类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||
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 | IS43DR16128C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | Volatile | 0°C~85°C TC | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B84 | 不合格 | 1.9V | 1.8V | 1.7V | 2Gb 128M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 333MHz | 450ps | DRAM | Parallel | 128MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.03A | 2147483648 bit | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C12501KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | not_compliant | CY7C12501 | 165 | 不合格 | 1.8V | 36Mb 1M x 36 | 1 | 750mA | 400MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 19b | 36 Mb | 0.32A | COMMON | Synchronous | 36b | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LP0108ESA-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | yes | Discontinued | 2 (1 Year) | 32 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.5mm | R1LP0108E | 32 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 55ns | 17b | 1 Mb | 0.000002A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70TFI070 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.5mm | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | 70ns | FLASH | Parallel | 8MX8 | 8 | 60ns | 67108864 bit | 3V | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 11AA161T-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 11AA161 | 8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | SYNCHRONOUS | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B256PA-SFXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 16 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | 1W | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | CY14*256 | 16 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 40MHz | 9 ns | NVSRAM | SPI | 8b | 32KX8 | 8 | 256 kb | 0.00025A | 8b | 2.667mm | 10.2865mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25L6455EXCI-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MXSMIO™ | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 24 | 3A991.B.1.A | ALSO CONFIGURABLE AS 64M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3.3V | 1mm | 未说明 | 24 | R-PBGA-B24 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI | 16MX4 | 4 | 300μs, 5ms | 0.00002A | 67108864 bit | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1315BV18-250BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | unknown | 20 | CY7C1315 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 18Mb 512K x 36 | 2 | 830mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 34b | 18 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 15mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST49LF016C-33-4C-NHE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | SST49 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | SST49LF016C | 3.3V | Parallel, SPI, Serial | 16Mb 2M x 8 | 18mA | 33MHz | 11 ns | FLASH | Parallel | 8b | 10μs | 4b | 16 Mb | Synchronous | 8b | 128B | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25VF512A-33-4I-ZAE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | 8 | 8-CSP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST25 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | 33MHz | SST25VF512A | 3.3V | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 512Kb 64K x 8 | 10mA | 33MHz | 12 ns | FLASH | SPI | 8b | 20μs | 16b | 512 kb | 33MHz | Synchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JR28F064M29EWLA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | 哑光锡 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 30 | JR28F064 | 3/3.3V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | 25mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 70ns | 64 Mb | 0.00012A | 75 ns | Asynchronous | YES | YES | YES | 128 | 64K | 8/16words | YES | YES | 1mm | 18.4mm | 12mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C32-XDW5TP | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Industrial grade | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.6V~5.5V | DUAL | 1 | 0.65mm | M24C32 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000001A | I2C | 4000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC58NYG1S3HBAI4 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 63-VFBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 63 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | BALL | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B63 | 1.95V | 1.7V | 2Gb 256M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | 256MX8 | 8 | 25ns | 2147483648 bit | PARALLEL | 1.8V | 1mm | 11mm | 9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C09389V-9AI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e0 | no | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Tin/Lead (Sn/Pb) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 3V~3.6V | QUAD | 235 | 1 | 3.3V | 0.5mm | CY7C09389 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1.152Mb 64K x 18 | 2 | 300mA | 67MHz | 9ns | SRAM | Parallel | 64KX18 | 3-STATE | 18 | 16b | 1.1 Mb | COMMON | Synchronous | 18b | 3V | 1.6mm | 14mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1648KV18-400BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 突发架构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 40 | CY7C1648 | 1.8V | 144Mb 8M x 18 | 1 | 730mA | 400MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 18 | 22b | 144 Mb | Synchronous | 18b | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS46R16160D-6TLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 66 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 2.3V~2.7V | DUAL | 1 | 2.5V | 0.65mm | 66 | 不合格 | 2.7V | 2.5V | 2.3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 166MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 16MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.004A | 268435456 bit | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S70GL02GS11FHV020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2015 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 2Gb 128M x 16 | ASYNCHRONOUS | 110ns | FLASH | Parallel | 128MX16 | 16 | 3V | 8 | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | S29GL512T11DHB020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | -40°C | Automotive grade | YES | 105°C | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | CAN ALSO BE ORGANISED AS 512MX1 | 8542.32.00.51 | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | S-PBGA-B64 | 3.6V | INDUSTRIAL | 2.7V | ASYNCHRONOUS | 32MX16 | 16 | 536870912 bit | AEC-Q100 | 110 ns | PARALLEL | FLASH | 2.7V | 8 | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1021BNV33L-15VXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 1996 | e4 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | unknown | 20 | CY7C1021 | 44 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 160mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 15ns | 16b | 1 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 3.7592mm | 28.575mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816018BGT-150 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | QFP100,.63X.87 | 未说明 | 7.5 ns | 70 °C | 有 | GS816018BGT-150 | 150 MHz | 1048576 words | 2.5 V | LQFP | RECTANGULAR | GSI技术 | Obsolete | GSI TECHNOLOGY | 5.39 | QFP | YES | 100 | LQFP, QFP100,.63X.87 | e3 | 有 | 3A991.B.2.B | 纯哑光锡 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 100 | R-PQFP-G100 | 不合格 | 2.7 V | 2.5/3.3 V | COMMERCIAL | 2.3 V | SYNCHRONOUS | 0.185 mA | 1MX18 | 3-STATE | 1.6 mm | 18 | 0.04 A | 18874368 bit | PARALLEL | COMMON | 缓存SRAM | 2.3 V | 20 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC64T-I/SNG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | 8000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 40 | 85 °C | 有 | 24LC64T-I/SNG | 0.4 MHz | 8192 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 活跃 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 5.1 | SOIC | YES | 8 | SOP, SOP8,.25 | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 3/5 V | INDUSTRIAL | 2.5 V | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 8KX8 | 1.75 mm | 8 | 0.000001 A | 65536 bit | SERIAL | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 4.9 mm | 3.9 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28LV64-30PI | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26WF080BT-104I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 40 | SST26WF080 | R-PDSO-G8 | 1.95V | 1.65V | SPI | 8Mb 1M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 80MX1 | 1 | 1.5ms | 83886080 bit | TS 16949 | SERIAL | 1.8V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1361C-100AXE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | 2003 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.B | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 20 | CY7C1361 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 9Mb 256K x 36 | 4 | 180mA | 100MHz | 8.5ns | SRAM | Parallel | 256KX36 | 3-STATE | 36 | 18b | 9 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 1.6mm | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSDSA2MH160G1 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 |