制造商是'Vishay'
Vishay 二极管 - 整流器 - 单
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 包装/外壳 | 表面安装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 包装 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电路 | 极性 | 配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 产品类别 | 相位的数量 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 最大非代表Pk前进电流 | 反向电流-最大值 | 恢复时间 | 重复峰值反向电压 | 反向恢复时间-最大值 | 螺柱尺寸 | 产品 | Vf-正向电压 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | UH3BHE3/57T | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 uA | AEC-Q101 | 0.001199 oz | 850 | SMD/SMT | Vishay | Vishay Semiconductors | Details | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 40 | 175 °C | 有 | UH3BHE3/57T | RECTANGULAR | 1 | Transferred | 威世半导体 | 5.21 | DO-214AB | Rectifiers | DO-214AB | YES | SILICON | 2 | 100 V | Reel | e3 | 有 | EAR99 | 快速恢复整流器 | 哑光锡 | 超快恢复 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | DUAL | C 弯管 | 260 | unknown | 2 | R-PDSO-C2 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | 80 A | 2.5 A | 1 | 100 V | DO-214AB | 80 A | 40 ns | 0.04 µs | Rectifiers | 1.05 V | Rectifiers | |||||||||||||
![]() | 8EWF02SPBF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-8EWF02SPBF | Vishay | R-PSSO-G2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | RECTANGULAR | 1 | Transferred | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | 5.32 | TO-252AA | YES | SILICON | 2 | D Squared PAK | 快速软恢复 | 8541.10.00.80 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | compliant | 4 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 8 A | 1 | 200 V | TO-252AA | 200 A | 0.14 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T85HF120 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-T85HF120 | Vishay | MODULE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1553C18S20K | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-SD1553C18S20K | Vishay | DO-200AC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 301UR160 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-301UR160 | Vishay | POST/STUD MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 40 | 有 | ROUND | 1 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.7 | NO | SILICON | 1 | DO-205AB (DO-9) | 高压大功率 | 高浪涌能力 | 8541.10.00.80 | UPPER | 大电流电缆 | 260 | compliant | O-CUPM-H1 | 不合格 | Anode Stud (Reverse) | SINGLE | 接收电极 | ANODE | 330 A | 1 | 1600 V | DO-205AB | 8640 A | 1600 | 3/4-16 UNF-2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 43CTQ100GSPBF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-43CTQ100GSPBF | Vishay | D Squared PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8EWS10STRLPBF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-8EWS10STRLPBF | Vishay | D-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYG10MHM3/TR | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | BYG10MHM3/TR | Vishay Semiconductors | Obsolete | 威世半导体 | 5.17 | R-PDSO-C2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | unknown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYG10MHM3/TR3 | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | BYG10MHM3/TR3 | Vishay Semiconductors | Obsolete | 威世半导体 | 5.17 | R-PDSO-C2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | unknown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V10P6HM3/86A | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | V10P6HM3/86A | RECTANGULAR | Vishay Intertechnologies | 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 0.59 V | 5.38 | YES | SILICON | 3 | R-PDSO-F3 | EAR99 | EFFICIENCY | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 8541.10.00.80 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-F3 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 4.3 A | 1 | 60 V | TO-277A | 180 A | 1900 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T85HFL20S02 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-T85HFL20S02 | UR | Vishay | Module | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYG20GHM3/TR3 | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 30 | 150 °C | BYG20GHM3/TR3 | RECTANGULAR | Vishay Semiconductors | 1 | Obsolete | 威世半导体 | 5.16 | YES | SILICON | 2 | R-PDSO-C2 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 超快软恢复 | 自由旋转二极管 | 8541.10.00.80 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-C2 | SINGLE | 接收电极 | 1.5 A | 1 | 400 V | DO-214AC | 30 A | 0.075 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T85HFL80S05 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-T85HFL80S05 | UR | Vishay | Module | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-6CUT04 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | VS-6CUT04 | Vishay Intertechnologies | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 0.54 V | 5.82 | NO | 175 °C | EAR99 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | unknown | 接收电极 | 3 A | 45 V | 70 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 40HFL10S02 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-40HFL10S02 | Vishay | DO-203AB (DO-5) | Cathode Stud (Forward) | 1/4-28 UNF-2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYG21KHM3/TR3 | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 30 | 150 °C | BYG21KHM3/TR3 | RECTANGULAR | Vishay Semiconductors | 1 | Obsolete | 威世半导体 | 5.2 | YES | SILICON | 2 | R-PDSO-C2 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 快速软恢复 | 自由旋转二极管 | 8541.10.00.80 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-C2 | SINGLE | 接收电极 | 1.5 A | 1 | 800 V | DO-214AC | 30 A | 0.12 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V12P6HM3/87A | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | V12P6HM3/87A | RECTANGULAR | Vishay Intertechnologies | 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 0.61 V | 5.39 | YES | SILICON | 3 | R-PDSO-F3 | EAR99 | EFFICIENCY | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 8541.10.00.80 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-F3 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 4.6 A | 1 | 60 V | TO-277A | 200 A | 2900 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V12P6HM3/86A | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | V12P6HM3/86A | RECTANGULAR | Vishay Intertechnologies | 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 0.61 V | 5.39 | YES | SILICON | 3 | R-PDSO-F3 | EAR99 | EFFICIENCY | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 8541.10.00.80 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-F3 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 4.6 A | 1 | 60 V | TO-277A | 200 A | 2900 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VSKE56/08 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | VS-VSKE56/08 | UL | Vishay | 有 | ROHS COMPLIANT, POWER, ADD-A-PAK-3 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | -40 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 1.6 V | 5.64 | NO | SILICON | 3 | TO-240AA | 有 | EAR99 | 高压大功率 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 3 | R-XUFM-X3 | 不合格 | Single Diode | SINGLE | 接收电极 | ISOLATED | 60 A | 1 | 800 V | 1360 A | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 85HFL10S05 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-85HFL10S05 | Vishay | DO-203AB (DO-5) | Cathode Stud (Forward) | 1/4-28 UNF-2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYG22AHM3/TR3 | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 30 | 150 °C | BYG22AHM3/TR3 | RECTANGULAR | Vishay Semiconductors | 1 | Obsolete | 威世半导体 | 5.19 | YES | SILICON | 2 | R-PDSO-C2 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 超快软恢复 | 自由旋转二极管 | 8541.10.00.80 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-C2 | SINGLE | 接收电极 | 2 A | 1 | 50 V | DO-214AC | 35 A | 0.025 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 85HFL20S05 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-85HFL20S05 | Vishay | DO-203AB (DO-5) | Cathode Stud (Forward) | 1/4-28 UNF-2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60CTQ035PBF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | VS-60CTQ035PBF | Vishay | TO-220AB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYG22DHM3/TR | Vishay Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 30 | 150 °C | BYG22DHM3/TR | RECTANGULAR | Vishay Semiconductors | 1 | Obsolete | 威世半导体 | 5.19 | YES | SILICON | 2 | R-PDSO-C2 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 超快软恢复 | 自由旋转二极管 | 8541.10.00.80 | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | unknown | AEC-Q101 | R-PDSO-C2 | SINGLE | 接收电极 | 2 A | 1 | 200 V | DO-214AC | 35 A | 0.025 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V20DL45HM3/I | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | V20DL45HM3/I | RECTANGULAR | Vishay Intertechnologies | 1 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | 0.64 V | 5.51 | YES | SILICON | 2 | R-PSSO-G2 | EAR99 | EFFICIENCY | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 8541.10.00.80 | SCHOTTKY | SINGLE | 鸥翼 | unknown | AEC-Q101 | R-PSSO-G2 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 20 A | 1 | 45 V | TO-263AC | 160 A | 2500 µA |