类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
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.png) | GS8162Z18DD-200I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | SDR | 2.5, 3.3 V | 2.3, 3 V | Synchronous | 1 MWords | 18 Bit | 2.7, 3.6 V | 表面贴装 | 有 | 200 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | NBT SRAM | SDR | Industrial grade | SRAM | BGA-165 | 153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS8162Z18DD | NBT Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 165 | 18 Mbit | 2 | 215 mA | 6.5 ns | Flow-Through/Pipelined | 1 M x 18 | 20 Bit | 18 Mbit | Industrial | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8672T36BGE-333I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 333 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II | Details | DDR-II | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8672T36BGE | SigmaDDR-II | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 1.28 A | 2 M x 36 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8182D09BGD-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 250 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 18 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II | Details | DDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8182D09BGD | SigmaQuad-II | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 420 mA | 2 M x 9 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816132DGD-200 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS816132DGD | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 210 mA | 6.5 ns | 512 k x 32 | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816118DD-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 250 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | N | SDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS816118DD | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 210 mA, 230 mA | 5.5 ns | 1 M x 18 | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8182D19BD-300 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 300 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 18 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II+ | N | DDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8182D19BD | SigmaQuad II+ | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 490 mA | 1 M x 18 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C256F-30UM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816118DGD-150 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 150 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS816118DGD | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 170 mA, 180 mA | 7.5 ns | 1 M x 18 | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8672D20BGE-633I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 633 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II+ | Details | QDR-II | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8672D20BGE | SigmaQuad-II+ B4 | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 1.97 A | 4 M x 18 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8182S18BGD-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 250 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 18 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaSIO DDR-II | Details | DDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8182S18BGD | SigmaSIO DDR-II | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 420 mA | 1 M x 18 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8672D37BE-450I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 450 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II+ | QDR-II | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8672D37BE | SigmaQuad-II+ | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 2.07 A | 2 M x 36 | 72 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8672Q19BGE-400I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 400 MHz | Parallel | 1.7 V | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | QDR-II | 有 | 15 | SigmaQuad-II+ | 1.9 V | BGA-165 | Details | Tray | GS8672Q19BGE | SigmaQuad-II+ | 100 °C | -40 °C | 1.8 V | 72 Mbit | 2 | 1.38 A | 4 M x 18 | 21 b | 72 Mb | 72 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA160C-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2004 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 1.8V~5.5V | 10MHz | 25AA160C | 5V | SPI, Serial | 5.5V | 1.8V | 16Kb 2K x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 16 kb | 3MHz | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS34MW04G084-TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 1.7V~1.95V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G48 | 1.95V | 1.7V | 4Gb 512M x 8 | SYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 45ns | 4294967296 bit | 1.8V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24A16FJ-WME2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | Automotive, AEC-Q100 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | 8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 0.000002A | SERIAL | I2C | 100000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010MMMR | 1.775mm | 4.9mm | 3.9mm | Unknown | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32200L-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | 86 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 86 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.5mm | 86 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 2M x 32 | 1 | 100mA | 100mA | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 32b | 2MX32 | 3-STATE | 32 | 13b | 64 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF6402B-70-4C-B1KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | SST39VF6402B | 3.3V | 64Mb 4M x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 10μs | 22b | 64 Mb | Asynchronous | 16b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064N90TFA020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2017 | Automotive, AEC-Q100, GL-N | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G56 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 90ns | 67108864 bit | 90 ns | 3V | 8 | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY15B064Q-SXET | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | 64Kb 8K x 8 | 16MHz | FRAM | SPI | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1EX24256BTAS0I#S0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.65mm | R1EX24256 | 8 | 5.5V | 2/5V | 2-Wire, I2C, Serial | 256Kb 32K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 256 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.1mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M29W640GB7AN6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 哑光锡 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 30 | M29W640 | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 70ns | 67108864 bit | 70 ns | 8 | BOTTOM | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LP0108ESF-7SI#S0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.5mm | R1LP0108E | 32 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 70ns | 17b | 1 Mb | 0.000002A | 70 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PC28F00AP30TFA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | Axcell™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 顶靴 | 8542.32.00.51 | 1.7V~2V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | 28F00AP30 | 64 | 1.8V | 1.81.8/3.3V | 1.7V | Parallel, Serial | 1Gb 64M x 16 | 31mA | 52MHz | FLASH | Parallel | 16 | 100ns | 26b | 1 Gb | 0.00024A | 100 ns | Asynchronous | 16b | NO | NO | 41023 | 16words | TOP | 1.2mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M95040-DFMC6TG | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.5mm | M95040 | 5.5V | 1.7V | SPI, Serial | 4Kb 512 x 8 | 20MHz | 80 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 4 kb | SPI | 5ms | 0.6mm | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL512S11DHIV23 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1.65V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 512Mb 32M x 16 | 60mA | 110ns | FLASH | Parallel | 8 | 60ns | 25b | 512 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 512 | 64K | 16words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.4mm | 9mm | ROHS3 Compliant |