类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 反向引脚排列 | 自我刷新 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | CAT24C01VP2I-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Industrial grade | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | CAT24C01 | 8 | 不合格 | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | 2mA | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 1KX1 | 无卤素 | 1 | 5ms | 1 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1010DDDR | 3mm | 2mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25L020FJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 10 | BR25L020 | 8 | 不合格 | 5V | SPI, Serial | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 5MHz | 5 μs | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1.65mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV20488BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 2 (1 Year) | 44 | 2.4V~3.6V | DUAL | 0.8mm | 2.5/3.3V | 16Mb 2M x 8 | 1 | 100mA | SRAM | Parallel | 2MX8 | 3-STATE | 8 | 10ns | 21b | 16 Mb | 0.025A | COMMON | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MR4A16BYS35R | Everspin Technologies Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 180mA | ASYNCHRONOUS | RAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 16 | 35ns | 16 Mb | 0.014A | 35 ns | 16b | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | IS43DR16320B-3DBL | ISSI | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | DDR2 SDRAM, RAM | TFBGA, BGA84,9X15,32 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA84,9X15,32 | 40 | 0.45 ns | 70 °C | 有 | IS43DR16320B-3DBL | 333 MHz | 33554432 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | Integrated Silicon Solution Inc | Obsolete | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | 5.59 | DSBGA | 表面贴装 | YES | 84 | 84 | Compliant | e1 | 有 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 70 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | 333 MHz | 84 | R-PBGA-B84 | 不合格 | 1.8 V | 1.9 V | 1.8 V | COMMERCIAL | 1.7 V | Parallel | 1.9 V | 1.7 V | 64 MB | 1 | 280 mA | SYNCHRONOUS | 340 mA | 0.34 mA | 450 ps | 16 b | 32MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 15 b | 512 Mb | 0.008 A | 512 | 667 MHz | COMMON | DDR DRAM | 512 MB | 8192 | 4,8 | 4,8 | 四库页面突发 | YES | 13 mm | 10.5 mm | 无 | 无SVHC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62146G30-45BVXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | MoBL® | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | 3.6V | 2.2V | 4Mb 256K x 16 | SRAM | Parallel | 256KX16 | 16 | 45ns | 4194304 bit | 45 ns | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1570KV18-500BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 235 | 1 | 1.8V | 20 | CY7C1570 | 165 | 1.8V | 72Mb 2M x 36 | 1 | 890mA | 500MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 20b | 72 Mb | 0.36A | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL128S10TFI023 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | GL-S | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G56 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 128Mb 8M x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.08mA | 100ns | FLASH | Parallel | 16MX8 | 8 | 60ns | 0.0001A | 134217728 bit | 2.7V | YES | YES | YES | 128 | 64K | 16words | YES | YES | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27C801-55K1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | TIN | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 55GHz | 未说明 | M27C801 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 8Mb 1M x 8 | 50mA | 50mA | ASYNCHRONOUS | 55ns | EPROM | Parallel | 1MX8 | 3-STATE | 0.0001A | 8388608 bit | COMMON | 2.8mm | 14.05mm | 11.51mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1EX24016ASAS0I#S0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 3.3V | 1.27mm | R1EX24016 | 8 | 5.5V | 2/5V | 2-Wire, I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | 400kHz | 0.003mA | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1010MMMR | 1.73mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M93C86-MN6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 锡铅 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | M93C86 | 8 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | Serial | 16Kb 2K x 8 1K x 16 | SYNCHRONOUS | 2MHz | EEPROM | SPI | 1KX16 | 3-STATE | 16 | 5ms | 0.000015A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | SOFTWARE | 8 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39LF801C-55-4C-B3KE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2010 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | SST39LF801 | 48 | 3.3V | 3.6V | 3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 55ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1009B-20VC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | YES | 32 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2001 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | 3A991.B.2.B | Tin/Lead (Sn/Pb) | 4.5V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 5V | 1.27mm | not_compliant | 20GHz | 30 | CY7C1009 | 32 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 1Mb 128K x 8 | 0.075mA | SRAM | Parallel | 128KX8 | 3-STATE | 8 | 20ns | 0.01A | 1048576 bit | 20 ns | COMMON | 4.5V | 3.556mm | 20.828mm | 7.5819mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | N25Q064A11EF640E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 1.7V~2V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 30 | N25Q064A11 | 1.8V | 1.7V | SPI, Serial | 64Mb 16M x 4 | 20mA | 108MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 64MX1 | 8ms, 5ms | 1b | 64 Mb | Synchronous | 256B | 850μm | 6mm | 5mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB081D-SSU | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 1997 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | ORGANIZED AS 4096 PAGES OF 264 BYTES EACH | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 8 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 8Mb 264Bytes x 4096 pages | 15mA | 66MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 8b | 4ms | 1b | 2.1 kb | 0.000025A | Synchronous | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 1.75mm | 5.05mm | 6.2mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS7C34096A-10TIN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | 44-TSOP2 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2001 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 3V~3.6V | 3.3V | Parallel | 3.6V | 3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 10ns | SRAM | Parallel | 10ns | 19b | 4 Mb | 1.05mm | 18.52mm | 10.26mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL512SDPMFVG11 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tube | 2016 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | R-PDSO-G16 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 512Mb 64M x 8 | SYNCHRONOUS | 66MHz | 0.075mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX8 | 8 | 0.0003A | 512753664 bit | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302TT19E-400I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | FBGA | 表面贴装 | 1.9 V | 18 Bit | 8 MWords | Synchronous | 1.7 V | 1.8000 V | DDR | 有 | 400 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II+ | DDR-II | LBGA, | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 0.45 ns | 85 °C | 无 | GS81302TT19E-400I | 1.8 V | LBGA | RECTANGULAR | 不推荐 | GSI TECHNOLOGY | 5.06 | BGA | Industrial grade | SRAM | BGA-165 | YES | 165 | 400 MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS81302TT19E | 无 | 3A991.B.2.B | SigmaDDR-II+ B2 | PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | 165 | R-PBGA-B165 | 不合格 | 1.9 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | 144 Mbit | 1 | SYNCHRONOUS | 905 mA | Pipelined | 8 M x 18 | 1.5 mm | 18 | 22 Bit | 144 Mbit | 150994944 bit | Industrial | PARALLEL | DDR SRAM | SRAM | 17 mm | 15 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302TT38GE-500I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1.7 V | Synchronous | 36 Bit | 1.9 V | 有 | 500 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II+ | Details | DDR-II | Industrial grade | SRAM | BGA-165 | 1.8000 V | -40 to 100 °C | Tray | GS81302TT38GE | SigmaDDR-II+ | Memory & Data Storage | 165 | 144 Mbit | 1.31 A | 0.45 | 4 M x 36 | 144 | Industrial | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25H128F-2CE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | IT ALSO HAVE FREQUENCY 5 MHZ OPERATES AT 2.5 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE; SEATED HGT CALCULATED | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 4.5V | 128Kb 16K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 8 | 4ms | 0.00001A | 131072 bit | SERIAL | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | Unknown | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL032N11FFIS30 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | 64-FBGA (13x11) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | GL-N | 活跃 | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 1.65V~3.6V | Parallel | 32Mb 4M x 8 2M x 16 | 110ns | FLASH | Parallel | 110ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M29F200BB45N1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | 锡铅 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.5mm | unknown | 未说明 | M29F200 | 48 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 2Mb 256K x 8 128K x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 8b | 128KX16 | 16 | 45ns | 0.0001A | 2097152 bit | 45 ns | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | 8 | YES | YES | YES | 1213 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | 1.2mm | 18.4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC1026-E/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | NO | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2012 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | NOT APPLICABLE | 1 | 2.54mm | NOT APPLICABLE | 24LC1026 | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 5.5V | 2.5V | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 128KX8 | 8 | 5ms | 0.000005A | 1048576 bit | SERIAL | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDMR | NO | 5.334mm | 9.271mm | 7.62mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WV1288BLL-55TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 32 | EAR99 | 哑光锡 | 2.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 32 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 8mA | SRAM | Parallel | 8 | 55ns | 17b | 1 Mb | 55 ns | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 47L16T-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | IT ALSO HAS EEPROM BACKUP OF 2K X 8 BITS | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.65mm | 40 | 47L16 | R-PDSO-G8 | 3.6V | 2.7V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EERAM | I2C | 2KX8 | 8 | 1ms | 16384 bit | TS 16949 | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant |