类别是'TVS - 二极管'
TVS - 二极管 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 电容量 | 子类别 | 额定功率 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 深度 | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 泄漏电流 | 元素配置 | 二极管类型 | 功率耗散 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 最大浪涌电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 反向击穿电压 | 筛选水平 | 正向电压-最大值 | 最大非代表峰值转速功率Dis | 最大击穿电压 | ESD保护 | 单向通道数 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 直径 | 高度 | 长度 | 宽度 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PESD3V3L5UV,115 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 5 | 3.3V | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | 4.535924g | SILICON | 5.3V | -65°C~150°C TA | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | SMD/SMT | EAR99 | Zener | Tin (Sn) | 通用型 | 28pF | 25W | DUAL | FLAT | 260 | 1.3mm | 30 | PESD*L5U | 6 | 3.3V | 3.3V | 单向 | 4 | 300nA | 共阳极 | 无 | 2.5A 8/20μs | 300nA | 12V | 3.3V Max | 2.5A | 2.5A | 25W | 1mA | 5 | 22pF @ 1MHz | 5.9V | 有 | 600μm | 1.7mm | 1.3mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLT22A-7 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 24 Weeks | 1 | 22V | 表面贴装 | 表面贴装 | POWERDI®123 | 123 | SILICON | 24.4V | -65°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | SMD/SMT | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 出色的夹持能力 | 225W | DUAL | FLAT | DFLT22A | 2 | R-PDSO-F2 | 22V | 1μA | Single | CATHODE | 无 | 1μA | 35.5V | 35.5V | 6.34A | 6.34A | 1.125kW | 单向 | 1mA | 1 | 24.4V | 3.5V | 1 | 2.8mm | 1.78mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVS54VP1UP,115 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 1 | 54V | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-128 | 2 | SILICON | 60V | -55°C~150°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | Automotive, AEC-Q101 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | SMD/SMT | Zener | Tin (Sn) | 汽车 | DUAL | FLAT | 260 | 30 | PTVS*P1UP | 2 | 100nA | Single | 无 | 100nA | 87.1V | 87.1V | 6.9A | 6.9A | 600W | 单向 | 1mA | 1 | 60V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMC30J36CA | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36V | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | SILICON | 1 | -55°C~175°C TJ | Cut Tape (CT) | SMC30J, TRANSIL™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Zener | 通用型 | DUAL | C 弯管 | SMC30J | R-PDSO-C2 | BIDIRECTIONAL | SINGLE | 无 | 40V | 3000W 3kW | 48.41A | 58.1V | 48.41A | 3kW | 1 | 3000W | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ160A-13-F | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 1 | 160V | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AC, SMA | 2 | SILICON | 178V | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2002 | SMAJ | e3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | SMD/SMT | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 出色的夹持能力 | 400W | 160V | 400W | DUAL | C 弯管 | 260 | 40 | 2 | 160V | 5μA | Single | 400W | 无 | 1.5A | 5μA | 259V | 259V | 1.5A | 40A | 400W | 单向 | 1mA | 178V | 197V | 1 | 2.3mm | 4.6mm | 2.92mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1.5KE33CA-T | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 28.2V | Tin | 通孔 | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | 2 | SILICON | 31.4V | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | Axial | EAR99 | Zener | 通用型 | 1.5kW | 33V | 1.5kW | WIRE | 260 | 40 | 1.5KE33 | 2 | 28.2V | 5μA | Single | 1.5kW | ISOLATED | 无 | 1500W 1.5kW | 5μA | 45.7V | 45.7V | 33A | 33A | 1.5kW | 双向 | 1mA | 1 | 31.4V | 31.4V | 5.3mm | 9.5mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ160A-13-F | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 1 | 160V | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | 2 | SILICON | 205V | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | SMBJ | e3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | SMD/SMT | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 出色的夹持能力 | 600W | 160V | 600W | DUAL | C 弯管 | 260 | 30 | SMBJ160 | 2 | 160V | 单向 | 5μA | Single | 600W | 无 | 5μA | 259V | 2.3A | 2.3A | 600W | 1mA | 1 | 178V | 205V | 1 | 2.62mm | 4.57mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ48CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 53.3 V | 600 W | 7.7 A | - 65 C | + 150 C | 1.38 W | 1 | 0.003527 oz | DO-214AA | 600 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 48 V | Bulk | SMBJ48 | 活跃 | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMBJ48CA | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 56.1 V | 5.46 | DO-214AA | Military grade | Production (Last Updated: 2 months ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AA-2 | YES | 2 | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65 to 150 °C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 48 V | 48 V | 双向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 53.3V | 600W | 7.7A | 1 µA | 77.4V | 77.4 V | 48V | 7.7 A | 600 W | 双向 | 1 mA | 1 | 48 V | DO-214AA | - | Military | 600 W | 有 | 53.3 V | 1 | 77.4 V | 58.9 V | 53.3 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD18KP9.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 V | 18 kW | - | - | 1.169 kA | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD18 | 活跃 | 有 | MAPLAD18KP90AE3 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.8 | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | 有 | EAR99 | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | compliant | SMD/SMT | 9 V | 9 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 10V | 18000W (18kW) | 1169A (1.169kA) | 15.4V | 15.4 V | 9V | 1 | - | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MA15KP180AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200 V | 15 kW | 52 A | - 65 C | + 150 C | 6 W | 1 | 0.049384 oz | Bulk | 15KP180 | 活跃 | 180 V | Production (Last Updated: 2 months ago) | 通孔 | 通孔 | DO-204AR-2 | 2 | DO-204AR | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | Axial | 180 V | 180 V | 单向 | 1 Channel | Single | 无 | 200V | 15000W (15kW) | 52A | 10 µA | 291V | 291 V | 180V | 52 A | 15 kW | 单向 | 5 mA | 1 | - | 1 | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5KP64CE3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 71.1 V | 5 kW | 43.9 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 500 | 0.074075 oz | Tape & Reel (TR) | 5KP64 | 活跃 | 64 V | Production (Last Updated: 2 months ago) | 通孔 | 通孔 | P600-2 | 2 | P600 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | Zener | 150 °C | -65 °C | 通用型 | 2 uA | Axial | 64 V | 64 V | 双向 | 1 Channel | Single | 无 | 71.1V | 5000W (5kW) | 43.9A | 10 µA | 114V | 114 V | 64V | 44 A | 5 kW | 双向 | 5 mA | 1 | - | 71.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6462US/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 6.5 V | 2.5 W | + 175 C | - 55 C | 1 | 258 A | 500 W | Microchip | 微芯片技术 | N | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | SQ-MELF, B | B, SQ-MELF | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 2.5 mA | SMD/SMT | 6 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 6.5V | 500W | 258A (8/20μs) | 11V | 11 V | 6V | 1 | - | 1.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCG5.0CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 6.4 V | 1.56 W | + 150 C | 0.007408 oz | - 65 C | 1 | 163 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | SMCG (DO-215AB) | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Reel | - | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 1 mA | SMD/SMT | 5 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 6.4V | 1500W (1.5kW) | 163A | 9.2V | 9.2 V | 5V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRT100KP58CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | MRT100KP | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 通孔 | DO-204AR, Axial | DO-204AR | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 64.4V | 100000W (100kW) | 878A | 114V | 58V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ7.5CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJ7.5 | 8.33 V | 1.38 W | + 150 C | - | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 46.5 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 有 | MSMBJ7.5CAE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 7.5 V | 7.5 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 8.33V | 600W | 46.5A | 12.9V | 12.9 V | 7.5V | 1 | 7.5 V | DO-214AA | - | 600 W | 8.33 V | 9.21 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MA5KP8.5AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 5KP8.5 | 0.049384 oz | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MA5KP85AE3 | 1.56 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-204 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-204AR, Axial | NO | DO-204AR | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 9.44V | 5000W (5kW) | 347A | 14.4V | 8.5V | 1 | 85 V | DO-204AR | - | 5000 W | 94.4 V | 104 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPLAD18KP7.0CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD18 | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 汽车 | 无 | 7.78V | 18000W (18kW) | 1500A (1.5kA) | 12V | 7V | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP4KE16CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15.2 V | 400 W | 18 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | DO-41 | 400 W | Bi-Directional | 通孔 | Bulk | P4KE16 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MP4KE16CAE3 | 2.5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 16 V | 5.35 | Military grade | 通孔 | DO-2024-2 | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65 to 150 °C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 13.6 V | 13.6 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 15.2V | 400W | 18A | 22.5V | 22.5 V | 13.6V | 1 mA | 1 | 13.6 V | DO-204AL | - | Military | 400 W | 有 | 15.2 V | 22.5 V | 16.8 V | 3.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD36KP200CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 222 V | 36 kW | - | - | 112 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD36 | 活跃 | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 200 V | 200 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 222V | 36000W (36kW) | 112A | 322V | 322 V | 200V | 1 | - | 4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MA1.5KE13AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12.4 V | 1.5 kW | 82 A | - 65 C | + 150 C | 1.52 W | 1 | 0.042329 oz | 11.1 V | Bulk | 1.5KE13 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | CASE 1 | 未说明 | 有 | MA1.5KE13AE3 | 1.52 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 通孔 | 通孔 | DO-201-2 | NO | 2 | DO-204AR | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | 1.5KE | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 11.1 V | 11.1 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 12.4V | 1500W (1.5kW) | 82A | 1 µA | 18.2V | 18.2 V | 11.1V | 82 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 11.1 V | - | 1500 W | 1 | 12.4 V | 13.7 V | 12.4 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ13AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14.4 V | 3 kW | 139.4 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMLJ13 | 活跃 | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ13AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.49 | DO-214AB | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 13 V | 13 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 14.4V | 3000W (3kW) | 139.4A | 21.5V | 21.5 V | 13V | 1 | 13 V | DO-214AB | - | 3000 W | 14.4 V | 15.9 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ14AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15.6 V | 3 kW | 129.4 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | 14 V | Bulk | SMLJ14 | 活跃 | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ14AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.49 | DO-214AB | Production (Last Updated: 2 months ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | 2 | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 14 V | 14 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 15.6V | 3000W (3kW) | 129.4A | 2 µA | 23.2V | 23.2 V | 14V | 129.4 A | 3 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 14 V | DO-214AB | - | 3000 W | 1 | 15.6 V | 17.2 V | 15.6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P6KE36CA | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | 1 | 30.8V | Tin | 通孔 | 通孔 | DO-204AC, DO-15, Axial | 2 | SILICON | 34.2V | Tape & Box (TB) | P6KE, TRANSIL™ | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | 通孔 | EAR99 | Zener | 175°C | -65°C | 通用型 | UL 认证 | 950pF | 600W | 36V | 600W | WIRE | P6KE | 2 | 30.8V | 双向 | 500μA | Single | 5W | ISOLATED | 无 | 62A 8/20μs | 500μA | 64.3V | 62A | 1mA | 600W | 1mA | 475pF @ 1MHz | 34.2V | 37.8V | 3.53mm | 3.53mm | 6.75mm | 3.53mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMDJ10A | Littelfuse Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 17 Weeks | 1 | 6.5W | 10V | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | 2 | SILICON | 11.1V | -65°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | SMDJ | e3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | SMD/SMT | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED | DUAL | J BEND | 260 | 40 | 2 | 10V | 单向 | SINGLE | 5μA | 无 | 3000W 3kW | 17V | 17V | 176.5A | 176.5A | 3kW | 1mA | 1 | 11.1V | 3000W | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBG75CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 83.3 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 4.9 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MSMBG75CAE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 87.7 V | 5.58 | DO-215AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | YES | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | SMBG75 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 75 V | 75 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 83.3V | 600W | 4.9A | 121V | 121 V | 75V | 1 | 75 V | DO-215AA | - | 600 W | 83.3 V | 121 V | 92.1 V | TVS 二极管 |