制造商是'Microsemi'
Microsemi 晶体管 - IGBT - 模块
(578)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCGLQ200A65TG | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT100GF60JU3 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | 30.000004g | 600V | 2006 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 雪崩 额定 | 416W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 120A | 100μA | 4.3nF | 51 ns | 2.5V @ 15V, 100A | 210 ns | NPT | 无 | 20V | 4.3nF @ 25V | 5V | 9.6mm | 38.2mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75A60T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 2 | 200 ns | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 2007 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 250W | UPPER | THROUGH-HOLE | 未说明 | 未说明 | 12 | 不合格 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 110 ns | 250W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 250μA | 4.62nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 75A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 4.62nF @ 25V | 1.9 V | 11.5mm | 51.6mm | 40.8mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||
![]() | APT60GF120JRDQ3 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 29 Weeks | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | 1.2kV | -55°C~150°C TJ | 1999 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 1.2kV | 625W | 115A | Single | 625W | Standard | 1.2kV | 149A | 350μA | 1200V | 7.08nF | 3V @ 15V, 100A | NPT | 无 | 30V | 7.08nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DDA120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 2 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 1.2kV | -40°C~175°C TJ | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 270W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 双升压斩波器 | Dual | ISOLATED | 270W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 75A | 250μA | 1200V | 3.6nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.6nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL60DDA120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 16 | 1.2kV | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 280W | 未说明 | 未说明 | 双升压斩波器 | Dual | 280W | Standard | 1.2kV | 80A | 250μA | 1200V | 2.77nF | 2.25V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 2.77nF @ 25V | 2.25 V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50X60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | 600V | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 150°C | -40°C | 250W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 65A | 250μA | 2.2nF | 52 ns | 2.45V @ 15V, 50A | 151 ns | NPT | 有 | 20V | 2.2nF @ 25V | 2.45 V | 11.5mm | 73.4mm | 40.8mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | Bulk | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 176W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 176W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 80A | 250μA | 3.15nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 50A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100H60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | 225 ns | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 340W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 115 ns | 340W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 150A | 250μA | 6.1nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 6.1nF @ 25V | 1.9 V | 11.5mm | 73.4mm | 40.8mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||
![]() | APTGT200TL60G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | 225 ns | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 652W | UPPER | UNSPECIFIED | 12 | 三级逆变器 | ISOLATED | 115 ns | 652W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 300A | 350μA | 12.2nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 200A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 12.2nF @ 25V | 1.9 V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50DH60T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | 600V | 2012 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 9 | 150°C | -40°C | 250W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | R-XUFM-X9 | 不合格 | 不对称桥 | Dual | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 65A | 250μA | 2.2nF | 52 ns | 2.45V @ 15V, 50A | 151 ns | NPT | 有 | 20V | 2.2nF @ 25V | 2.45 V | 11.5mm | 51.6mm | 40.8mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL475A120D3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 2 | 400 ns | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D-3 Module | 7 | SILICON | 1.2kV | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 2.08kW | UPPER | UNSPECIFIED | 11 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 200 ns | 2080W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 610A | 5mA | 1200V | 24.6nF | 270 ns | 2.2V @ 15V, 400A | 580 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 24.6nF @ 25V | 2.2 V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT35H120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 3 | SILICON | 1.2kV | -40°C~150°C TJ | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 208W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 208W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 55A | 250μA | 1200V | 2.5nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 35A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.5nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100TL60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 16 | EAR99 | 340W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X16 | 三级逆变器 | ISOLATED | 340W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 150A | 250μA | 6.1nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 6.1nF @ 25V | 1.9 V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT35X120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 6 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 1.2kV | -40°C~150°C TJ | Bulk | 2012 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 208W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 三相逆变器 | ISOLATED | 208W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 55A | 250μA | 1200V | 2.5nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 35A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 2.5nF @ 25V | 2.1 V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75H60T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 2007 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 250W | UPPER | THROUGH-HOLE | 12 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 250W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 250μA | 4.62nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 75A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 4.62nF @ 25V | 1.9 V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100A170TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 2 | 650 ns | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SILICON | 1.7kV | -40°C~150°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 560W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 370 ns | 560W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 150A | 250μA | 1700V | 9nF | 450 ns | 2.4V @ 15V, 100A | 1100 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9nF @ 25V | 2.4 V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||
![]() | APTGF90A60T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | 600V | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 150°C | -40°C | 416W | UPPER | THROUGH-HOLE | 12 | 半桥 | Dual | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 110A | 250μA | 4.3nF | 51 ns | 2.5V @ 15V, 90A | 210 ns | NPT | 有 | 20V | 4.3nF @ 25V | 2.5 V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT100GT120JU2 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | 30.000004g | SILICON | 1.2kV | -55°C~150°C TJ | 2006 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS | 480W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 480W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 140A | 5mA | 1200V | 7.2nF | 335 ns | 2.1V @ 15V, 100A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 7.2nF @ 25V | 2.1 V | 9.6mm | 38.2mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||
![]() | APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 29 Weeks | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | 30.000004g | SILICON | 1.2kV | -55°C~150°C TJ | 1999 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | HIGH RELIABILITY | 379W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 124A | 200μA | 1200V | 4.8nF | 101 ns | 2.1V @ 15V, 75A | 124A | 925 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 30V | 4.8nF @ 25V | 9.6mm | 38.2mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GF60JU2 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | 30.000004g | 600V | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 雪崩 额定 | 277W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 75A | 40μA | 2.25nF | 103 ns | 2.7V @ 15V, 50A | 450 ns | NPT | 无 | 20V | 2.25nF @ 25V | 2.7 V | 9.6mm | 38.2mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50X60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 6 | 200 ns | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 2007 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 176W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 三相逆变器 | ISOLATED | 110 ns | 176W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 80A | 250μA | 3.15nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 50A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 3.15nF @ 25V | 1.9 V | 11.5mm | 73.4mm | 40.8mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||
![]() | APTGT150A120TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 2 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | 1.2kV | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 150°C | -40°C | 雪崩 额定 | 690W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 220A | 250μA | 1200V | 10.7nF | 335 ns | 2.1V @ 15V, 150A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 10.7nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||
![]() | APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 33 Weeks | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | SILICON | 1.2kV | -55°C~150°C TJ | 1999 | POWER MOS 7® | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 低导通损耗 | 1.2kV | 329W | UPPER | UNSPECIFIED | 75A | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 75A | 750μA | 1200V | 4nF | 47 ns | 3.9V @ 15V, 45A | 230 ns | PT | 无 | 30V | 4nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75TL60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 Weeks | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 600V | -40°C~175°C TJ | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 16 | EAR99 | 250W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X16 | 不合格 | 三级逆变器 | ISOLATED | 250W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 250μA | 4.62nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 75A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 4.62nF @ 25V | 1.9 V | 符合RoHS标准 |