类别是'TVS - 二极管'
TVS - 二极管 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MAP4KE130A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 124 V | 400 W | 2.2 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | DO-41 | 400 W | Uni-Directional | 通孔 | Bulk | P4KE130 | 活跃 | PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAP4KE130A | 1.13 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-41 | Military grade | 通孔 | DO-2024-2 | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65 to 150 °C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 111 V | 111 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 124V | 400W | 2.2A | 179V | 179 V | 111V | 1 mA | 1 | 111 V | DO-204AL | - | Military | 400 W | 有 | 124 V | 137 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP4KE200CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 190 V | 400 W | 1.5 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | P4KE200 | 活跃 | PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAP4KE200CA | 1.13 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-41 | 通孔 | DO-2024-2 | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 171 V | 171 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 190V | 400W | 1.5A | 274V | 274 V | 171V | 1 | 171 V | DO-204AL | - | 400 W | 190 V | 210 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP200CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 222 V | 30 kW | - | - | 94 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 无 | MAPLAD30KP200CA | 2.5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 233.5 V | 5.74 | Military grade | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55 to 150 °C | Bulk | MA | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 2 | SMD/SMT | R-PSSO-G1 | 不合格 | 200 V | 200 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 222V | 30000W (30kW) | 94A | 322V | 322 V | 200V | 5 mA | 1 | 200 V | - | Military | 30000 W | 有 | 222 V | 322 V | 245 V | 4 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPLAD30KP300CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 333 V | 30 kW | - | - | 62 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.077603 oz | PLAD | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | 300 V | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 150 °C | 无 | MPLAD30KP300CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 351 V | 5.58 | Military grade | 表面贴装 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | 2 | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55 to 150 °C | Bulk | MPLAD | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -55 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 300 V | 300 V | 双向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 333V | 30000W (30kW) | 62A | 10 µA | 483V | 483 V | 300V | 62 A | 30 kW | 双向 | 5 mA | 1 | 300 V | - | Military | 30000 W | 有 | 333 V | 1 | 483 V | 369 V | 333 V | 4 V | ||||||||||||
![]() | MA1.5KE180A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 171 V | 1.5 kW | 6.1 A | - 65 C | + 150 C | 1.52 W | 1 | 0.042329 oz | Bulk | 1.5KE180 | 活跃 | 通孔 | DO-201-2 | DO-204AR | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | 1.5KE | Zener | 通用型 | Axial | 154 V | 154 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 171V | 1500W (1.5kW) | 6.1A | 246V | 246 V | 154V | 1 | - | 3.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP22CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 24.4 V | 15 kW | - | - | 423 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.077603 oz | PLAD | 15000 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD15 | 活跃 | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 无 | MAPLAD15KP22CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | Military grade | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55 to 150 °C | Bulk | MA | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 22 V | 22 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 24.4V | 15000W (15kW) | 423A | 35.5V | 35.5 V | 22V | 5 mA | 1 | 22 V | - | Military | 15000 W | 有 | 24.4 V | 26.9 V | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ40CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 44.4 V | 3 kW | 46.4 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | DO-214AB | 3000 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | SMLJ40 | 活跃 | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ40CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-214AB | Military grade | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65 to 150 °C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 40 V | 40 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 44.4V | 3000W (3kW) | 46.4A | 64.5V | 64.5 V | 40V | 1 mA | 1 | 40 V | DO-214AB | - | Military | 3000 W | 有 | 44.4 V | 49.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M1.5KE350CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 332 V | 1.5 kW | 4 A | - 65 C | + 150 C | 1.52 W | 1 | 0.042329 oz | 300 V | Bulk | 1.5KE350 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | CASE 1 | 有 | M1.5KE350CAE3 | 1.52 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | 通孔 | 通孔 | DO-201-2 | NO | 2 | CASE-1 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | 1.5KE | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 未说明 | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 300 V | 300 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 332V | 1500W (1.5kW) | 4A | 1 µA | 482V | 482 V | 300V | 4 A | 1.5 kW | 双向 | 1 mA | 1 | 300 V | - | 1500 W | 332 V | 1 | 368 V | 332 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCG90CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMCG90 | 100 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 10.3 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | 9 V | - | - | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCG9.0CA | 1.56 W | DO-215AB | 5.41 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 1 | RECTANGULAR | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 90 V | 90 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 1500W (1.5kW) | 10.3A | 1 µA | 146V | 146 V | 90V | 97.4 A | 1.5 kW | 双向 | 1 mA | 1 | 9 V | DO-215AB | - | 1500 W | 10 V | 1 | 11.1 V | 10 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||
![]() | MASMLG43CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMLG43 | 47.8 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 43.2 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMLG43CA | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.54 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 43 V | 43 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 47.8V | 3000W (3kW) | 43.2A | 69.4V | 69.4 V | 43V | 1 | 43 V | DO-215AB | - | 3000 W | 47.8 V | 52.8 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD6.5KP26CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 28.9 V | 2.5 W | + 150 C | - | - 55 C | 1 | 154 A | 6.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | Mini-PLAD | 微芯片技术 | PLAD6.5 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | SMD/SMT | 26 V | 26 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 28.9V | 6500W (6.5kW) | 154A | 42.1V | 42.1 V | 26V | 1 | - | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ60A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMBJ60 | 6.67 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 58.3 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | N | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMBJ60A | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 70.2 V | 5.51 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 6 V | 6 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 66.7V | 600W | 6.2A | 96.8V | 10.3 V | 60V | 1 | 60 V | DO-214AA | - | 600 W | 66.7 V | 96.8 V | 73.7 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE27CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | P6KE27 | 25.7 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 16 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, T-18, 2 PIN | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAP6KE27CA | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.5 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | T-18, Axial | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 23.1 V | 23.1 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 25.7V | 600W | 16A | 37.5V | 37.5 V | 23.1V | 1 | 23.1 V | - | 600 W | 25.7 V | 28.4 V | 3.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG70CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCG70 | DO-215AB | 1500 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 7.78 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 125 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | MICROSEMI CORP | 5.56 | DO-215AB | 活跃 | 1 | RECTANGULAR | 1.56 W | MSMCG7.0CA | 无 | 未说明 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 7 V | 7 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 77.8V | 1500W (1.5kW) | 13.3A | 113V | 12 V | 70V | 1 mA | 1 | 7 V | DO-215AB | - | Military | 1500 W | 有 | 7.78 V | 8.6 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE47CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | P6KE47 | 44.7 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 9.3 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, T-18, 2 PIN | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAP6KE47CA | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.5 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | T-18, Axial | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 40.2 V | 40.2 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 44.7V | 600W | 9.3A | 64.8V | 64.8 V | 40.2V | 1 | 40.2 V | - | 600 W | 44.7 V | 49.4 V | 3.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJLCE80A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 90 pF | 88.7 V | 5 W | + 150 C | 8 kV | 15 kV | N | 微芯片技术 | Microchip | 1.5 kW | 11.6 A | 1 | - 65 C | 0.009065 oz | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 无 | MASMCJLCE8.0A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 9.36 V | 5.59 | 未说明 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | SMCJLCE80 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 未说明 | unknown | 未说明 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 80 V | 80 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 88.7V | 1500W (1.5kW) | 11.6A | 129V | 129 V | 80V | 1 | 8 V | DO-214AB | 90pF @ 1MHz | 1500 W | 8.89 V | 13.6 V | 9.83 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBG60CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMBG60 | 66.7 V | + 150 C | - 65 C | 6.2 A | 600 W | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | SMBG (DO-215AA) | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 60 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 66.7V | 600W | 6.2A | 96.8V | 96.8 V | 60V | 1 | - | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE91CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Bulk | P6KE91 | T-18 | 600 W | Bi-Directional | 通孔 | 7.78 V | Compliant | 86.5 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 4.8 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | 通孔 | T-18, Axial | 2 | T-18 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 2 | Axial | 77.8 V | 77.8 V | 双向 | Single | 1 Channel | Single | 无 | 86.5V | 600W | 4.8A | 1 µA | 125V | 13.4 V | 77.8V | 45 A | 600 W | 双向 | 1 mA | 1 | - | Military | 有 | 1 | 8.65 V | 3.5 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ9.0A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCJ9.0 | 100 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 10.3 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCJ9.0A | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-214AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 90 V | 90 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 10V | 1500W (1.5kW) | 97.4A | 15.4V | 15.4 V | 9V | 1 | 9 V | DO-214AB | - | 1500 W | 10 V | 11.1 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ85AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 94.4 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 4.4 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MSMBJ85AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | SMBJ85 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 85 V | 85 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 94.4V | 600W | 4.4A | 137V | 137 V | 85V | 1 | 85 V | DO-214AA | - | 600 W | 94.4 V | 104 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ110AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJ110 | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMBJ110AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 128.5 V | 5.18 | DO-214AA | 122 V | + 150 C | - 65 C | 3.4 A | 600 W | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | 8541.10.00.50 | 瞬态抑制器 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | not_compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 110 V | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 122V | 600W | 3.4A | 177V | 177 V | 110V | 1 | 110 V | DO-214AA | - | 600 W | 122 V | 177 V | 135 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE7.5A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | P6KE7.5 | T-18 | 600 W | Uni-Directional | 通孔 | 71.3 V | + 150 C | - 65 C | 5.8 A | 600 W | PLASTIC, T-18, 2 PIN | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAP6KE7.5A | 5 W | ROUND | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.5 | Military grade | 通孔 | T-18, Axial | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 64.1 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 7.13V | 600W | 53A | 11.3V | 103 V | 6.4V | 1 mA | 1 | 6.4 V | - | Military | 600 W | 有 | 7.13 V | 7.88 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ30A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCJ30 | DO-214AB | Uni-Directional | 表面贴装 | 33.3 V | + 150 C | - 65 C | 31 A | 1.5 kW | Military grade | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | 2 | SMD/SMT | 30 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 33.3V | 1500W (1.5kW) | 31A | 48.4V | 48.4 V | 30V | 1 | - | Military | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP4KE130CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | P4KE130 | 124 V | 2.5 W | + 150 C | - 65 C | 1 | 2.2 A | 400 W | Microchip | 微芯片技术 | N | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL (DO-41) | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | Axial | 111 V | 111 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 124V | 400W | 2.2A | 179V | 179 V | 111V | 1 | - | 3.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLJ75CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMLJ75 | DO-214AB | 3000 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 8.33 V | 1.61 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 232.6 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLJ7.5CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-214AB | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 7.5 V | 7.5 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 83.3V | 3000W (3kW) | 24.8A | 121V | 12.9 V | 75V | 1 mA | 1 | 7.5 V | DO-214AB | - | Military | 3000 W | 有 | 8.33 V | 9.21 V | TVS 二极管 |