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制造商是'Toshiba'

  • Toshiba 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

    (2235)

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产品型号

品牌

数据表

有效性

单价(CNY)

询价

认证

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

通道数量

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

极性/通道类型

产品类别

晶体管类型

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

环境耗散-最大值

产品类别

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

16 Weeks

1.8V 4V

1

1W Ta

6.4 ns

表面贴装

表面贴装

SOT-23-3 Flat Leads

SILICON

3.5A Ta

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

U-MOSIII

活跃

1 (Unlimited)

3

DUAL

未说明

unknown

未说明

R-PDSO-F3

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

1

增强型MOSFET

1W

9.2 ns

N-Channel

SWITCHING

126m Ω @ 1A, 4V

1V @ 1mA

123pF @ 15V

1.5nC @ 4V

±12V

3.5A

12V

30V

880μm

符合RoHS标准

2SK2998 2SK2998

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

CYLINDRICAL

PLASTIC/EPOXY

未说明

150 °C

无

2SK2998

ROUND

东芝美国电子元器件

1

终身购买

TOSHIBA CORP

5.39

TO-92

0.5 A

NO

3

SILICON

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

无

EAR99

8541.21.00.95

FET 通用电源

BOTTOM

THROUGH-HOLE

未说明

unknown

3

O-PBCY-T3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-92

0.5 A

18 Ω

500 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.9 W

TPCF8104 TPCF8104

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

2SK2965(F) 2SK2965(F)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

2SK2965(F)

东芝美国电子元器件

Obsolete

TOSHIBA CORP

8.44

,

unknown

TPN22006NH,LQ(S TPN22006NH,LQ(S

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

60(V)

Military

TSON EP ADVANCE

-55C to 150C

±20(V)

Enhancement

1

无

表面贴装

-

21A

21(A)

卷带

功率MOSFET

8

N

18(W)

N通道

2SK2865(TE16L1,NQ) 2SK2865(TE16L1,NQ)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

IN-LINE

PLASTIC/EPOXY

2SK2865(TE16L1,NQ)

RECTANGULAR

东芝美国电子元器件

1

Obsolete

TOSHIBA CORP

5.66

SC-64

2 A

NO

3

SILICON

IN-LINE, R-PSIP-T3

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

3

R-PSIP-T3

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

5 Ω

8 A

600 V

93 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

SSM3J328R,LF SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

16 Weeks

1.5V 4.5V

1

1W Ta

107 ns

表面贴装

表面贴装

SOT-23-3 Flat Leads

3

SILICON

6A Ta

150°C TJ

Digi-Reel®

2009

U-MOSVI

活跃

1 (Unlimited)

3

DUAL

1

Single

增强型MOSFET

2W

32 ns

P-Channel

SWITCHING

29.8m Ω @ 3A, 4.5V

1V @ 1mA

840pF @ 10V

12.8nC @ 4.5V

20V

±8V

6A

8V

6A

0.0298Ohm

-20V

24A

无

符合RoHS标准

SSM3K7002BFS SSM3K7002BFS

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TPC8109 TPC8109

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

SSM6N15FE SSM6N15FE

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TK160F10N1,LQ(O TK160F10N1,LQ(O

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

SSM3K16FV,L3F SSM3K16FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

100mA (Ta)

1.5V, 4V

150mW (Ta)

0.1

20 V

70 ns

600 mV

150 mW

N-Channel

+ 150 C

- 10 V, + 10 V

0.000053 oz

-

8000

SMD/SMT

40 mS

Enhancement

Toshiba

Toshiba

-

MOSVI

3 Ohms

Details

125 ns

100 mA

MOSFET

表面贴装

SOT-723

VESM

东芝半导体与存储

活跃

150°C

切割胶带

-

MOSFETs

Single

1 Channel

N-Channel

3Ohm @ 10mA, 4V

1.1V @ 100μA

9.3 pF @ 3 V

20 V

±10V

N

-

MOSFET

2SK2508 2SK2508

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

未说明

150 °C

无

2SK2508

RECTANGULAR

东芝美国电子元器件

1

生命周期结束

TOSHIBA CORP

5.37

SC-67

13 A

NO

3

SILICON

LEAD FREE, SC-67, 3 PIN

无

EAR99

FET 通用电源

SINGLE

THROUGH-HOLE

未说明

unknown

3

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

13 A

0.25 Ω

52 A

250 V

148 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

45 W

45 W

TK80D08K3(Q) TK80D08K3(Q)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

2SJ305(F) 2SJ305(F)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

SOT-346

+150 °C

-55 °C

Enhancement

表面贴装

1

2SJ

3

P

1.1mm

2.9mm

1.5mm

2SK1489 2SK1489

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

18 Weeks

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

未说明

无

2SK1489

RECTANGULAR

东芝美国电子元器件

1

Obsolete

TOSHIBA CORP

5.8

12 A

NO

3

SILICON

2-21F1B, 3 PIN

SINGLE

THROUGH-HOLE

240

unknown

3

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

1 Ω

36 A

1000 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

200 W

TPCA8053-H TPCA8053-H

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

2SJ377 2SJ377

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

小概要

PLASTIC/EPOXY

未说明

150 °C

无

2SJ377

RECTANGULAR

东芝美国电子元器件

1

生命周期结束

TOSHIBA CORP

6.48

SC-64

5 A

YES

2

SILICON

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

其他晶体管

SINGLE

鸥翼

未说明

unknown

3

R-PSSO-G2

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

P-CHANNEL

5 A

0.28 Ω

20 A

60 V

273 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

20 W

SSM3K15AMFV,L3F(T SSM3K15AMFV,L3F(T

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TJ8S06M3L,LXHQ TJ8S06M3L,LXHQ

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

8A (Ta)

6V, 10V

27W (Tc)

TJ8S06

60 V

14 ns

3 V

AEC-Q101

27 W

P-Channel

+ 175 C

- 20 V, + 10 V

0.012699 oz

-

2000

SMD/SMT

Enhancement

TJ8S06M3L,LXHQ(O

Toshiba

Toshiba

19 nC

104 mOhms

Details

140 ns

8 A

MOSFET

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DPAK+

东芝半导体与存储

活跃

175°C

切割胶带

U-MOSVI

MOSFETs

1 Channel

P-Channel

104mOhm @ 4A, 10V

3V @ 1mA

890 pF @ 10 V

19 nC @ 10 V

6 ns

60 V

+10V, -20V

1 P-Channel

-

MOSFET

2SK2996 2SK2996

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

未说明

150 °C

无

2SK2996

RECTANGULAR

东芝美国电子元器件

1

Obsolete

TOSHIBA CORP

8.74

SC-67

10 A

NO

3

SILICON

LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN

无

FET 通用电源

SINGLE

THROUGH-HOLE

未说明

unknown

3

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

10 A

1 Ω

30 A

600 V

252 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

45 W

45 W

TK16V60W,LVQ(S TK16V60W,LVQ(S

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

-

15.8A

MSL 1 - Unlimited

139W

N通道

SSM3K16FS,LF SSM3K16FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

100mA (Ta)

1.5V, 4V

100mW (Ta)

0.1

20 V

70 ns

600 mV

AEC-Q101

100 mW

N-Channel

+ 150 C

- 10 V, + 10 V

0.000085 oz

3000

SMD/SMT

40 mS

Enhancement

Toshiba

Toshiba

MOSVI

3 Ohms

Details

125 ns

100 mA

MOSFET

表面贴装

SC-75, SOT-416

SSM

东芝半导体与存储

Tape & Reel (TR)

150°C

切割胶带

-

MOSFETs

Single

1 Channel

N-Channel

3Ohm @ 10mA, 4V

1.1V @ 100μA

9.3 pF @ 3 V

20 V

±10V

N

-

MOSFET

TPC8128 TPC8128

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

2SK2986 2SK2986

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

150 °C

2SK2986

东芝美国电子元器件

Obsolete

TOSHIBA CORP

5.84

NO

,

FET 通用电源

unknown

Single

增强型MOSFET

N-CHANNEL

70 A

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

100 W