类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 产品类别 | 组织的记忆 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.png) | S71VS128RC0AHK4L0 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 56-VFBGA | YES | 56 | Non-Volatile | -25°C~85°C TA | Tray | VS-R | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | PSRAM IS ORGANISED AS 4M X 16 | 8542.32.00.71 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.5mm | 1.8V | 1.95V | 1.7V | 128Mbit Flash 64Mbit RAM | 108MHz | FLASH, RAM | Parallel | 2MX16 | 16 | 33554432 bit | 1mm | 7.7mm | 6.2mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W25Q64JVSFIM | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | SpiFlash® | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 8MX8 | 8 | 3ms | 67108864 bit | SERIAL | 3V | 2.64mm | 10.31mm | 7.49mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FM28V020-TGTR | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | F-RAM™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Tin (Sn) | 2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | FM28V020 | 32 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 2V | 256Kb 32K x 8 | 12mA | SYNCHRONOUS | FRAM | Parallel | 8b | 8 | 140ns | 256 kb | 0.00015A | 140 ns | 8b | 1.2mm | 11.8mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25VF040B-80-4I-QAE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | SST25 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 哑光锡 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.55mm | SST25VF040B | 3.3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | 20mA | 80MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 8b | 4MX1 | 1 | 10μs | 1b | 4 Mb | 0.00015A | TS 16949 | Synchronous | 8b | 2.7V | 100000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | 64words | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF800A-70-4I-M1QE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-WFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | SST39 MPF™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 锡银铜 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 0.5mm | 40 | SST39VF800A | 3.3V | 8Mb 512K x 16 | 30mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 20μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR93G86FJ-3BGTE2 | Rohm Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Volatile | BR93G86 | 3 MHz | + 85 C | 5.5 V | - 40 C | 2500 | 3 mA | 1.7 V | SMD/SMT | 3-Wire | 40 Year | BR93G86FJ-3B | ROHM 半导体 | ROHM 半导体 | Details | LSOP, | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE | 1000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | -40 °C | 85 °C | 有 | BR93G86FJ-3BGTE2 | 3 MHz | 1024 words | 5 V | LSOP | RECTANGULAR | 活跃 | ROHM CO LTD | 2.25 | EEPROM | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | YES | 8-SOP-J | 8 | Rohm Semiconductor | 活跃 | -40°C ~ 85°C (TA) | MouseReel | - | SEATED HT-CALCULATED AND ALSO OPERATES AT 1.7V WITH 1MHZ AMD 2.5V AT 2MHZ | Memory & Data Storage | 1.7V ~ 5.5V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PDSO-G8 | 1.7 V to 5.5 V | 5.5 V | INDUSTRIAL | 4.5 V | 16Kbit | SYNCHRONOUS | 3 MHz | 3 mA | EEPROM | Microwire | 1 k x 16 | 1.65 mm | 16 | 5ms | 16384 bit | SERIAL | EEPROM | 3-WIRE | 5 ms | EEPROM | 1K x 16 | 4.9 mm | 3.9 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B101J1-SXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 镍钯金 | 1W | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 20 | CY14B101 | 8 | 3.3V | 3.6V | 3V | 2.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Mb 128K x 8 | 1mA | 3.4MHz | 900 ns | NVSRAM | I2C | 8b | 8 | 1 Mb | 0.00015A | 8b | 1.727mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT34C02D-XHMHL-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 1.7V~5.5V | 1MHz | AT34C02 | 2-Wire, I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 1MHz | EEPROM | I2C | 5ms | 2 kb | 1MHz | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W29N04GZBIBA | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 63-VFBGA | YES | 63 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 63 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | 1.95V | 1.7V | 4Gb 512M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 35ns | 4294967296 bit | 1.8V | 1mm | 11mm | 9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PCF8582C-2T/03,112 | NXP USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2000 | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.71 | 2.5V~6.0V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 1.27mm | 30 | PCF8582 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 6V | 3/5V | 2.5V | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 100kHz | 0.002mA | EEPROM | I2C | 256X8 | 8 | 0.0000035A | 2048 bit | SERIAL | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 10 | 1010DDDR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FM25V02A-DGQ | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2002 | F-RAM™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 2V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.95mm | 未说明 | R-PDSO-N8 | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | SYNCHRONOUS | 40MHz | FRAM | SPI | 32KX8 | 8 | 262144 bit | 0.8mm | 4.5mm | 4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 23K256T-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.65mm | 40 | 23K256 | 8 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 1 | 10mA | 20MHz | 32 ns | SRAM | SPI | 3-STATE | 8 | 1b | 256 kb | 0.000004A | SEPARATE | Synchronous | 8b | 2.7V | 4.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZ28F064M29EWHA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | PZ28F064 | 3/3.3V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | 0.025mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 60ns | 64 Mb | 0.00012A | 65 ns | 8 | YES | YES | YES | 128 | 64K | 8/16words | YES | YES | 1mm | 8mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1021BN-15ZSXE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.8mm | 30 | CY7C1021 | 44 | 5V | 5V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 130mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 15ns | 16b | 1 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 71321SA55JG8 | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | IDT71321 | 16Kb 2K x 8 | 55ns | SRAM | Parallel | 55ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1061GE30-10BV1XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 0.75mm | 未说明 | 3.6V | 2.2V | 16Mb 1M x 16 | SRAM | Parallel | 1MX16 | 16 | 10ns | 16777216 bit | 10 ns | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25160YI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 100 YEAR DATA RETENTION | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | CAT25160 | 8 | 5.5V | 2/5V | 2.5V | SPI, Serial | 16Kb 2K x 8 | 2mA | 20MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY62126EV30LL-55ZSXE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 1998 | MoBL® | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY62126 | 44 | 3V | 3.6V | 2.2V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 55ns | 16b | 1 Mb | 0.00003A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316098A-10BINTR | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 48-LFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.75mm | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 16Mb 1M x 16 | 1 | SRAM | Parallel | 16 | 10ns | 20b | 16 Mb | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1382DV33-167BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2004 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | BOTTOM | 220 | 1 | 3.3V | 1mm | 30 | CY7C1382 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 18Mb 1M x 18 | 2 | 275mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 1MX18 | 18 | 20b | 18 Mb | Synchronous | 18b | 1.4mm | 15mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1444AV33-167AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | PIPELINED ARCHITECTURE; IT ALSO OPERATES AT 2.5V | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 20 | CY7C1444 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 36Mb 1M x 36 | 4 | 375mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 1MX36 | 3-STATE | 36 | 20b | 36 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 1.6mm | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS7C1026B-20TCN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44-TSOP2 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 4.5V~5.5V | 5V | Parallel | 5.5V | 4.5V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 20ns | SRAM | Parallel | 20ns | 16b | 1 Mb | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF801C-70-4I-B3KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 0.8mm | SST39VF801C | 3.3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42SM16800H-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 54-TFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | S-PBGA-B54 | 3.6V | 2.7V | 128Mb 8M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 6ns | DRAM | Parallel | 8MX16 | 16 | 134217728 bit | 1.2mm | 8mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C024AV-20AXI | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Obsolete | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | 64Kb 4K x 16 | 20ns | SRAM | Parallel | 20ns | ROHS3 Compliant |