类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 速度 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 产品类别 | 温度 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | CY7C197BN-15VC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 24-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | 24 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2003 | e0 | Obsolete | 2 (1 Year) | 24 | EAR99 | 锡铅 | 4.5V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 5V | 30 | CY7C197 | 24 | 5V | 5V | 256Kb 256K x 1 | 2 | 150mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 1 | 15ns | 18b | 256 kb | 0.01A | 15 ns | SEPARATE | Asynchronous | 1b | 3.55mm | 15.365mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | AT17F040-30VJI | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC32M8A2FB-7E:D | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA60,8X15,32 | 30 | 5.4 ns | 70 °C | 无 | MT48LC32M8A2FB-7E:D | 143 MHz | 33554432 words | 3.3 V | TFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.64 | BGA | YES | 60 | 8 X 16 MM, FBGA-60 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 235 | 1 | 0.8 mm | unknown | 60 | R-PBGA-B60 | 不合格 | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.285 mA | 32MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | 0.002 A | 268435456 bit | COMMON | 同步剧 | 8192 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 16 mm | 8 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STK11C68-5C55M | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Military grade | 通孔 | 通孔 | 28-CDIP (0.300, 7.62mm) | 28 | Non-Volatile | -55°C~125°C TA | Tube | 2005 | e0 | no | Obsolete | 3 (168 Hours) | 28 | 3A001.A.2.C | 锡铅 | SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE-10YEARS/100000 CYCLES | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | STK11C68 | 28 | 5V | 5V | 64Kb 8K x 8 | 55mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 8KX8 | 8 | 55ns | 64 kb | 0.002A | 38535Q/M;38534H;883B | 55 ns | 8b | 4.11mm | 35.56mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N01HZBINF TR | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Non-Volatile | W29N01 | 1.7V - 1.95V | 有 | + 85 C | 1.95 V | - 40 C | 2500 | 25 mA | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | Winbond | Winbond | Details | NAND闪存 | 表面贴装 | 63-VFBGA | 63-VFBGA (9x11) | Winbond Electronics | Tape & Reel (TR) | -40°C ~ 85°C (TA) | Reel | - | SLC NAND Flash | Memory & Data Storage | 1.7V ~ 1.95V | 1Gbit | 40MHz | 25 mA | 22 ns | FLASH | ONFI | 8 bit | High Quality Single Level Cell (SLC) Technology Standard ONFI NAND Command Set | 25ns | 1Gb | NAND闪存 | 40ºC ~ 85ºC / -40ºC ~ 105ºC | 128M x 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1460AV25-200BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 2.375V~2.625V | BOTTOM | 260 | 1 | 2.5V | 1mm | 20 | CY7C1460 | 165 | 2.5V | 2.625V | 2.375V | 36Mb 1M x 36 | 4 | 385mA | 200MHz | 3.2ns | SRAM | Parallel | 1MX36 | 3-STATE | 36 | 20b | 36 Mb | 0.12A | COMMON | Synchronous | 36b | 2.38V | 17mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1460AV25-200BZXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 2.375V~2.625V | BOTTOM | 260 | 1 | 2.5V | 1mm | 20 | CY7C1460 | 165 | 2.5V | 2.625V | 2.375V | 36Mb 1M x 36 | 4 | 385mA | 200MHz | 3.2ns | SRAM | Parallel | 1MX36 | 3-STATE | 36 | 20b | 36 Mb | 0.12A | COMMON | Synchronous | 36b | 2.38V | 17mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1520KV18-300BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | CY7C1520 | 165 | 1.8V | 72Mb 2M x 36 | 1 | 600mA | 300MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816236DGB-200E | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200 MHz | Parallel | 2.3 V | - 40 C | + 125 C | SMD/SMT | SDR | 有 | 21 | SyncBurst | 3.6 V | BGA-119 | Details | Tray | GS816236DGB | Pipeline/Flow Through | 18 Mbit | 6.5 ns | 512 k x 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M93C56-RDW3TP/K | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Automotive grade | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | Automotive, AEC-Q100 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 2.5V | 0.65mm | M93C56 | 5.5V | Serial | 2Kb 256 x 8 128 x 16 | 2MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 2 kb | MICROWIRE | 4ms | 1.05mm | 4.5mm | 3.1mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M95512-RMB6TG | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.5mm | M95512 | 8 | 5.5V | 2/5V | SPI, Serial | 512Kb 64K x 8 | 3mA | 20MHz | 80 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 512 kb | 0.000005A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE/SOFTWARE | 0.6mm | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MR0A16AYS35 | Everspin Technologies Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2011 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | SMD/SMT | EAR99 | 8542.32.00.71 | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 44 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1Mb 64K x 16 | 105mA | 155mA | RAM | Parallel | 16b | 64KX16 | 16 | 35ns | 1 Mb | 0.028A | 35 ns | 16b | 1.2mm | 18.41mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF6401B-70-4C-B1KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 0.8mm | SST39VF6401B | 3.3V | 64Mb 4M x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 4MX16 | 16 | 10μs | 22b | 64 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 2K | 2K | BOTTOM | YES | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT25QU128ABA8E54-0SIT TR | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 15-XFBGA, WLCSP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 1.7V~2V | 128Mb 16M x 8 | 133MHz | FLASH | SPI | 8ms, 2.8ms | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25LC320/S | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | Die | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1M ENDURANCE CYCLE; 200 YEARS DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 1.27mm | 40 | 25LC320 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 32Kb 4K x 8 | SYNCHRONOUS | 2MHz | 0.005mA | EEPROM | SPI | 4KX8 | 8 | 5ms | 0.000001A | 32768 bit | SERIAL | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C4141KV13-667FCXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 21 Weeks | 表面贴装 | 361-BBGA, FCBGA | YES | 361 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2013 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 361 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1.26V~1.34V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.3V | 1mm | 未说明 | 1.34V | 1.26V | 144Mb 4M x 36 | 667MHz | SRAM | Parallel | 4MX36 | 36 | 150994944 bit | 2.765mm | 21mm | 21mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43DR16160A-37CBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 84-TFBGA | 84 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 40 | 84 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 256Mb 16M x 16 | 1 | 270mA | 266MHz | 500ps | DRAM | Parallel | 16b | 16MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 15b | 256 Mb | 0.005A | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1329H-133AXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 流水线结构 | 3.15V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 20 | CY7C1329 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 2Mb 64K x 32 | 4 | 225mA | 133MHz | 4ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 32 | 16b | 2 Mb | COMMON | Synchronous | 32b | 1.6mm | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25040B-MAHL-E | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | ALSO OPERATES AT MIN 1.8 V AT 5 MHZ | 8542.32.00.51 | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-N8 | 5.5V | 4.5V | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 20MHz | EEPROM | SPI | 512X8 | 8 | 5ms | 4096 bit | SERIAL | SPI | 5ms | 0.6mm | 3mm | 2mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25XE011-SSHN-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Cut Tape (CT) | 2013 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.65V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | 3.6V | 1.65V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 1MX1 | 1 | 12μs, 3ms | 8 Mb | 256B | 1.75mm | 4.925mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR93A66RFJ-WME2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SEATED HT-CALCULATED | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 4V | 1.27mm | 未说明 | BR93A66 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | Serial | 4Kb 256 x 16 | SYNCHRONOUS | 2MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 5ms | 4 kb | 0.000002A | AEC-Q100 | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | SOFTWARE | 1.65mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S34ML01G200TFV000 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2015 | ML-2 | e3 | Discontinued | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 1Gb 128M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 128MX8 | 8 | 25ns | 1073741824 bit | 3V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25VF512A-33-4C-ZAE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | 8 | 8-CSP | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST25 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 2.7V~3.6V | 33MHz | SST25VF512A | 3.3V | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 512Kb 64K x 8 | 10mA | 33MHz | 12 ns | FLASH | SPI | 8b | 20μs | 16b | 512 kb | 33MHz | Synchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR93A76RFVT-WME2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 4V | 0.65mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 8Kb 512 x 16 | SYNCHRONOUS | 2MHz | EEPROM | SPI | 512X16 | 16 | 5ms | 0.000002A | 8192 bit | SERIAL | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL128S10DHSS10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 128Mb 8M x 16 | 100ns | FLASH | Parallel | 16b | 60ns | ROHS3 Compliant |