类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 反向引脚排列 | 自我刷新 | 组织的记忆 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||
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 | S29GL256P90FAIR12 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-P | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 240 | 1 | 3.3V | 1mm | 30 | 3.6V | 3.3V | 3V | 256Mb 32M x 8 | 0.11mA | FLASH | Parallel | 256MX1 | 1 | 90ns | 256 Mb | 0.000005A | 90 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF401C-70-4C-EKE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 48 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 0.5mm | SST39VF401C | 3.3V | 4Mb 256K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 10μs | 1b | 4 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 128 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF6402B-70-4I-B1KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | SST39VF6402B | 3.3V | 64Mb 4M x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 10μs | 22b | 64 Mb | Asynchronous | 16b | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27C256B-12C6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 1 | 5V | 1.27mm | 120GHz | M27C256 | 32 | 5V | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 50mA | 120ns | EPROM | Parallel | 3-STATE | 8 | 256 kb | 0.0001A | COMMON | 3.56mm | 13.97mm | 11.43mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24FC512T-I/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 24FC512 | 8 | 5.5V | 2/5V | 1.7V | I2C, Serial | 512Kb 64K x 8 | 5mA | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 512 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1mm | 6mm | 5mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25LC640AT-H/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~150°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 3A001.A.2.A | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.7V | 1.27mm | 40 | 25LC640A | 8 | 5V | SPI, Serial | 64Kb 8K x 8 | 5mA | 5MHz | 100 ns | EEPROM | SPI | 8 | 6ms | 64 kb | SPI | 6ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W9751G6IB-25 | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | 84 | Volatile | 0°C~85°C TC | Tray | 2009 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | 84 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 512Mb 32M x 16 | 1 | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.008A | 800MHz | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43R86400D-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 2.3V~2.7V | BOTTOM | 260 | 1 | 2.5V | 1mm | 40 | 60 | 不合格 | 2.5V | 2.7V | 2.3V | 512Mb 64M x 8 | 1 | 370mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 8b | 64MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 13mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93C66AT-I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 93C66A | 8 | 5V | 5V | Serial | 4Kb 512 x 8 | 2mA | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 8 | 2ms | 4 kb | 0.000001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 2ms | 200 | SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W9812G6JB-6 | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TFBGA | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2009 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | unknown | 未说明 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Mb 8M x 16 | 1 | 75mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5ns | DRAM | Parallel | 2MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 128 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGNFV003 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | R-PDSO-N8 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 0.1mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX4 | 4 | 0.0003A | 268435456 bit | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 0.8mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C4142KV13-933FCXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 21 Weeks | 表面贴装 | 361-BBGA, FCBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 361 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1.26V~1.34V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.3V | 1mm | 未说明 | S-PBGA-B361 | 1.34V | 1.26V | 144Mb 4M x 36 | 933MHz | SRAM | Parallel | 4MX36 | 36 | 150994944 bit | 2.765mm | 21mm | 21mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 24AA01T-I/STG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TSSOP, TSSOP8,.25 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 1 | 128 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP8,.25 | -40 °C | 40 | 85 °C | 有 | 24AA01T-I/STG | 0.1 MHz | 128 words | TSSOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 活跃 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 5.33 | SOIC | YES | 8 | 8 | Compliant | Tape & Reel (TR) | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 85 °C | -40 °C | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | I2C, Serial | 5.5 V | 1.7 V | 128 B | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 3.5 µs | 128X8 | 1.2 mm | 8 | 1 kb | 0.000001 A | 1024 bit | 100 kHz | SERIAL | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 200 | HARDWARE | 1010XXXR | NO | 3 mm | 4.4 mm | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25H160FVM-2CTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | ALSO OPERATES AT 2.5V WITH 5MHZ | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.65mm | 未说明 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 4.5V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 8 | 4ms | 0.00001A | SERIAL | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 0.9mm | 2.9mm | Unknown | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1570KV18-400BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 30 | CY7C1570 | 165 | 1.8V | 72Mb 2M x 36 | 1 | 750mA | 400MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 20b | 72 Mb | 0.32A | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR93H66RFVM-2CTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2012 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 4V | 0.65mm | 未说明 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 4Kb 256 x 16 | SYNCHRONOUS | 2MHz | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 4ms | 0.00001A | 4096 bit | SERIAL | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 100 | SOFTWARE | 0.9mm | 2.9mm | Unknown | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B101KA-SP25XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Gold, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-BSSOP (0.295, 7.50mm Width) | 48 | 600.301152mg | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2005 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.41 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.635mm | 30 | CY14B101 | 48 | 3V | 3.6V | 2.7V | 1Mb 128K x 8 | 70mA | 70mA | NVSRAM | Parallel | 16b | 64KX16 | 16 | 25ns | 1 Mb | 0.005A | 25 ns | 8b | 8 | 2.794mm | 15.875mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BQ4011YMA-150 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 28-DIP Module (0.61, 15.49mm) | 28 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | BQ4011 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 50mA | 50mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 32KX8 | 8 | 150ns | 256 kb | 0.004A | 150 ns | 8b | 9.53mm | 37.72mm | 无 | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L4006EM2I-12GTR | MXIC(Macronix) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT46H32M32LFCM-75IT:A | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA90,9X15,32 | -40 °C | 30 | 6 ns | 85 °C | 有 | MT46H32M32LFCM-75IT:A | 133 MHz | 33554432 words | 1.8 V | VFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.37 | BGA | YES | 90 | VFBGA, BGA90,9X15,32 | e1 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | unknown | 90 | R-PBGA-B90 | 不合格 | 1.95 V | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.14 mA | 32MX32 | 3-STATE | 1 mm | 32 | 0.0006 A | 1 | COMMON | DDR DRAM | 8192 | 2,4,8 | 2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 13 mm | 10 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1LV0414DSB-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | R1LV0414D | Obsolete | Volatile | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44-TSOP II | Renesas Electronics America Inc | Bulk | -40°C ~ 85°C (TA) | - | SRAM | 2.7V ~ 3.6V | 4Mbit | 55 ns | SRAM | Parallel | 55ns | 256K x 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB161D-SU-2.5 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 | 2MB | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1370KV33-167AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2011 | NoBL™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.B | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | 3.135V~3.6V | QUAD | 1 | 3.3V | 0.65mm | R-PQFP-G100 | 3.6V | 3.135V | 18Mb 512K x 36 | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 512KX36 | 36 | 18874368 bit | 1.6mm | 20mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M29W400DB55N6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2004 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | SMD/SMT | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 30 | M29W400 | 48 | 3/3.3V | 2.7V | 4Mb 512K x 8 256K x 16 | 10mA | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 55ns | 4 Mb | 0.0001A | 55 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 1217 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT40A4G4NRE-083E:B | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | 表面贴装 | 78-TFBGA | YES | Volatile | 0°C~95°C TC | Tray | Obsolete | 78 | EAR99 | 自我更新 | 1.14V~1.26V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.2V | 0.8mm | compliant | 未说明 | R-PBGA-B78 | 1.26V | 1.14V | 16Gb 4G x 4 | 1 | SYNCHRONOUS | 1.2GHz | DRAM | Parallel | 4GX4 | 4 | 17179869184 bit | 双库页面突发 | 1.2mm | 12mm | 8mm | 符合RoHS标准 |