类别是'存储卡'
存储卡 (4950)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 操作温度 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 速度 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 锁相环 | I/O类型 | 内存IC类型 | 刷新周期 | 访问模式 | 自我刷新 | 模块类型 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M471A5143EB1-CRC00 | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 4Gbyte | 8 | 4G | 64 | 2400 | 512Mx8 | 78FBGA | 1.14 | 1.2 | 1.26 | 720 | 无 | Single | 17 | USODIMM | Socket | 30 | 69.6 | 1.2(Max) | 260 | EAR99 | Obsolete | 260 | 512Mx64 | 260USODIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18JDF51272PDZ-1G6D1 | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 4Gbyte | 18 | 2G | 72 | 1600 | 256Mx8 | 1.425 | 1.5 | 1.575 | 1773 | 0 | 70 | Commercial | Double | 有 | Dual | 8 | 11 | PC3-12800 | 有 | DIM | VLP RDIMM | Socket | 18.9(Max) | 133.5(Max) | 4(Max) | 240 | No Lead | EAR99 | Obsolete | 240 | 512Mx72 | 8K | 有 | 240RDIMM | 是,有豁免 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M471B5773DH0-CH900 | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8542.32.00.71 | DRAM模块 | 2Gbyte | 8 | 2G | 64 | 0.255 | 1333 | 256Mx8 | FBGA | 1.425 | 1.5 | 1.575 | 640 | 0 | 95 | Double | 无 | Single | 8 | 9 | 有 | DIM | USODIMM | Socket | 30 | 67.6 | 3.8(Max) | 204 | No Lead | Compliant | 4A994.a | Obsolete | 204 | 256Mx64 | 无 | 有 | 204USODIMM | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KVR1333D3E9S/8G | Kingston Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 8Gbyte | 18 | 4G | 72 | 1333 | 512Mx8 | FBGA | 1.425 | 1.5 | 1.575 | 0 | 85 | Double | 有 | Dual | 8 | 9 | PC3-10600 | 无 | DIM | DIMM | Socket | 30 | 133.35 | 240 | No Lead | 18 | Compliant | Socket | 240 | EAR99 | Obsolete | 85 °C | 0 °C | 240 | 1.5 V | 1.575 V | 1.425 V | 1Gx72 | 1.333 GHz | 无 | 无 | 240DIMM | 无 | 是,有豁免 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W332M72V-133SBI | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 256Mbyte | 5 | 72 | 133 | PBGA | 3 | 3.3 | 3.6 | 575 | -40 | 85 | Industrial | 有 | 4 | 3|2 | 无 | BGA | 表面贴装 | 3.2(Max) | 22.15(Max) | 16.15(Max) | 208 | BGA, | 网格排列 | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 30 | 5.5 ns | 85 °C | 无 | W332M72V-133SBI | 33554432 words | 3.3 V | BGA | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | Transferred | MICROSEMI CORP | 5.37 | YES | 208 | 4A994.a | Unconfirmed | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | CMOS | BOTTOM | BALL | 225 | 1 | 1 mm | unknown | 208 | R-PBGA-B208 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 32Mx72 | 72 | 2415919104 bit | 无 | 同步剧 | 8K | 四库页面突发 | 有 | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KSM26RD4/32MEI | Kingston Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 32Gbyte | 36 | 8G | 72 | 2666 | 2Gx4 | FBGA | 1.2 | 2808 | 0 | 85 | 有 | Dual | 19 | RDIMM | Socket | 31.25 | 133.35 | 288 | EAR99 | Obsolete | 288 | 4Gx72 | 288DIMM | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDSDQAB-016G-BQ | Western Digital | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | MicroSDHC 卡 | 16G | 有 | SD | 2.7 | 3.3 | 3.6 | -25 | 85 | Class 4 | Socket | 1 | 15 | 11 | 8 | EAR99 | 活跃 | 8 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M393A1K43BB1-CTD | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 8Gbyte | 9 | 8G | 72 | 2666 | 1Gx8 | 78FBGA | 1.14 | 1.2 | 1.26 | Double | 有 | Single | 19 | 无 | DIM | RDIMM | Socket | 31.25 | 133.35 | 4.3(Max) | 288 | No Lead | EAR99 | Obsolete | 288 | 1Gx72 | 无 | 有 | 288RDIMM | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
96SD-256M333NN-TR1 | Advantech | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 256Mbyte | 8 | 256M | 333 | 32Mx8 | 1.5 | 无 | DIM | SODIMM | Socket | 31.75 | 200 | No Lead | EAR99 | Obsolete | 200 | 200SODIMM | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M391B1G73QH0-CK0 | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 8Gbyte | 18 | 4G | 72 | 0.225 | 1600 | 512Mx8 | FBGA | 1.425 | 1.5 | 1.575 | 1170 | 0 | 95 | Double | 有 | Dual | 8 | 11 | 有 | DIM | UDIMM | Socket | 30 | 133.35 | 4(Max) | 240 | No Lead | 4A994.a | Obsolete | 240 | 1Gx72 | 无 | 有 | 240UDIMM | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M393A4K40CB2-CVF | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 32Gbyte | 36 | 8G | 72 | 0.165 | 2933 | 2Gx4 | 78FBGA | 1.14 | 1.2 | 1.26 | 2597 | Extended | Double | 有 | Dual | 16 | 21 | 无 | DIM | RDIMM | Socket | 31.25 | 133.35 | 4.3(Max) | 288 | EAR99 | 活跃 | 288 | 4Gx72 | 无 | 有 | 288RDIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VL47D5763D-K0SF | Virtium LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 2Gbyte | 8 | 2G | 64 | 1600 | 256Mx8 | BGA | 1.283 | 1.35 | 1.45 | 600 | 0 | 95 | Commercial | Double | 无 | Single | 8 | 11 | PC3-12800 | 有 | SO-UDIMM | Socket | 30 | 67.6 | 3.4(Max) | 204 | 4A994.a | 204 | 256Mx64 | 无 | 有 | 204USODIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VL47D5763D-K0S | Virtium LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 2Gbyte | 8 | 2G | 64 | 1600 | 256Mx8 | BGA | 1.283 | 1.35 | 1.45 | 600 | 0 | 95 | Commercial | Double | 无 | Single | 8 | 11 | PC3-12800 | 有 | SO-UDIMM | Socket | 30 | 67.6 | 3.4(Max) | 204 | 4A994.a | 204 | 256Mx64 | 无 | 有 | 204USODIMM | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M393B1K70DH0-CK0 | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 8Gbyte | 36 | 2G | 72 | 0.225 | 1600 | 512Mx4 | FBGA | 1.425 | 1.5 | 1.575 | 2620 | 0 | 95 | Double | 有 | Dual | 8 | 11 | 有 | DIMM | RDIMM | Socket | 30 | 133.35 | 4(Max) | 240 | No Lead | DIMM, DIMM240,40 | 微电子组件 | 2 | 1000000000 | UNSPECIFIED | DIMM240,40 | 40 | 85 °C | 有 | M393B1K70DH0-CK0 | 800 MHz | 1073741824 words | 1.5 V | DIMM | RECTANGULAR | 三星半导体 | 活跃 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | 5.63 | NO | 240 | 4A994.a | 有 | Obsolete | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | CMOS | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 1 mm | compliant | 240 | R-XDMA-N240 | 不合格 | 1.575 V | 1.5 V | OTHER | 1.425 V | 1 | SYNCHRONOUS | 3.42 mA | 1Gx72 | 3-STATE | 30.15 mm | 72 | 1.062 A | 77309411328 bit | 无 | COMMON | DDR内存模块 | 8192 | 双库页面突发 | 有 | 240DIMM | 133.35 mm | 4 mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5962R0622906VYC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8542.32.00.41 | SRAM模块 | 16Mbit | 4 | 4M | 4 | 18 | 512Kx8 | 68-MQFPT | 3 | 3.3 | 3.6 | 170 | -55 | 125 | Military | 无 | 无 | MQFP-T | 表面贴装 | 4.7(Max) | 64.14(Max) | 64.14(Max) | 68 | 4 | Non-Compliant | Production (Last Updated: 2 years ago) | 表面贴装 | 68 | ITAR (XV.e) | 活跃 | 125 °C | -55 °C | 68 | 3.3 V | 3.6 V | 3 V | 18 ns | 4Mx4 | 无 | 无 | RoHS non-compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M393A8K40B21-CRB | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 64Gbyte | 36 | 8G | 72 | 2133 | 78FBGA | 1.14 | 1.2 | 1.26 | 3582 | 有 | Quad | 15 | RDIMM | Socket | 31.25 | 133.35 | 4.1(Max) | 288 | 8473.30.11.40 | 活跃 | 288 | 8Gx72 | 288RDIMM | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M393AAK40B41-CTC | Samsung Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 128Gbyte | 36 | 8G | 72 | 8Gx4 | 78FBGA | 1.14 | 1.2 | 1.26 | Double | 无 | Octal | 16 | 无 | DIMM, | 微电子组件 | 16000000000 | UNSPECIFIED | M393AAK40B41-CTC | 1.2 V | DIMM | RECTANGULAR | 三星半导体 | 活跃 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | 5.72 | NO | 288 | 8473.30.11.40 | 活跃 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | CMOS | DUAL | 无铅 | 1 | compliant | R-XDMA-N288 | 1.26 V | 1.14 V | 1 | SYNCHRONOUS | 16Gx72 | 31.4 mm | 72 | 无 | DDR DRAM | 多库页面突发 | 有 | 288RDIMM | 133.35 mm | 4.1 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18KSF51272HZ-1G4K1 | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 4Gbyte | 18 | 2G | 72 | 1333 | 256Mx8 | 1.283 | 1.35 | 1.45 | 873 | 0 | 70 | Commercial | Double | 有 | Dual | 8 | 9 | PC3-10600 | 有 | DIM | SODIMM | Socket | 30.15(Max) | 67.75(Max) | 3.8(Max) | 204 | No Lead | HALOGEN FREE, SODIMM-204 | 微电子组件 | 512000000 | UNSPECIFIED | 70 °C | MT18KSF51272HZ-1G4K1 | 536870912 words | 1.35 V | DIMM | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | 活跃 | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.71 | NO | 204 | EAR99 | Obsolete | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY; WD-MAX | 8542.32.00.36 | CMOS | DUAL | 无铅 | 1 | compliant | 204 | R-XDMA-N204 | 1.45 V | COMMERCIAL | 1.283 V | 1 | SYNCHRONOUS | 512Mx72 | 30.15 mm | 72 | 4 | 无 | DDR内存模块 | 8K | 双库页面突发 | 有 | 204SODIMM | 67.6 mm | 3.8 mm | 是,有豁免 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VL47A1G63A-N6S | Virtium LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8473.30.11.40 | DRAM模块 | 8Gbyte | 16 | 4G | 64 | 2133 | 512Mx8 | BGA | 1.14 | 1.2 | 1.26 | 752 | 0 | 95 | Commercial | Double | 无 | Dual | 16 | 15 | PC4-17100 | 有 | SO-UDIMM | Socket | 30 | 69.6 | 3.5(Max) | 260 | 4A994.a | 260 | 1Gx64 | 无 | 有 | 260SODIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQF-MSDS1-2G-21C | Advantech Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | microSD™ | 0°C~70°C | 2018 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2GB | Class 10 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W7CF002G1XAI-H41TF-02D.A6 | Wintec Industries | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | CompactFlash® | -40°C~85°C | H4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2GB | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQF-S10U2-4G-S9C | Advantech Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | NO | CFast | 0°C~70°C | 2014 | SQF-S10 630 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8542.32.00.71 | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 未说明 | R-XDMA-N | 4GB | ASYNCHRONOUS | 4GX8 | 8 | 34359738368 bit | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQF-MSDS1-2G-21E | Advantech Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | microSD™ | -40°C~85°C | 2018 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2GB | Class 10 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQF-S10U2-4G-S9E | Advantech Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | NO | CFast | -40°C~85°C | 2014 | SQF-S10 630 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8542.32.00.71 | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 未说明 | R-XDMA-N | 4GB | ASYNCHRONOUS | 4GX8 | 8 | 34359738368 bit | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQF-S10U2-8G-S9C | Advantech Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | NO | CFast | 0°C~70°C | 2014 | SQF-S10 630 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8542.32.00.71 | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 未说明 | R-XDMA-N | 8GB | ASYNCHRONOUS | 8GX8 | 8 | 68719476736 bit | ROHS3 Compliant |