制造商是'BI Technologies'
BI Technologies 光学传感器 - 反射式 - 模拟输出
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 电压 - 供电 | 输出电压 | 输出类型 | 电路数量 | 功率耗散 | 输入类型 | 正向电流 | 高/低输出电流 | 逻辑类型 | 正向电压 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 感应距离 | 电容@频率 | 每个元素的比特数 | 反向击穿电压 | 反向电压 | 波长 | 压敏电压（最大） | 能量 | 压敏电压（最小） | 最大击穿电压 | 压敏电压（典型） | 最大交流电压 | 输入电流 | 最大直流电压 | 浪涌电流 | 无铅 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | OPB609GU | BI Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | YES | 30 V | 1 | 4 | SPRAGUE | Digi-Reel® | 85 °C | -25 °C | 30 V | Phototransistor | 75 mW | 50 mA | 1.7 V | 30 V | 50 mA | 2.79 mm | 5 V | 5 V | 940 nm | 30 V | 20 mA | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||
| OPB755T | BI Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Panel, Through Hole | 1 | Non-Compliant | 4 | 24 V | 80 °C | -40 °C | Phototransistor | 100 mW | 40 mA | 1.8 V | 24 V | 30 mA | 5.588 mm | 2 V | 2 V | 890 nm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPB70CWZ | BI Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 底座安装 | 30 V | Compliant | 螺栓安装 | Disc 57mm | -- | -40°C ~ 85°C (TA) | Bulk | HighE, LS50 | 活跃 | -- | 80 °C | -40 °C | 1 | 40 mA | 1.7 V | 30 V | 25 mA | 3.81 mm | 3500pF @ 1kHz | 2 V | 640 nm | 682V | 1200J | 558V | 620V | 385V | 505V | 75kA | |||||||||||||||||||||
| OPB755NZ | BI Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 底座安装 | 74LVTH245 | Obsolete | 1 | 24 V | Compliant | 表面贴装 | 20-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 4 | 20-SOP | Fairchild Semiconductor | Tube | -40°C ~ 85°C (TA) | Bulk | 74LVTH | 80 °C | -40 °C | 2.7V ~ 3.6V | 3-State | - | 40 mA | 32mA, 64mA | Transceiver, Non-Inverting | 1.8 V | 24 V | 30 mA | 5.588 mm | 8 | 2 V | 890 nm | ||||||||||||||||||||
| OPB609RA | BI Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 1 | Compliant | 4 | 30 V | Box | 85 °C | -40 °C | 30 V | Phototransistor | 75 mW | 20 mA | 1.7 V | 30 V | 50 mA | 2.79 mm | 5 V | 5 V | 940 nm | 20 mA | 无铅 |