类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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.png) | MX29LV320EBXBI-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | -40°C | YES | 85°C | Tray | e1 | 活跃 | 48 | 3A991.B.1.A | NOR型号 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | INDUSTRIAL | 2.7V | 4MB | ASYNCHRONOUS | 70 ns | 2MX16 | 16 | 0.000015A | 33554432 bit | PARALLEL | FLASH | 3V | 8 | YES | YES | YES | 863 | 8K64K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 8mm | 6mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RMLV0408EGSA-4S2#AA1 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 32 | R-PDSO-G32 | 3.6V | 2.7V | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | SRAM | Parallel | 512KX8 | 8 | 45ns | 4194304 bit | 45 ns | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62128EV30LL-55ZXE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2003 | MoBL® | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2.2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 30 | CY62128 | 32 | 3V | 3.6V | 2.2V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 55ns | 17b | 1 Mb | 0.00003A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT27C010-70JI | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32-PLCC (13.97x11.43) | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 1996 | Obsolete | 2 (1 Year) | 4.5V~5.5V | AT27C010 | 1Mb 128K x 8 | 70ns | EPROM | Parallel | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25G128FVM-3GTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.6V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.65mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 1.6V | 128Kb 16K x 8 | SYNCHRONOUS | 20MHz | EEPROM | SPI | 16KX8 | 8 | 5ms | 131072 bit | SERIAL | SPI | 5ms | 0.9mm | 2.9mm | 2.8mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL320ETXEI-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 48-LFBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MX29GL | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 40 | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 4M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 2MX16 | 16 | 70ns | 32 Mb | 0.0001A | 70 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 863 | 8K64K | 8/16words | YES | TOP | YES | 1.3mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL064P0XNFI000 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | FL-P | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.A | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | 26mA | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8b | 64MX1 | 1 | 5μs, 3ms | 1b | 64 Mb | 0.00001A | Synchronous | 1b | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | BOTTOM/TOP | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS832218AGB-250I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | SDR | 2.5, 3.3 V | 2.3, 3 V | Synchronous | 2 MWords | 18 Bit | 2.7, 3.6 V | 表面贴装 | 有 | 250 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 14 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | Industrial grade | SRAM | BGA-119 | 181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz | -40 to 100 °C | Tray | GS832218AGB | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 119 | 36 Mbit | 2 | 235 mA, 275 mA | 5.5 ns | Flow-Through/Pipelined | 2 M x 18 | 21 Bit | 36 Mbit | Industrial | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF3201C-70-4I-B3KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 0.8mm | SST39VF3201C | 不合格 | 3.3V | 32Mb 2M x 16 | 15mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 2MX16 | 16 | 10μs | 21b | 32 Mb | 0.00005A | Asynchronous | 16b | YES | YES | 863 | 4K32K | YES | BOTTOM | YES | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25LC020A-H/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 27 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~150°C TA | Tube | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 25LC020A | 8 | 5V | SPI, Serial | 2Kb 256 x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 2 kb | SPI | 6ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8672D38BE-500 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 500 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II+ | N | QDR-II | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8672D38BE | SigmaQuad-II+ B4 | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 2.23 A | 2 M x 36 | 72 | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8672D18BGE-400 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 400 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II | Details | QDR-II | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS8672D18BGE | SigmaQuad-II | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 1.36 A | 4 M x 18 | 72 | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8342QT19BGD-200 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 2 MWords | 18 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 有 | 200 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II+ | Details | DDR | LBGA, BGA165,11X15,40 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 3 | 2000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA165,11X15,40 | 未说明 | 0.45 ns | 70 °C | 有 | GS8342QT19BGD-200 | 200 MHz | 1.8 V | LBGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.22 | BGA | Commercial grade | SRAM | BGA-165 | YES | 165 | 200 MHz | 0 to 85 °C | Tray | GS8342QT19BGD | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | SigmaQuad-II+ B2 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | compliant | 165 | R-PBGA-B165 | 不合格 | 1.9 V | 1.5/1.8,1.8 V | COMMERCIAL | 1.7 V | 36 Mbit | 2 | SYNCHRONOUS | 555 mA | Pipelined | 2 M x 18 | 3-STATE | 1.4 mm | 18 | 20 Bit | 36 Mbit | 37748736 bit | Commercial | PARALLEL | SEPARATE | QDR SRAM | 1.7 V | SRAM | 15 mm | 13 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS74116AGX-8I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 3.3000 V | 3 V | Asynchronous | 256 kWords | 16 Bit | 3.6 V | 表面贴装 | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 135 | 3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Details | SDR | TFBGA, BGA48,6X8,30 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 3 | 256000 | PLASTIC/EPOXY | BGA48,6X8,30 | -40 °C | 未说明 | 8 ns | 85 °C | 有 | GS74116AGX-8I | 3.3 V | TFBGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.2 | BGA | Industrial grade | SRAM | BGA-48 | YES | 48 | FBGA | -40 to 85 °C | GS74116AGX | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | Asynchronous | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.75 mm | compliant | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6 V | 3.3 V | INDUSTRIAL | 3 V | 4 Mbit | 1 | ASYNCHRONOUS | 140 mA | 8 ns | 256 k x 16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 18 Bit | 4 Mbit | 0.02 A | 4194304 bit | Industrial | PARALLEL | COMMON | 标准SRAM | 3 V | SRAM | 10 mm | 6 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL256FUXFI-11G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2017 | MX29GL | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 64 | R-PBGA-B64 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 110ns | 256 Mb | 0.00001A | 110 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39SF020A-70-4C-WHE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.488, 12.40mm Width) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 5V | 0.5mm | SST39SF020A | 5V | 5V | 2Mb 256K x 8 | 25mA | 70ns | FLASH | Parallel | 8b | 256KX8 | 8 | 20μs | 18b | 2 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 8b | YES | YES | YES | 64 | 4K | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24FC128T-I/SM | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES, HARDWARE WRITE PROTECT, DATA RETENTION > 200 YEARS | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 24FC128 | 8 | 5.5V | 2/5V | 1.7V | I2C, Serial | 128Kb 16K x 8 | 3mA | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 128 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 2.03mm | 5.26mm | 5.25mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8874001LA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 最后一次购买 | Tube | 5962-8874001 | CERAMIC, DIP-24 | IN-LINE | 2000 | CERAMIC, GLASS-SEALED | -55 °C | 35 ns | 125 °C | 5962-8874001LA | 2048 words | 5 V | DIP | RECTANGULAR | Texas | Obsolete | Texas INC | 5.26 | DIP | 通孔 | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) | NO | 24-CDIP | 24 | Renesas Electronics America Inc | Volatile | -55°C ~ 125°C (TA) | - | e0 | 3A001.A.2.C | 锡铅 | 8542.32.00.41 | 4.5V ~ 5.5V | DUAL | THROUGH-HOLE | 1 | unknown | 24 | R-GDIP-T24 | 不合格 | 5.5 V | MILITARY | 4.5 V | 16Kbit | ASYNCHRONOUS | 35 ns | SRAM | Parallel | 2KX8 | 8 | 35ns | 16384 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 2K x 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8855201XA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tube | Volatile | 5962-8855201 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | 1.177683 oz | - 55 C | 13 | 4.5 V | 通孔 | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 通孔 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) | 28-CDIP | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 256Kbit | 100 mA | 100 ns | SRAM | Parallel | 32 k x 8 | 100ns | SRAM | 32K x 8 | 1.65 mm | 37.2 mm | 15.24 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25L010FVJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 锡铜 | 8542.32.00.51 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 10 | BR25L010 | 8 | S-PDSO-G8 | 不合格 | 5V | 1.8V | SPI, Serial | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 5MHz | 5 μs | EEPROM | SPI | 128X8 | 8 | 5ms | 1 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1.05mm | 3mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC32AXT-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 24LC32A | 8 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C01C-CUM-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 8-VFBGA | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 1.7V~5.5V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 2.5V | 0.5mm | 未说明 | AT24C01 | 5.5V | 1.7V | I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 0.4MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | 1MHz | I2C | 5ms | 2mm | 1.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1471BV33-133AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 40 | CY7C1471 | 100 | 3.3V | 3.6V | 72Mb 2M x 36 | 1 | 305mA | 133MHz | 6.5ns | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB161E-SHF-B | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 1997 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.3V | SPI, Serial | 16Mb 528Bytes x 4096 pages | 23mA | 22mA | 85MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8b | 16MX1 | 1 | 8μs, 4ms | 21b | 16 Mb | 0.00001A | Synchronous | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 528B | 2.16mm | 5.29mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25H010F-2CE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2016 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SEATED HT-CALCULATED AND ALSO OPERATES AT 2.5V WITH 5MHZ | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 4.5V | SPI, Serial | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 8 | 4ms | 0.00001A | 1024 bit | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 100 | HARDWARE | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | Unknown | ROHS3 Compliant |