类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 逻辑功能 | 内存格式 | 数据率 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 时间格式 | 页面尺寸 | 引导模块 | 环境温度范围高 | 访问模式 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | S25FL128P0XNFI000 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | FL-P | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.A | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI | 128Mb 16M x 8 | 22mA | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8b | 8 | 3ms | 1b | 128 Mb | 0.00002A | SERIAL | Synchronous | 1b | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 85°C | 800μm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | S29AL032D70TFI040 | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C138-25JXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 68 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | AUTOMATIC POWER-DOWN | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 25GHz | 20 | CY7C138 | 68 | 5V | 5V | 32Kb 4K x 8 | 2 | 180mA | SRAM | Parallel | 4KX8 | 3-STATE | 8 | 25ns | 24b | 32 kb | 0.015A | COMMON | Asynchronous | 8b | 5.08mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C0833V-100BBI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 144-LFBGA | 144 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 144 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 3.135V~3.465V | BOTTOM | 220 | 1 | 3.3V | 1mm | 30 | CY7C0833 | 144 | 3.3V | 3.465V | 3.135V | 9Mb 512K x 18 | 2 | 310mA | 100MHz | 5 ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 19b | 9 Mb | 0.075A | COMMON | Synchronous | 18b | 3.14V | 1.6mm | 13mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EDW4032BABG-60-F-D | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 170-TFBGA | 170 | Volatile | 0°C~95°C TC | Tray | Obsolete | 3 (168 Hours) | 170 | EAR99 | 1.31V~1.65V | BOTTOM | 1 | 1.35V | 0.8mm | 1.55V | 1.3905V | 1.3095V | 4Gb 128M x 32 | 1 | 1.5GHz | RAM | Parallel | 32b | 128MX32 | 32 | 18b | 4 Gb | 16 | 多库页面突发 | 1.2mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1318CV18-250BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 40 | CY7C1318 | 165 | 1.8V | 18Mb 1M x 18 | 1 | 730mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 20b | 18 Mb | 0.3A | COMMON | Synchronous | 18b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT25080LI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | Industrial grade | Gold | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 100 YEAR DATA RETENTION | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | CAT25080 | 8 | 5.5V | 2/5V | 2.5V | 2-Wire, SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | 2mA | 20MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 无卤素 | 5ms | 8 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.95mm | 10.16mm | 7.11mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43DR16320E-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | Volatile | 0°C~85°C TC | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 未说明 | R-PBGA-B84 | 1.9V | 1.7V | 512Mb 32M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 400MHz | 400ns | DRAM | Parallel | 32MX16 | 16 | 15ns | 536870912 bit | 1.2mm | 10.5mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL128S10DHB020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2015 | Automotive, AEC-Q100, GL-S | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 128Mb 8M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 16MX8 | 8 | 60ns | 134217728 bit | 3V | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62137VNLL-70ZSXAT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44-TSOP II | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2006 | MoBL® | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | CY62137 | 3V | Parallel | 3.6V | 2.7V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 70ns | SRAM | Parallel | 70ns | 17b | 2 Mb | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25L6435EM2I-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2009 | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 8 | IT ALSO CONFIGURED AS 64M X 1 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 1.27mm | unknown | 未说明 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | 0.035mA | FLASH | SPI | 16MX4 | 4 | 300μs, 5ms | 0.00002A | 67108864 bit | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 2.16mm | 5.28mm | 5.23mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV25632BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 90-TFBGA | YES | 90 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 90 | 3A991 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.4V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10 | 90 | 3.3V | 3.6V | 8Mb 256K x 32 | 4 | 90mA | SRAM | Parallel | 256KX32 | 32 | 10ns | 18b | 8 Mb | 10 ns | Asynchronous | 32b | 13mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B101KA-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2005 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.41 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY14B101 | 44 | 3V | 3.6V | 2.7V | 1Mb 128K x 8 | 52mA | Clock | NVSRAM | Parallel | 8b | 64KX16 | 16 | 45ns | 1 Mb | 0.005A | 45 ns | 8b | 8 | HH:MM:SS | 1.194mm | 18.415mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62128ELL-55SXET | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | MoBL® | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | CY62128 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 55ns | 17b | 1 Mb | 0.00003A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 2.997mm | 20.4465mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C64-DRMN8TP/K | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Automotive grade | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 未说明 | M24C64 | 5.5V | 2-Wire, I2C, Serial | 64Kb 8K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 4ms | 65536 bit | I2C | 4ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C056V-15AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 144-LQFP | 144 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 144 | Matte Tin (Sn) | AUTOMATIC POWER-DOWN | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 15GHz | 30 | CY7C056 | 144 | 3.3V | 3.465V | 3.135V | 576Kb 16K x 36 | 2 | 360mA | SRAM | Parallel | 16KX36 | 3-STATE | 36 | 15ns | 28b | 576 kb | 0.00005A | 15 ns | COMMON | Asynchronous | 36b | 2V | 1.6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93C46CT-E/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 0.5mm | 40 | 93C46C | 不合格 | 5V | Serial | 1Kb 128 x 8 64 x 16 | 2mA | 3MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 64X16 | 16 | 2ms | 1 kb | 0.000005A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 200 | SOFTWARE | 8 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25L6435EMI-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2014 | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | e3 | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | 260 | 40 | 不合格 | 3/3.3V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | 104MHz | FLASH | SPI | 300μs, 5ms | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C128-10TI-2.7 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 2.7V~5.5V | 1MHz | AT24C128 | 2-Wire, I2C, Serial | 5.5V | 2.7V | 128Kb 16K x 8 | 3mA | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 10ms | 128 kb | 400kHz | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JS28F640P30BF75A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 1996 | StrataFlash™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | 1.7V~2V | DUAL | 0.5mm | JS28F640 | 1.8V | 1.81.8/3.3V | 1.7V | Parallel, Serial | 64Mb 4M x 16 | 28mA | 40MHz | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 75ns | 22b | 64 Mb | 0.000055A | 75 ns | Asynchronous | 16b | NO | NO | 463 | 16K64K | 8words | BOTTOM | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302T07GE-350I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | DDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 8 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 有 | 350 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaDDR-II+ | Details | DDR-II | Industrial grade | SRAM | BGA-165 | 350 MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS81302T07GE | SigmaDDR-II+ B2 | Memory & Data Storage | 165 | 144 Mbit | 1 | 810 mA | Pipelined | 16 M x 8 | 23 Bit | 144 Mbit | Industrial | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302S09GE-375I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | DDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 9 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 有 | 375 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaSIO DDR-II | Details | DDR-II | Industrial grade | SRAM | BGA-165 | 375 MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS81302S09GE | SigmaSIO DDR-II | Memory & Data Storage | 165 | 144 Mbit | 2 | 1.005 A | Pipelined | 16 M x 9 | 23 Bit | 144 Mbit | Industrial | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302D11GE-500I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 9 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 有 | 500 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II+ | Details | QDR-II | Industrial grade | SRAM | BGA-165 | 500 MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS81302D11GE | SigmaQuad-II+ | Memory & Data Storage | 165 | 144 Mbit | 2 | 1.27 A | Pipelined | 16 M x 9 | 22 Bit | 144 Mbit | Industrial | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS882Z36CGD-250I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 250 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 72 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | NBT SRAM | Details | SDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS882Z36CGD | NBT Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 9 Mbit | 175 mA, 215 mA | 5.5 ns | 256 k x 36 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8673ED18BGK-625I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | BGA | QDR | 1.3500 V | 1.3 V | Synchronous | 4 MWords | 18 Bit | 1.4 V | 表面贴装 | 有 | 625 MHz | + 100 C | 1.4 V | - 40 C | 8 | 1.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-IIIe | Details | DDR | HBGA, | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | 4000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | GS8673ED18BGK-625I | 1.35 V | HBGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.73 | Industrial grade | SRAM | BGA-260 | YES | 260 | 625/400 MHz | -40 to 85 °C | Tray | GS8673ED18BGK | 3A991.B.2.B | SigmaQuad-IIIe B4 | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | compliant | 260 | R-PBGA-B260 | 1.4 V | 1.3 V | 72 Mbit | SYNCHRONOUS | 2.11 A | 1.25 Gb/s | Pipelined | 4 M x 18 | 2.3 mm | 18 | 20 Bit | 72 Mbit | 75497472 bit | Industrial | PARALLEL | DDR SRAM | SRAM | 22 mm | 14 mm |