类别是'TVS - 二极管'
TVS - 二极管 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MSMLG7.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMLG7.0 | 7.78 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 250 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLG7.0AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 7 V | 7 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 7.78V | 3000W (3kW) | 250A | 12V | 12 V | 7V | 1 | 7 V | DO-215AB | - | 3000 W | 7.78 V | 8.6 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBG90CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBG90 | 100 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 4.1 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMBG9.0CAE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 10.55 V | 5.46 | DO-215AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | YES | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | not_compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 90 V | 90 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 600W | 4.1A | 146V | 146 V | 90V | 1 | 90 V | DO-215AA | - | 600 W | 100 V | 15.4 V | 11.1 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N6137AUS/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 500 W | Microchip | Microchip / Microsemi | N | 1.8 A | 1 | - 55 C | + 175 C | 2 W | 190 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | SQ-MELF, B | B, SQ-MELF | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/516 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 1 uA | SMD/SMT | 152 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 190V | 500W | 1.8A | 273V | 273 V | 152V | 1 | - | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5KP16CE3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 17.8 V | 5 kW | 174 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 500 | 0.074075 oz | Tape & Reel (TR) | 5KP16 | 活跃 | 有 | 5KP16CE3/TR13 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 19.8 V | 5.8 | 通孔 | P600-2 | NO | P600 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | EAR99 | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | compliant | 2 uA | Axial | 16 V | 16 V | 双向 | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 17.8V | 5000W (5kW) | 174A | 28.8V | 28.8 V | 16V | 1 | 16 V | - | 28.8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N8152USE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10.4 V | 150 W | - | - | 4 pF | 9.62 A | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 活跃 | 表面贴装 | SQ-MELF-2 | A, SQ-MELF | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 9 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 10.4V | 150W | 9.62A | 15.6V | 15.6 V | 9V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP170A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 189 V | 30 kW | - | - | 110 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 250 W | Uni-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 无 | MAPLAD30KP170A | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.63 | Military grade | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55 to 150 °C | Bulk | MA | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 170 V | 170 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 189V | 30000W (30kW) | 110A | 275V | 275 V | 170V | 5 mA | 1 | 170 V | - | Military | 30000 W | 有 | 189 V | 209 V | 4 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLG33CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 36.7 V | 3 kW | - | - | 56.2 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | 33 V | Bulk | SMLG33 | 活跃 | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMLG33CA | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.35 | DO-215AB | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | 2 | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 33 V | 33 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 36.7V | 3000W (3kW) | 56.2A | 2 µA | 53.3V | 53.3 V | 33V | 56.2 A | 3 kW | 双向 | 1 mA | 1 | 33 V | DO-215AB | - | 3000 W | 36.7 V | 1 | 40.6 V | 36.7 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJLCE17AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18.9 V | 1.5 kW | 8 kV | 15 kV | 100 pF | 54 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.009065 oz | Bulk | SMCJLCE17 | 活跃 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCJLCE17AE3 | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.23 | DO-214AB | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 17 V | 17 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 18.9V | 1500W (1.5kW) | 54A | 27.6V | 27.6 V | 17V | 1 | 17 V | DO-214AB | 100pF @ 1MHz | 1500 W | 18.9 V | 20.9 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD36KP24CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26.7 V | 36 kW | - | - | 905 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD36 | 活跃 | 有 | MAPLAD36KP24CAE3 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.8 | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | 有 | EAR99 | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | compliant | SMD/SMT | 24 V | 24 V | 双向 | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 26.7V | 36000W (36kW) | 905A | 39.8V | 39.8 V | 24V | 1 | - | 4 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP90CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 100 V | 30 kW | - | - | 204 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | Military grade | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | Details | -55 to 150 °C | Bulk | MA | Zener | 通用型 | 2 | SMD/SMT | 90 V | 90 V | 双向 | Single | 1 Channel | 无 | 100V | 30000W (30kW) | 204A | 146V | 146 V | 90V | 5 mA | 1 | - | Military | 有 | 4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ20CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22.2 V | 1.5 kW | 46.3 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.009065 oz | Bulk | SMCJ20 | 活跃 | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCJ20CAE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.4 | DO-214AB | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 20 V | 20 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 22.2V | 1500W (1.5kW) | 46.3A | 32.4V | 32.4 V | 20V | 1 | 20 V | DO-214AB | - | 1500 W | 22.2 V | 24.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ120CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 133 V | 3 kW | 15.6 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMLJ120 | 活跃 | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ120CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.49 | DO-214AB | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 120 V | 120 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 133V | 3000W (3kW) | 15.6A | 193V | 193 V | 120V | 1 | 120 V | DO-214AB | - | 3000 W | 133 V | 147 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD6.5KP13CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14.4 V | 6.5 kW | - | - | 302 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD6.5 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MAPLAD6.5KP13CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | Mini-PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e0 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 160 V | 13 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 14.4V | 6500W (6.5kW) | 302A | 21.5V | 21.5 V | 13V | 1 | 13 V | - | 6500 W | 14.4 V | 15.9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPLAD30KP17CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 18.9 V | 30 kW | - | - | 1.041 kA | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.077603 oz | PLAD | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | 17 V | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MPLAD30KP17CAE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 19.9 V | 5.58 | Military grade | 表面贴装 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | 2 | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Details | -55 to 150 °C | Bulk | MPLAD | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -55 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 17 V | 17 V | 双向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 18.9V | 30000W (30kW) | 1041A (1.041kA) | 150 µA | 28.8V | 28.8 V | 17V | 1.041 kA | 30 kW | 双向 | 5 mA | 1 | 17 V | - | Military | 30000 W | 有 | 18.9 V | 1 | 28.8 V | 20.9 V | 18.9 V | 4 V | ||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP14A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15.6 V | 30 kW | - | - | 1.251 kA | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 250 W | Uni-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD30KP14A | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | Military grade | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55 to 150 °C | Bulk | MA | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 14 V | 14 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 15.6V | 30000W (30kW) | 1251A (1.251kA) | 24V | 24 V | 14V | 1 | 14 V | - | Military | 30000 W | 有 | 15.6 V | 17.2 V | 4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP4KE22AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20.9 V | 400 W | 13 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | P4KE22 | 活跃 | 通孔 | DO-2024-2 | DO-204AL (DO-41) | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | Axial | 18.8 V | 18.8 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 20.9V | 400W | 13A | 30.6V | 30.6 V | 18.8V | 1 | - | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ120A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 133 V | 600 W | - | - | 3.1 A | - 65 C | + 150 C | 1.38 W | 1 | 0.003527 oz | DO-214AA | 600 W | Uni-Directional | 表面贴装 | Bulk | SMBJ120 | 活跃 | Military grade | 表面贴装 | DO-214AA-2 | SMBJ (DO-214AA) | 微芯片技术 | N | -65 to 150 °C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | 2 | SMD/SMT | 120 V | 120 V | 单向 | Single | 1 Channel | 无 | 133V | 600W | 3.1A | 193V | 193 V | 120V | 1 mA | 1 | - | Military | 有 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJLCE24AE3/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26.7 V | 1.5 kW | 8 kV | 15 kV | 39 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.009065 oz | Tape & Reel (TR) | SMCJLCE24 | 活跃 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | SMCJ (DO-214AB) | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Reel | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | 5 uA | SMD/SMT | 24 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 26.7V | 1500W (1.5kW) | 39A | 38.9V | 38.9 V | 24V | 1 | 100pF @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPLAD36KP130CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 144 V | 36 kW | - | - | 173 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD36 | 活跃 | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MPLAD | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 130 V | 130 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 144V | 36000W (36kW) | 173A | 209V | 209 V | 130V | 1 | - | 4 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCGLCE120AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 133 V | 1.5 kW | 8 kV | 15 kV | 90 pF | 7.8 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.007408 oz | Bulk | SMCGLCE120 | 活跃 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCGLCE120AE3 | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.34 | DO-215AB | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 120 V | 120 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 133V | 1500W (1.5kW) | 7.8A | 193V | 193 V | 120V | 1 | 120 V | DO-215AB | 90pF @ 1MHz | 1500 W | 133 V | 147 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MA5KP30A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | 0.049384 oz | Bulk | 5KP30 | 活跃 | PLASTIC, 5A, 2 PIN | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MA5KP30A | 1.56 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.24 | DO-204 | 通孔 | DO-204AR-2 | NO | DO-204AR | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 33.3V | 5000W (5kW) | 103A | 48.4V | 30V | 1 | 30 V | DO-204AR | - | 5000 W | 33.3 V | 36.8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MART100KP120CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | 0.049384 oz | Bulk | MART100KP120 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MART100KP120CAE3 | 1.61 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.32 | 通孔 | DO-204AR-2 | NO | Case 5A (DO-204AR) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | BIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 133V | 100000W (100kW) | - | 235V | 120V | 1 | 120 V | - | 100000 W | 133 V | 147 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N8181 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 171 V | 150 W | - | - | 4 pF | 570 mA | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 1N8181 | 活跃 | 通孔 | SQ-MELF-2 | Axial | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Zener | 通用型 | Axial | 150 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 171V | 150W | 570mA | 261V | 261 V | 150V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJLCE45A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 50 V | 1.5 kW | 8 kV | 15 kV | 100 pF | 20.6 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.009065 oz | Bulk | SMCJLCE45 | 活跃 | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCJLCE45A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.24 | DO-214AB | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 45 V | 45 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 50V | 1500W (1.5kW) | 20.6A | 72.7V | 72.7 V | 45V | 1 | 45 V | DO-214AB | 100pF @ 1MHz | 1500 W | 50 V | 55.3 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD6.5KP22CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 24.4 V | 6.5 kW | - | - | 183 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD6.5 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MAPLAD6.5KP22CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | Mini-PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e0 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 24 V | 22 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 24.4V | 6500W (6.5kW) | 183A | 35.5V | 35.5 V | 22V | 1 | 22 V | - | 6500 W | 24.4 V | 26.9 V |