制造商是'NTE ELECT'
NTE ELECT 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 材料 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 零件状态 | 类型 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 信道型 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 反馈上限-最大值 (Crss) | 最高频段 | 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0) | 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 电压 - 击穿 （V（BR）GSS） | 功率增益-最小值(Gp) | 高度 | 长度 | 宽度 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||||||||||
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 | J-305 | NTE ELECT | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 72.574779 g | Non-Compliant | 38.1 mm | 101.6 mm | 177.8 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTE312 | NTE Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | -30 | 500 | 18(Min) | -65 | 150 | 无 | TO-92 | TO-92 | 通孔 | 5.33(Max) | 5.2(Max) | 4.2(Max) | 3 | 通孔 | NTE312 | NTE Electronics | Bag | 活跃 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL | PLASTIC/EPOXY | ROUND | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 1.55 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | NO | TO-92 | Si | 3 | SILICON | NTE Electronics, Inc | EAR99 | - | - | 活跃 | JFET | 8541.21.00.95 | 其他晶体管 | BOTTOM | WIRE | unknown | 3 | O-PBCY-W3 | 不合格 | Single | DEPLETION MODE | 360 mW | N-Channel | AMPLIFIER | 4.5pF @ 15V | N-CHANNEL | TO-92 | N | JUNCTION | 0.36 W | 1 pF | 甚高频段 | 5 mA @ 15 V | 1 V @ 10 mA | 30 V | 10 dB | RoHS non-compliant |