null 产品销售 - PDF - null - 页 396 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储器'

存储器 (6000)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																													操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	编程电压	写入周期时间 - 最大值	待机电压-最小值	产品类别	座位高度(最大)	长度
AT28C256E-15LM/883-815	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	23 Weeks	Military grade		表面贴装	32-CLCC	YES			Non-Volatile	-55°C~125°C TC	Tube					活跃	3 (168 Hours)	32				自动写入				4.5V~5.5V	QUAD			1	5V	1.27mm					R-CQCC-N32			5.5V			4.5V	256Kb 32K x 8			ASYNCHRONOUS			150ns	EEPROM	Parallel		32KX8			8	10ms					262144 bit	MIL-STD-883 Class C						5V	10ms			2.54mm	13.97mm	11.43mm		ROHS3 Compliant
CY7C1361C-133AJXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	7 Weeks	表面贴装	表面贴装	100-LQFP		100		Volatile	0°C~70°C TA	Tray	2003		e3	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A		Matte Tin (Sn)	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE				3.135V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.65mm		20	CY7C1361	100			3.3V	3.6V			3.135V	9Mb 256K x 36	4	250mA		133MHz		6.5ns	SRAM	Parallel		256KX36	3-STATE		36		18b		9 Mb					COMMON	Synchronous	36b						1.6mm	20mm		无	ROHS3 Compliant	无铅
CY7C09369V-9AXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1		表面贴装	表面贴装	100-LQFP		100		Volatile	0°C~70°C TA	Tray	1997		e4	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	100			Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE				3V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.5mm		20	CY7C09369	100			3.3V	3.6V			3V	288Kb 16K x 18	2	230mA		67MHz		9ns	SRAM	Parallel		16KX18	3-STATE		18		14b		288 kb					COMMON	Synchronous	18b				3V		1.6mm	14mm		无	ROHS3 Compliant	无铅
GS8342T19BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342T19BD-333I	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	SRAM			BGA-165	YES		165	333 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8342T19BD	e0					3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit	1		SYNCHRONOUS		525 mA				Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		20 Bit	36 Mbit	0.205 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON			DDR SRAM		1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8182Q09BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8182Q09BGD							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage																				18 Mbit					500 mA					2 M x 9																		SRAM
GS8162Z18DB-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade	SRAM				BGA-119				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8162Z18DB							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												119								18 Mbit	2				180 mA, 200 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					20 Bit	18 Mbit			Industrial									SRAM
GS8342D20BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D20BD-450	450 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Commercial grade	SRAM			BGA-165	YES		165	450 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342D20BD						3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL		1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	2		SYNCHRONOUS		785 mA				Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		19 Bit	36 Mbit	0.24 A	75497472 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM		1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8182D08BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				375 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8182D08BGD							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												165								18 Mbit	2				680 mA				Pipelined	2 M x 8					19 Bit	18 Mbit			Commercial									SRAM
GS8342S09BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8342S09BGD							SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage																				36 Mbit					705 mA					4 M x 9								36										SRAM
GS8162Z18DGB-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4 ns	85 °C	有	GS8162Z18DGB-400	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	SRAM			BGA-119	YES		119	250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8162Z18DGB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant			119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2		SYNCHRONOUS		255 mA, 335 mA	4 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18		20 Bit	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL				ZBT SRAM			SRAM		22 mm	14 mm
GS8342Q18BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade	SRAM				BGA-165				333 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8342Q18BD							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												165								36 Mbit	2				895 mA				Pipelined	2 M x 18					20 Bit	36 Mbit			Industrial									SRAM
GS8672T20BGE-633	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	633 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8672T20BGE							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage																				72 Mbit					1.5 A					4 M x 18								72										SRAM
GS8182D08BD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				375 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8182D08BD							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												165								18 Mbit					680 mA	0.45				2 M x 8					19 Bit			18	Commercial									SRAM
GS8182S08BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	N	DDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8182S08BD							SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage																				18 Mbit					315 mA					2 M x 8																		SRAM
GS8182D08BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel				BGA-165				200 MHz																																			18 Mbit					365 mA					2 M x 8
GS8672D18BGE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8672D18BGE							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage																				72 Mbit					850 mA					4 M x 18								72										SRAM
GS8342T11BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				400 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342T11BD							SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												165								36 Mbit	1				600 mA				Pipelined	4 M x 9					21 Bit	36 Mbit			Commercial									SRAM
GS816218DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS816218DD							Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																				18 Mbit					210 mA, 230 mA	5.5 ns				1 M x 18																		SRAM
GS8182Q09BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade	SRAM				BGA-165				333 MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS8182Q09BD							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage																				18 Mbit	2				870 mA				Pipelined	2 M x 9					20 Bit	18 Mbit			Industrial									SRAM
GS8322Z36AD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	7.5 ns	70 °C	无	GS8322Z36AD-150	150 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Commercial grade	SRAM			BGA-165	YES		165	FBGA	0 to 85 °C	Tray		GS8322Z36AD	e0	无				3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	36 Mbit	4		SYNCHRONOUS		190 mA, 200 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36			36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON			ZBT SRAM		2.3 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8162Z18DB-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4.2 ns	85 °C	无	GS8162Z18DB-375	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	SRAM			BGA-119	YES		119	238@Flow-Through/375@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8162Z18DB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant			119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2		SYNCHRONOUS		250 mA, 320 mA	4.2 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18		20 Bit	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL				ZBT SRAM			SRAM		22 mm	14 mm
GS8342S18BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				350 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342S18BGD							SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												165								36 Mbit	2				665 mA				Pipelined	2 M x 18					20 Bit	36 Mbit			Commercial									SRAM
GS8161E36DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	UNSPECIFIED	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	有	GS8161E36DGT-200I	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.64	QFP	SRAM			TQFP-100	YES		100	有		Tray		GS8161E36DGT						3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1			compliant			100	R-XQFP-G100	不合格		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit			SYNCHRONOUS		230 mA	6.5 ns				512 k x 36			36					18874368 bit		PARALLEL				缓存SRAM				SRAM
GS8342DT11BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				450 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342DT11BD							SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												165								36 Mbit					785 mA	0.45				4 M x 9								36	Commercial									SRAM
GS8342T18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				250 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342T18BD							SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												165								36 Mbit	1				395 mA				Pipelined	2 M x 18					21 Bit	36 Mbit			Commercial									SRAM

存储器 (6000)