AEC-Q101 | R-PDSO-G6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 增强型MOSFET | 285mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 1.5 Ω @ 100mA, 10V | 2.1V @ 250μA | 40pF @ 10V | 0.6nC @ 4.5V | 60V | 300mA | 0.3A | 1.75Ohm | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N15AFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | SSM6N15 | 150mW | 2 N-Channel (Dual) | 4 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100μA | 7.8pF @ 3V | 30V | 100mA | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | 2 | 2 N-Channel (Dual) | 2.1 Ω @ 500mA, 10V | 3.1V @ 250μA | 17pF @ 25V | 60V | 200mA | 10V | 60V | 逻辑电平门 | 550μm | 1.6mm | 1.2mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPC8408,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 2 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 6.1A 5.3A | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.5W | 450mW | N and P-Channel | 32m Ω @ 3.1A, 10V | 2.3V @ 100μA | 850pF @ 10V | 24nC @ 10V | 40V | 5.3A | 20V | 逻辑电平门 | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N37FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 250mA Ta | 150°C | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 300mW | 2 N-Channel (Dual) | 2.2 Ω @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 12pF @ 10V | 20V | Logic Level Gate, 1.5V Drive | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | unknown | SSM6N36 | 150mW | 2 N-Channel (Dual) | 630m Ω @ 200mA, 5V | 1V @ 1mA | 46pF @ 10V | 1.23nC @ 4V | 20V | 500mA | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SILICON | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | 300mW | 鸥翼 | unknown | SSM6N7002 | R-PDSO-G6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 增强型MOSFET | 150mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 2.1 Ω @ 500mA, 10V | 3.1V @ 250μA | 17pF @ 25V | 60V | 200mA | 20V | 0.2A | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | ES6 (1.6x1.6) | 330mA | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | SSM6P36 | 150mW | 2 P-Channel (Dual) | 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 43pF @ 10V | 1.2nC @ 4V | 20V | 330mA | 43pF | 逻辑电平门 | 1.31 Ω | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6P47NU,LF(T | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 1W | Tape & Reel (TR) | 2014 | 20V | 4A | 95 mΩ | 290pF | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | unknown | SSM6P41 | 150mW | 2 P-Channel (Dual) | 300m Ω @ 400mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 110pF @ 10V | 1.76nC @ 4.5V | 20V | 720mA | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K37CT,L3F(T | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20(V) | Military | CST | -55C to 150C | ±10(V) | Enhancement | 1 | 无 | 表面贴装 | 0.2(A) | 卷带 | 小信号 | 3 | N | 0.1(W) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK8A50D(STA4,X,M) | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8228-H，LQ | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | TPC8228 | 3.8A | 60 V | 6.7 ns | 1.3 V | 1.5 W | N-Channel | + 150 C | - 20 V, + 20 V | 0.002926 oz | - 55 C | 2500 | SMD/SMT | Enhancement | Toshiba | Toshiba | 11 nC | U-MOSVI-H | 57 mOhms | Details | 18 ns | 3.8 A | MOSFET | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOP | Glenair | 零售包装 | 150°C | Reel | * | MOSFETs | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 1 Channel | 1.5W (Ta) | 57mOhm @ 1.9A, 10V | 2.3V @ 100µA | 640pF @ 10V | 11nC @ 10V | 1.8 ns | 60V | 1 N-Channel | - | MOSFET |