制造商是'Microchip'
Microchip TVS - 二极管
(6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流（10/1000μs） | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 箝位电压 | 电压 - 反向断态（典型值） | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 最大非代表峰值转速功率Dis | 单向通道数 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | MPLAD36KP26AE3/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD36 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 汽车 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 28.9V | 36000W (36kW) | 838A | 43V | 26V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPLAD15KP30CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD15 | 1 | 微芯片技术 | Microchip | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 33.3V | 15000W (15kW) | 309A | 48.4V | 30V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXSMBJSAC26E3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMBJSAC26 | 0.003280 oz | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-J2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 有 | MXSMBJSAC26E3 | 2.5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.61 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | 无 | 28.9V | 500W | 11.1A | 42.3V | 26V | 1 | 26 V | DO-214AA | 30pF @ 1MHz | 500 W | 28.9 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXPLAD15KP17AE3/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 单向 | 无 | 18.9V | 15000W (15kW) | 543A | 27.6V | 17V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPLAD18KP17CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD18 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 汽车 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 18.9V | 18000W (18kW) | 556A | 27.6V | 17V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLRT100KP220A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 1 | 0.049384 oz | 220 V | Bulk | MXLRT100KP22 | 活跃 | 通孔 | 通孔 | DO-204AR-2 | Case 5A (DO-204AR) | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | Axial | 无 | 245V | 100000W (100kW) | - | 434V | 434 V | 220V | 100 kW | 1 | - | 1 | 245 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXL1.5KE24AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22.8 V | 1.5 kW | 45 A | - 65 C | + 150 C | 1.52 W | 1 | 0.042329 oz | Bulk | 1.5KE24 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | CASE 1 | 未说明 | 有 | MXL1.5KE24AE3 | 1.52 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.45 | 通孔 | DO-201-2 | NO | CASE-1 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | 1.5KE | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 20.5 V | 20.5 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 22.8V | 1500W (1.5kW) | 45A | 33.2V | 33.2 V | 20.5V | 1 | 20.5 V | - | 1500 W | 22.8 V | 25.2 V | 3.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXPLAD15KP22CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 24.4 V | 15 kW | - | - | 423 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD15 | 活跃 | 22 V | 表面贴装 | 表面贴装 | PLAD-2 | 2 | PLAD | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MX | Zener | 150 °C | -55 °C | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 22 V | 22 V | 双向 | 1 Channel | Single | 无 | 24.4V | 15000W (15kW) | 423A | 10 µA | 35.5V | 35.5 V | 22V | 423 A | 15 kW | 双向 | 5 mA | 1 | - | 1 | 24.4 V | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXP4KE75CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 71.3 V | 400 W | 3.9 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | P4KE7.5 | 活跃 | PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MXP4KE75CA | 1.13 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.45 | DO-41 | 通孔 | DO-2024-2 | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 64.1 V | 64.1 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 7.13V | 400W | 35A | 11.3V | 103 V | 6.4V | 1 | 64.1 V | DO-204AL | - | 400 W | 71.3 V | 78.8 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXSMLG6.5CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 7.22 V | 3 kW | 267.9 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | 6.5 V | Bulk | SMLG6.5 | 活跃 | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MXSMLG6.5CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.5 | DO-215AB | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | 2 | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 6.5 V | 6.5 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 7.22V | 3000W (3kW) | 267.9A | 500 µA | 11.2V | 11.2 V | 6.5V | 267.9 A | 3 kW | 双向 | 10 mA | 1 | 6.5 V | DO-215AB | - | 3000 W | 7.22 V | 1 | 7.98 V | 7.22 V | |||||||||||||||||||
| MXLP6KE150A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 143 V | 600 W | 2.9 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.024692 oz | Bulk | P6KE150 | 活跃 | PLASTIC, T-18, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MXLP6KE150A | 1.47 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | 通孔 | T-18-2 | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | P6KE | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 128 V | 128 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 143V | 600W | 2.9A | 207V | 207 V | 128V | 1 | 128 V | - | 600 W | 143 V | 158 V | 3.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLRT100KP40A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 1 | 0.049384 oz | 40 V | Bulk | MXLRT100KP40 | 活跃 | PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 150 °C | 无 | MXLRT100KP40A | 7 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | 通孔 | 通孔 | DO-204AR-2 | NO | 2 | Case 5A (DO-204AR) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 未说明 | MIL-19500 | Axial | O-PALF-W2 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 44.4V | 100000W (100kW) | - | 1.5 mA | 78.6V | 78.6 V | 40V | 1.273 kA | 100 kW | 单向 | 20 mA | 1 | 40 V | DO-204AR | - | 100000 W | 1 | 44.4 V | 49.1 V | 44.4 V | |||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD7.5KP13CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14.4 V | 7.5 kW | - | - | 349 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD7.5 | 活跃 | 表面贴装 | Mini-PLAD-1 | Mini-PLAD | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | Zener | 通用型 | 10 uA | SMD/SMT | 13 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 14.4V | 7500W (7.5kW) | 349A | 21.5V | 21.5 V | 13V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD18KP16CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 17.8 V | 18 kW | - | - | 693 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD18 | 活跃 | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MXL | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 16 V | 16 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 17.8V | 18000W (18kW) | 693A | 26V | 26 V | 16V | 1 | - | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXL1.5KE47A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 44.7 V | 1.5 kW | 23.2 A | - 65 C | + 150 C | 1.52 W | 1 | 0.042329 oz | 40.2 V | Bulk | 1.5KE47 | 活跃 | 通孔 | 通孔 | DO-201-2 | 2 | CASE-1 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | 1.5KE | Zener | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | Axial | 40.2 V | 40.2 V | 单向 | 1 Channel | Single | 无 | 44.7V | 1500W (1.5kW) | 23.2A | 1 µA | 64.8V | 64.8 V | 40.2V | 23.2 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | - | 1 | 44.7 V | 3.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX5KP51AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | - | - 65 C | + 150 C | 1 | 0.049384 oz | Bulk | 5KP51 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MX5KP51AE3 | 1.56 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.42 | DO-204 | 通孔 | DO-204AR-2 | NO | Case 5A (DO-204AR) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 56.7V | 5000W (5kW) | 61A | 82.4V | 51V | 1 | 51 V | DO-204AR | - | 5000 W | 56.7 V | 62.7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD6.5KP11AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12.2 V | 6.5 kW | - | - | 358 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD6.5 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MXLPLAD6.5KP11AE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MXL | e3 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 130 V | 11 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 12.2V | 6500W (6.5kW) | 358A | 18.2V | 18.2 V | 11V | 1 | 11 V | - | 6500 W | 12.2 V | 13.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N5656A/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1 | Microchip | Microchip / Microsemi | N | 通孔 | DO-13 | DO-13 (DO-202AA) | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 175°C | - | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 86.5V | 1500W (1.5kW) | 12A | 125V | 77.8V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXSMLJ170CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMLJ170 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | - | 209 V | + 150 C | - | - 65 C | 11 A | 3 kW | - | 微芯片技术 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | SMLJ (DO-214AB) | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TA) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 170 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 189V | 3000W (3kW) | 11A | 275V | 275 V | 170V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD6.5KP18CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | PLAD6.5 | 20 V | 2.5 W | + 150 C | - | - 55 C | 1 | 223 A | 6.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 150 °C | 有 | MXLPLAD6.5KP18CAE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 未说明 | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 220 V | 18 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 20V | 6500W (6.5kW) | 223A | 29.2V | 29.2 V | 18V | 1 | 18 V | - | 6500 W | 20 V | 22.1 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MXSMBJSAC6.0E3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJSAC6.0 | 0.003280 oz | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 有 | MXSMBJSAC6.0E3 | 2.5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.61 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | 无 | 7.9V | 500W | 41A | 11.2V | 6V | 1 | 6 V | DO-214AA | 30pF @ 1MHz | 500 W | 7.9 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD6.5KP24AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD6.5 | 26.7 V | 2.5 W | + 150 C | - | - 55 C | 1 | 167 A | 6.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | 5.6 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 1 | SQUARE | 2.5 W | MXLPLAD6.5KP24AE3 | 有 | 150 °C | 未说明 | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | 小概要 | S-PSSO-G1 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Bulk | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 260 V | 24 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 26.7V | 6500W (6.5kW) | 167A | 38.9V | 38.9 V | 24V | 1 | 24 V | - | 6500 W | 26.7 V | 29.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD6.5KP36AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | PLAD6.5 | 40 V | 2.5 W | + 150 C | - | - 55 C | 1 | 111 A | 6.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 150 °C | 有 | MXLPLAD6.5KP36AE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 未说明 | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 30 V | 36 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 40V | 6500W (6.5kW) | 111A | 58.1V | 58.1 V | 36V | 1 | 36 V | - | 6500 W | 40 V | 44.2 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLSMBJSAC22E3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJSAC22 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 有 | MXLSMBJSAC22E3 | 2.5 W | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.61 | DO-214AA | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | 无 | 24.4V | 500W | 14A | 35.4V | 22V | 1 | 22 V | DO-214AA | 30pF @ 1MHz | 500 W | 24.4 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLPLAD6.5KP12CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD6.5 | 13.3 V | 2.5 W | + 150 C | - | - 55 C | 1 | 327 A | 6.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 150 °C | 有 | MXLPLAD6.5KP12CAE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Bulk | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 未说明 | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 150 V | 12 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 13.3V | 6500W (6.5kW) | 327A | 19.9V | 19.9 V | 12V | 1 | 12 V | - | 6500 W | 13.3 V | 14.7 V | TVS 二极管 |