类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | uPs/uCs/外围ICs类型 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 定时器数量 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BQ4011MA-150 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 28-DIP Module (0.61, 15.49mm) | 28 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 4.75V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | BQ4011 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 50mA | 50mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 32KX8 | 8 | 150ns | 256 kb | 0.004A | 150 ns | 8b | 9.53mm | 37.72mm | 无 | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32800J-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 86 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 86 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 未说明 | 3.6V | 3V | 256Mb 8M x 32 | 1 | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 8MX32 | 32 | 268435456 bit | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 70V25L20PFGI | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | IDT70V25 | 128Kb 8K x 16 | 20ns | SRAM | Parallel | 20ns | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT46V128M8P-6T:A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | 66 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2007 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | 2.3V~2.7V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 30 | MT46V128M8 | 66 | 2.5V | 2.7V | 2.3V | 1Gb 128M x 8 | 1 | 230mA | 167MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 8b | 128MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 16b | 1 Gb | 0.01A | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16100E-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 50 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 50 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | 50 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 150mA | 166MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 3-STATE | 16 | 12b | 16 Mb | 0.002A | COMMON | 2048 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 20.95mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43DR16128B-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B84 | 不合格 | 1.9V | 1.8V | 1.7V | 2Gb 128M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 333MHz | 450ps | DRAM | Parallel | 128MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.03A | 2147483648 bit | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 13.5mm | 10.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 5962-8855206XA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tube | Volatile | 5962-8855206 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 13 | 4.5 V | 通孔 | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 通孔 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) | 28-CDIP | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 256Kbit | 155 mA | 25 ns | SRAM | Parallel | 32 k x 8 | 25ns | SRAM | 32K x 8 | 1.65 mm | 37.2 mm | 15.24 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPD44165182AF5E40EQ2 | NEC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 0.45 ns | 70 °C | 无 | UPD44165182AF5-E40-EQ2 | 1048576 words | 1.8 V | LBGA | SQUARE | NEC Electronics America Inc | Transferred | NEC ELECTRONICS AMERICA INC | 5.85 | YES | 165 | 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 | e0 | 锡铅 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | S-PBGA-B165 | 不合格 | 1.9 V | COMMERCIAL | 1.7 V | SYNCHRONOUS | 1MX18 | 1.51 mm | 18 | 18874368 bit | PARALLEL | QDR SRAM | 15 mm | 13 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27C801-100B1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 32-DIP (0.600, 15.24mm) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 2.54mm | 100GHz | 未说明 | M27C801 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 8Mb 1M x 8 | 50mA | ASYNCHRONOUS | 100ns | EPROM | Parallel | 1MX8 | 3-STATE | 8 Mb | 0.0001A | COMMON | 3.81mm | 42.29mm | 13.97mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M95020-DRMF3TG/K | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Automotive grade | ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago) | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 0.5mm | 未说明 | M95020 | R-PDSO-N8 | 5.5V | 1.7V | SPI, Serial | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 20MHz | EEPROM | SPI | 256X8 | 8 | 4ms | 2048 bit | SPI | 4ms | 0.8mm | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25H640FVM-2ACTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2016 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 0.65mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 2.5V | 64Kb 8K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 8KX8 | 8 | 4ms | 65536 bit | SERIAL | SPI | 4ms | 0.9mm | 2.9mm | 2.8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS66WV51216BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.41 | 2.5V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 40 | 48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.5V | 8Mb 512K x 16 | ASYNCHRONOUS | PSRAM | Parallel | 512KX16 | 3-STATE | 16 | 55ns | 0.0001A | 8388608 bit | 55 ns | COMMON | 1.2mm | 8mm | 6mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62126EV18LL-70BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MoBL® | 最后一次购买 | 3 (168 Hours) | 48 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.75mm | unknown | CY62126 | R-PBGA-B48 | 1.95V | 1.65V | 1Mb 64K x 16 | SRAM | Parallel | 64KX16 | 16 | 70ns | 1048576 bit | 70 ns | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY15B064Q-SXE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2017 | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 3.6V | 3V | 64Kb 8K x 8 | SYNCHRONOUS | 16MHz | FRAM | SPI | 8KX8 | 8 | 65536 bit | 1.727mm | 4.889mm | 3.8985mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WV5128DBLL-45BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 36-TFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Discontinued | 3 (168 Hours) | 36 | 2.3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | 36 | R-PBGA-B36 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 20mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 45ns | 19b | 4 Mb | 0.000007A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C14251KV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | not_compliant | CY7C14251 | 165 | 不合格 | 1.8V | 36Mb 4M x 9 | 1 | 640mA | 250MHz | 1 ms | SRAM | Parallel | 4MX9 | 3-STATE | 9 | 21b | 36 Mb | 0.27A | SEPARATE | Synchronous | 9b | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1069G30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2006 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 0.75mm | 未说明 | 3.6V | 2.2V | 16Mb 2M x 8 | SRAM | Parallel | 2MX8 | 8 | 10ns | 16777216 bit | 10 ns | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WVS2568FBLL-20NLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | 2.2V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 3.6V | 2.2V | 2Mb 256K x 8 | 20MHz | SRAM | SPI - Quad I/O, SDI, DTR | 256KX8 | 8 | 2097152 bit | SERIAL | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AL016J70TFM010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48-TSOP | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | 2012 | Automotive, AEC-Q100, AL-J | 活跃 | 3 (168 Hours) | 125°C | -40°C | 2.7V~3.6V | Parallel | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | 70ns | FLASH | Parallel | 70ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25A512T-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~3V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 25A512 | 8 | 不合格 | 3V | 1.7V | SPI, Serial | 512Kb 64K x 8 | 8mA | SYNCHRONOUS | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 512 kb | SPI | 5ms | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B256K-SP35XC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-BSSOP (0.295, 7.50mm Width) | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2005 | e4 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.39.00.01 | 2.7V~3.45V | DUAL | 260 | 3V | 0.635mm | unknown | 20 | CY14*256 | 48 | 不合格 | 3.3V | 256Kb 32K x 8 | 55mA | TIMER, REAL TIME CLOCK | 0.032MHz | NVSRAM | Parallel | 8b | 35ns | 256 kb | 8b | 1 | 2.794mm | 15.875mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL016D70TFI020 | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M29W128GL70ZA6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2008 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 30 | M29W128 | 64 | 3/3.3V | 2.7V | 128Mb 16M x 8 8M x 16 | 10mA | FLASH | Parallel | 8KX16 | 16 | 70ns | 128 Mb | 0.0001A | 70 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 128 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.2mm | 13mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93AA66T/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 29 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | 93AA66 | 8 | 5.5V | 2/5V | Serial | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | 3mA | 2MHz | 2 μs | EEPROM | SPI | 256X16 | 3-STATE | 16 | 10ms | 4 kb | 0.00003A | MICROWIRE | 10000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 8 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C144E-25AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-LQFP | 64 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 0.8mm | 30 | 64 | 5V | 5V | 64Kb 8K x 8 | 2 | 275mA | SRAM | Parallel | 8KX8 | 3-STATE | 8 | 25ns | 26b | 64 kb | 0.0005A | COMMON | Asynchronous | 8b | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 |