制造商是'Qorvo'
Qorvo 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 安装类型 | 包装/外壳 | 包装 | 系列 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 类型 | 子类别 | 技术 | 额定电流 | 执行器类型 | 工作频率 | 通道数量 | 照明电压（标称） | 极数 | 照明 | 输出功率 | 断路器类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 增益 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TGF2929-FL | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | N-Channel | 12 A | 28 V | 有 | 144 W | 25 | 145 V | - 2.9 V | TGF2929 1123811 | 2.264236 oz | + 85 C | - 40 C | 法兰安装 | - | NI-360 | Details | Tray | TGF2929 | 射频功率MOSFET | 3.5 GHz | 107 W | 14 dB | ||||||||||||||||||||||
| TGF2929-FS | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | N-Channel | 12 A | 28 V | 有 | 144 W | 25 | 145 V | - 2.9 V | TGF2929 1123716 | NI-360 | Details | Tray | TGF2929 | 射频功率MOSFET | 3.5 GHz | 107 W | 14 dB | |||||||||||||||||||||||||||
| TGF3020-SM | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | 20 | TGF3020 1121726 | 32 V | - | + 85 C | - 40 C | SMD/SMT | - | 250 mA | QFN-16 | Details | Tray | TGF3020 | 4 GHz to 6 GHz | 5 W | 13 dB | |||||||||||||||||||||||||||
| QPD1425 | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | P-Channel | + 85 C | - 40 C | 法兰安装 | 19 A | NI-400 | 65 V | GaN-on-SiC | 2 GHz | 56.3 dBm | 20.6 dB | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| QPD1020SR | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | N-Channel | 100 mA | 50 V | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | 有 | 30 W | 100 | 0.412264 oz | QPD1020 | - 2.8 V | - | DFN-8 | Details | 切割胶带 | QPD1020 | 射频小信号MOSFET | 2.7 GHz to 3.5 GHz | 1 Channel | 31 W | 18.4 dB | ||||||||||||||||||||||
| TGF3021-SM | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | 20 | TGF3021 1121772 | 0.353163 oz | 32 V | - | - | - | SMD/SMT | - | 1.8 A | QFN-20 | Details | TGF3021 | 30 MHz to 4 GHz | 30 W | 19.3 dB | |||||||||||||||||||||||||||
| QPD1020 | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 面板安装 | 1000 | Qorvo | Qorvo | 射频JFET晶体管 | -- | LEL | 活跃 | -- | Transistors | GaN-on-SiC | -- | Rocker | -- | 2 | -- | Magnetic (Hydraulic Delay) | HEMT | 射频JFET晶体管 | |||||||||||||||||||||||||
| QPD2018D | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.41 mm x 0.34 mm | SMD/SMT | GaAs | pHEMT | 14 dB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QPD2120D | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | pHEMT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QPD1025 | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Dual N-Channel | 28 A | 65 V | - 40 C | + 85 C | 有 | 685 W | 18 | - 2.8 V | 法兰安装 | - | NI-1230-4 | Details | Tray | QPD1025 | 射频功率MOSFET | 1 GHz to 1.1 GHz | 2 Channel | 1.862 kW | 22.5 dB | ||||||||||||||||||||||||
| QPD0060 | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | - | - 40 C | SMD/SMT | - | - | - | - | DFN-6 | - | QPD0060 | GaN | 1.8 GHz to 3.8 GHz | 90 W | 16.2 dB | ||||||||||||||||||||||||||||||
| QPD1425L | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | P-Channel | + 85 C | - 40 C | 法兰安装 | 19 A | NI-400 | 65 V | GaN-on-SiC | 2 GHz | 56.3 dBm | 20.6 dB | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| QPD1028L | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 400 W | + 85 C | - 40 C | SMD/SMT | 19 A | NI-780 | 65 V | QPD1028L | GaN-on-SiC | 1.2 GHz to 1.4 GHz | 750 W | HEMT | 19.8 dB |