类别是'TVS - 二极管'
TVS - 二极管 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 单向通道数 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | 符合标准 | Vf-正向电压 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MASMCG6.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMCG6.0 | 6.67 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 145.6 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCG60AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 6 V | 6 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 6.67V | 1500W (1.5kW) | 145.6A | 10.3V | 10.3 V | 6V | 1 | 60 V | DO-215AB | - | 1500 W | 66.7 V | 73.7 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCG9.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMCG9.0 | 100 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 10.3 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | 90 V | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCG9.0AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 90 V | 90 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 10V | 1500W (1.5kW) | 97.4A | 1 µA | 15.4V | 146 V | 9V | 10.3 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 9 V | DO-215AB | - | 1500 W | 1 | 10 V | 11.1 V | 100 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLG8.5AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMLG8.5 | DO-215AB | 3000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 9.44 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 208.4 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLG85AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.54 | DO-215AB | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 8.5 V | 8.5 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 9.44V | 3000W (3kW) | 208.4A | 14.4V | 14.4 V | 8.5V | 1 mA | 1 | 85 V | DO-215AB | - | Military | 3000 W | 有 | 94.4 V | 104 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ75A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJ75 | DO-214AA | 600 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 83.3 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 4.9 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | N | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMBJ7.5A | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 8.77 V | 5.46 | DO-214AA | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 75 V | 75 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 83.3V | 600W | 4.9A | 121V | 121 V | 75V | 1 mA | 1 | 7.5 V | DO-214AA | - | Military | 600 W | 有 | 8.33 V | 12.9 V | 9.21 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP4KE82A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | P4KE82 | 77.9 V | + 150 C | - 65 C | 3.5 A | 400 W | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL (DO-41) | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | Axial | 70.1 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 77.9V | 400W | 3.5A | 113V | 113 V | 70.1V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ8.5A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMLJ8.5 | 9.44 V | 1.61 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 208.4 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | DO-214AB | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | SMD/SMT | 8.5 V | 8.5 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 9.44V | 3000W (3kW) | 208.4A | 14.4V | 14.4 V | 8.5V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MLCE70A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | LCE70 | Case 1 | 1500 W | Uni-Directional | 通孔 | 90 pF | 77.8 V | 1.52 W | + 150 C | 0.052911 oz | - 65 C | 1 | 13.3 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, CASE 1, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | CASE 1 | 未说明 | 无 | MLCE7.0A | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 7.8 V | 5.59 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | NO | CASE-1 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 70 V | 70 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 77.8V | 1500W (1.5kW) | 13.3A | 113V | 113 V | 70V | 10 mA | 1 | 70 V | 90pF @ 1MHz | Military | 1500 W | 有 | 7.78 V | 113 V | 8.6 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG110AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMCG110 | DO-215AB | 1500 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 122 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 8.4 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | 110 V | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MSMCG110AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | DO-215AB | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 110 V | 110 V | 单向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 122V | 1500W (1.5kW) | 8.4A | 1 µA | 177V | 177 V | 110V | 8.4 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 110 V | DO-215AB | - | Military | 1500 W | 有 | 1 | 122 V | 135 V | 122 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||
![]() | M1.5KE91A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1.5KE91 | Case 1 | 1500 W | Uni-Directional | 通孔 | 8.65 V | 1.52 W | + 150 C | 0.042329 oz | - 65 C | 1 | 112 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | 无 | M1.5KE9.1A | 1.52 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | 未说明 | CASE 1 | PLASTIC/EPOXY | 1 | 长式 | O-PALF-W2 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | NO | CASE-1 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 7.78 V | 7.78 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 86.5V | 1500W (1.5kW) | 12A | 125V | 13.4 V | 77.8V | 1 mA | 1 | 7.78 V | - | 1500 W | 有 | 8.65 V | 9.55 V | 3.5 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N6145AUS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1N6145 | - | 0.019013 oz | 1 | Microchip | Microchip / Microsemi | N | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | SQ-MELF, C | C, SQ-MELF | 微芯片技术 | Bulk | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/516 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 12.35V | 1500W (1.5kW) | 82.4A | 18.2V | 9.9V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD130KP275CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | PLAD130 | 活跃 | R-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MAPLAD130KP275CAE3 | 250 W | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.76 | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Bulk | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | EAR99 | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 1 | R-PSSO-G1 | BIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | 无 | 300V | 40000W (40kW) | 90A (8/20μs) | 445V | 275V | 1 | 275 V | - | 1300001 W | 300 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE36CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | P6KE36 | 34.2 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 12 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | T-18, Axial | T-18 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | Axial | 30.8 V | 30.8 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 34.2V | 600W | 12A | 49.9V | 49.9 V | 30.8V | 1 | - | 3.5 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCGLCE75A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMCGLCE75 | 100 pF | 8.33 V | 5 W | + 150 C | 8 kV | 0.007408 oz | - 65 C | 1 | 12.4 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | 15 kV | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 无 | MASMCGLCE7.5A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 9.265 V | 5.59 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 7.5 V | 7.5 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 83.3V | 1500W (1.5kW) | 12.4A | 121V | 12.9 V | 75V | 1 | 7.5 V | DO-215AB | 90pF @ 1MHz | 1500 W | 8.33 V | 14.3 V | 9.21 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ20CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 22.2 V | + 150 C | - 65 C | 46.3 A | 1.5 kW | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | SMCJ20 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 20 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 22.2V | 1500W (1.5kW) | 46.3A | 32.4V | 32.4 V | 20V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ90CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Bulk | SMLJ90 | 9 V | Compliant | 10 V | 微芯片技术 | Microchip | 3 kW | 194.8 A | 1 | - 65 C | 0.008818 oz | + 150 C | 1.61 W | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ9.0CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.54 | DO-214AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 9 V | 9 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 3000W (3kW) | 20.6A | 2 µA | 146V | 15.4 V | 90V | 194.8 A | 3 kW | 双向 | 1 mA | 1 | 9 V | DO-214AB | - | 3000 W | 10 V | 1 | 11.1 V | 10 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MA1.5KE62AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1.5KE62 | 1.5 kW | 17.7 A | - 65 C | + 150 C | 58.9 V | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | CASE 1 | 未说明 | 有 | MA1.5KE62AE3 | 1.52 W | ROUND | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | 通孔 | DO-204AR, Axial | NO | DO-204AR | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 53 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 58.9V | 1500W (1.5kW) | 17.7A | 85V | 85 V | 53V | 1 | 53 V | - | 1500 W | 58.9 V | 65.1 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ51CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | Microchip | 微芯片技术 | N | 3 kW | 36.4 A | 1 | - 65 C | 0.008818 oz | + 150 C | 1.61 W | 56.7 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | DO-214AB | 微芯片技术 | SMLJ51 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | SMD/SMT | 51 V | 51 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 56.7V | 3000W (3kW) | 36.4A | 82.4V | 82.4 V | 51V | 1 | - | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ70AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 7.78 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 26.6 A | 3 kW | Details | 微芯片技术 | Microchip | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ70AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.55 | DO-214AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | SMLJ70 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 70 V | 70 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 77.8V | 3000W (3kW) | 26.6A | 113V | 113 V | 70V | 1 | 70 V | DO-214AB | - | 3000 W | 77.8 V | 86 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLJ58A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMLJ58 | 64.4 V | + 150 C | - | - 65 C | 32 A | 3 kW | - | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MSMLJ58A | 1.61 W | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | unknown | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 58 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 64.4V | 3000W (3kW) | 32A | 93.6V | 93.6 V | 58V | 1 | 58 V | DO-214AB | - | 3000 W | 64.4 V | 71.2 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ22CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCJ22 | DO-214AB | 1500 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 24.4 V | + 150 C | - 65 C | 42.2 A | 1.5 kW | Military grade | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | 2 | SMD/SMT | 22 V | 双向 | Single | 1 Channel | 无 | 24.4V | 1500W (1.5kW) | 42.2A | 35.5V | 35.5 V | 22V | 1 mA | 1 | - | Military | 有 | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MART100KP75CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | MART100KP75 | 活跃 | 0.049384 oz | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MART100KP75CAE3 | 1.61 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.3 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-204AR, Axial | NO | Case 5A (DO-204AR) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | BIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 83.3V | 100000W (100kW) | - | 147V | 75V | 1 | 75 V | - | 100000 W | 83.3 V | 92.1 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCG64AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCG64 | 71.1 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 14.6 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCG64AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.44 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 64 V | 64 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 71.1V | 1500W (1.5kW) | 14.6A | 103V | 103 V | 64V | 1 | 64 V | DO-215AB | - | 1500 W | 71.1 V | 78.6 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP90A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD30 | PLAD | 250 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 100 V | 2.5 W | + 150 C | - | 0.070548 oz | - 55 C | 1 | 204 A | - | N | 微芯片技术 | Microchip | 30 kW | S-PSSO-G1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD30KP90A | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.26 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Bulk | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 90 V | 90 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 30000W (30kW) | 204A | 146V | 146 V | 90V | 5 mA | 1 | 90 V | - | Military | 30000 W | 有 | 100 V | 111 V | 4 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ20AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCJ20 | 22.2 V | 1.56 W | + 150 C | - | 0.009065 oz | - 65 C | 1 | 46.3 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCJ20AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.47 | DO-214AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 20 V | 20 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 22.2V | 1500W (1.5kW) | 46.3A | 32.4V | 32.4 V | 20V | 1 | 20 V | DO-214AB | - | 1500 W | 22.2 V | 24.5 V | 符合RoHS标准 | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP4KE68CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | P4KE68 | 6.45 V | 2.5 W | + 150 C | - 65 C | 1 | 38 A | 400 W | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MP4KE6.8CA | 2.5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 6.8 V | 5.38 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 5.8 V | 5.8 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 64.6V | 400W | 4.4A | 92V | 10.5 V | 58.1V | 1 | 5.8 V | DO-204AL | - | 400 W | 6.45 V | 10.5 V | 7.14 V | 3.5 V | TVS 二极管 |