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我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

制造商是'Toshiba'

  • Toshiba 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

    (34)

图片

产品型号

品牌

数据表

有效性

单价(CNY)

询价

认证

工厂交货时间

触点镀层

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

材料

质量

终端数量

晶体管元件材料

包装

已出版

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

HTS代码

子类别

额定电流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作频率

配置

元素配置

操作模式

输出功率

测试电流

晶体管应用

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

晶体管类型

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

增益

最大输出功率

最大漏极电流 (Abs) (ID)

DS 击穿电压-最小值

信道型

功率 - 输出

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

噪声图

电压-测试

反馈上限-最大值 (Crss)

最高频段

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

18 Weeks

Automotive grade

TO-243AA

YES

150°C

Cut Tape (CT)

2003

Discontinued

1 (Unlimited)

EAR99

7W

unknown

2A

470MHz

Single

增强型MOSFET

500mA

16V

N-Channel

2A

3V

13.3dB

2A

4.3W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

6V

符合RoHS标准

2SK3475TE12LF 2SK3475TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TO-243AA

SC-62

20V

Cut Tape (CT)

2007

Discontinued

1 (Unlimited)

1A

520MHz

50mA

N-Channel

14.9dB

630mW

7.2V

符合RoHS标准

3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

SC-61AA

YES

4

125°C

Cut Tape (CT)

2009

活跃

1 (Unlimited)

150mW

30mA

800MHz

Single

10mA

12.5V

N-Channel Dual Gate

30mA

22.5dB

0.03A

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

2.5dB

6V

符合RoHS标准

RFM00U7U(TE85L,F) RFM00U7U(TE85L,F)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

100 mA

20 V

SMD/SMT

250 mW

3000

10 V

1.3 V

SOT-343-4

Details

Reel

RFM00

射频功率MOSFET

520 MHz

Dual

200 mW

13 dB

2SK2855(TE12L,F) 2SK2855(TE12L,F)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

EAR99

Enhancement

1

10

±6

1

500

55(Min)

-55

150

表面贴装

1.6(Max)

2.5

4.6(Max)

3

Tab

PW-Mini

Si

Compliant

卷带

Obsolete

4

单双源

N

2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Automotive grade

表面贴装

TO-243AA

3

1

Cut Tape (CT)

2007

Discontinued

1 (Unlimited)

EAR99

150°C

-45°C

3W

unknown

500mA

470MHz

50mA

10V

N-Channel

500mA

5V

8dB

28dbm

4.5V

符合RoHS标准

3SK294(TE85L,F) 3SK294(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

Military grade

表面贴装

SC-82A, SOT-343

4

1

Tape & Reel (TR)

2003

活跃

1 (Unlimited)

125°C

-55°C

100mW

30mA

500MHz

Single

10mA

12.5V

N-Channel

30mA

8V

26dB

1.4dB

6V

符合RoHS标准

3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

表面贴装

SC-82A, SOT-343

4

Military grade

Cut Tape (CT)

2010

活跃

1 (Unlimited)

125°C

-55°C

100mW

unknown

30mA

800MHz

10mA

12.5V

N-Channel Dual Gate

30mA

8V

22dB

2.5dB

6V

符合RoHS标准

2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

表面贴装

TO-271AA

3

1

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

150°C

-45°C

20W

unknown

5A

520MHz

50mA

30V

N-Channel

5A

25V

11.7dB

7.5W

9.6V

符合RoHS标准

3SK126-Y(TE85L,F) 3SK126-Y(TE85L,F)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Depletion

1

15

±9

0.03

4.25@6V

150

25

-55

125

2-3J1A

表面贴装

1.1

2.9

1.5

3

Tab

Si

EAR99

卷带

Obsolete

4

单双闸门

N

符合RoHS标准

RFM01U7P(TE12L,F) RFM01U7P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TO-243AA

YES

150°C

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

3W

unknown

1A

520MHz

Single

增强型MOSFET

100mA

20V

N-Channel

1A

10V

10.8dB

1A

1.2W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

7.2V

符合RoHS标准

2SK3074TE12LF 2SK3074TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TO-243AA

30V

Cut Tape (CT)

2014

Discontinued

1 (Unlimited)

unknown

1A

520MHz

50mA

N-Channel

14.9dB

630mW

9.6V

符合RoHS标准

2SK3079ATE12LQ 2SK3079ATE12LQ

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TO-271AA

PW-X

10V

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

3A

470MHz

50mA

N-Channel

13.5dB

33.5dBmW

4.5V

符合RoHS标准

3SK292(TE85R,F) 3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

SC-61AA

YES

4

1

Tape & Reel (TR)

2014

活跃

1 (Unlimited)

4

125°C

-55°C

150mW

鸥翼

未说明

30mA

500MHz

未说明

Single

DUAL GATE, DEPLETION MODE

10mA

AMPLIFIER

12.5V

N-Channel Dual Gate

30mA

8V

26dB

0.03A

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

1.4dB

6V

符合RoHS标准

RFM03U3CT(TE12L) RFM03U3CT(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

3A

2-SMD, No Lead Exposed Pad

RF-CST3

16V

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

7W

3A

520MHz

500mA

16V

N-Channel

2.5A

3V

14.8dB

3W

3.6V

符合RoHS标准

RFM12U7X(TE12L,Q) RFM12U7X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TO-271AA

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

20W

unknown

4A

520MHz

750mA

20V

N-Channel

4A

10V

10.8dB

12W

7.2V

符合RoHS标准

2SK241-GR 2SK241-GR

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Depletion

1

20

±5

0.03

50

14000

3@10V

0.035@10V

0.01

200

28

-55

125

2-4E1D

通孔

3.2(Max)

4.2(Max)

2.6(Max)

3

IN-LINE, R-PSIP-T3

IN-LINE

PLASTIC/EPOXY

125 °C

2SK241-GR

RECTANGULAR

东芝美国电子元器件

1

Obsolete

TOSHIBA CORP

5.69

0.03 A

NO

Si

3

SILICON

EAR99

e0

Obsolete

EAR99

锡铅

8541.21.00.95

FET 通用电源

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

3

R-PSIP-T3

不合格

Single

DEPLETION MODE

AMPLIFIER

N-CHANNEL

0.03 A

20 V

N

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.2 W

0.05 pF

甚高频段

RoHS non-compliant

2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

Copper, Silver, Tin

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

3

1

Cut Tape (CT)

2009

活跃

1 (Unlimited)

3

125°C

-55°C

150mW

DUAL

鸥翼

1kHz

Single

DEPLETION MODE

500μA

AMPLIFIER

N-Channel JFET

6.5mA

-1.5V

JUNCTION

1dB

10V

符合RoHS标准

2SK4037(TE12L,Q) 2SK4037(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

SC-70, SOT-323

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

20W

3A

470MHz

250mA

12V

N-Channel

3A

3V

11.5dB

36.5dBmW

6V

符合RoHS标准

2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

3

Cut Tape (CT)

2009

活跃

1 (Unlimited)

125°C

-55°C

150mW

1kHz

Single

500μA

N-Channel JFET

3mA

-30V

1dB

10V

1.1mm

2.9mm

1.5mm

符合RoHS标准

RFM08U9X(TE12L,Q) RFM08U9X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

5A

TO-271AA

PW-X

36V

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

20W

5A

520MHz

50mA

36V

N-Channel

5A

5V

11.7dB

7.5W

9.6V

符合RoHS标准

2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

52 Weeks

Copper, Silver, Tin

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

3

7.994566mg

1

Cut Tape (CT)

2009

活跃

1 (Unlimited)

3

125°C

-55°C

150mW

DUAL

鸥翼

1kHz

Single

DEPLETION MODE

500μA

AMPLIFIER

N-Channel JFET

14mA

JUNCTION

1dB

10V

符合RoHS标准

2SK3756(TE12L,F) 2SK3756(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

4 Weeks

TO-243AA

YES

150°C

Cut Tape (CT)

2009

Discontinued

1 (Unlimited)

EAR99

3W

unknown

1A

470MHz

Single

增强型MOSFET

200mA

7.5V

N-Channel

1A

3V

12dB

1A

32dBm

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

4.5V

符合RoHS标准

3SK294(TE85L) 3SK294(TE85L)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Enhancement

1

12.5

±8

0.03

2.5@6V

0.02@6V

0.0235

100

26

-55

125

USQ

表面贴装

0.95

2

1.25

4

Si

EAR99

卷带

Obsolete

4

单双闸门

N

RoHS non-compliant

2SK3074(TE12L) 2SK3074(TE12L)

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

1

30

25

1

3000

0.63(Min)

14.9(Min)

45(Min)

-45

150

PW-Mini

表面贴装

1.6(Max)

4.6(Max)

2.5

3

Tab

Si

EAR99

卷带

Obsolete

4

单双源

N