制造商是'Toshiba'
Toshiba 二极管 - 整流器 - 单
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 包装 | 已出版 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 配置 | 元素配置 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 正向电流 | 工作温度 - 结点 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值） | 平均整流电流（Io） | 正向电压 | 最大反向电压（DC） | 平均整流电流 | 相位的数量 | 反向恢复时间 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | Rep Pk反向电压-最大值 | 电容@Vr, F | 峰值非恢复性浪涌电流 | 最大非代表Pk前进电流 | 二极管配置 | 反向电流-最大值 | 最大正向浪涌电流（Ifsm） | 反向电压(直流电) | 反向测试电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
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 | CUS10I40A(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | SC-76, SOD-323 | Tape & Reel (TR) | 活跃 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 60μA @ 40V | 490mV @ 700mA | 150°C Max | 40V | 1A | 35pF @ 10V 1MHz | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CLH03(TE16L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | L-FLAT™ | 2 | Bulk | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 400V | 3A DC | 980mV | 35ns | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRS30I30A(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-123F | 2 | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 100μA @ 30V | 490mV @ 3A | 3A | 150°C Max | 30V | 82pF @ 10V 1MHz | 30A | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS154(TE85L.F) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 125 °C | 有 | 1SS154(TE85L,F) | 东芝美国电子元器件 | 不推荐 | TOSHIBA CORP | 8.57 | YES | SILICON | Non-Compliant | EAR99 | 8541.10.00.60 | 微波混频器二极管 | unknown | 混频器芯片 | 30 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMS16(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-128 | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 200μA @ 40V | 550mV @ 3A | 3A | -40°C~150°C | 30A | 40V | 3A | 200μA | 40V | 30A | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS321TE85LF | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | 1SS321(TE85L,F) | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 1 V | 1.67 | YES | 125 °C | EAR99 | 8541.10.00.70 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | unknown | 接收电极 | 0.05 A | 12 V | 1 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUS04(TE85L) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | 无 | CUS04(TE85L) | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 0.58 V | 1.86 | YES | SILICON | 2 | 小概要 | GENERAL PURPOSE | 研磨二极管 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | unknown | R-PDSO-F2 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 0.7 A | 1 | 60 V | 20 A | 100 µA | 60 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U10FWJ2C48M(Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | 10 A | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS271(TE85L,F) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Military | SMini | 0.5(uA) | -55C to 125C | 无 | 肖特基二极管 | 表面贴装 | 6(V) | 卷带 | 3 | 双系列 | 30(mA) | 0.55(V) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUS10F40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | SC-76, SOD-323 | Tape & Reel (TR) | 活跃 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 20μA @ 40V | 670mV @ 1A | 150°C Max | 40V | 1A | 74pF @ 0V 1MHz | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRG03(L-2SUMISQM | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS321(F) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOT-346 (SC-59) | 肖特基二极管 | Compliant | 表面贴装 | 表面贴装 | 3 | 2 | 125 °C | -55 °C | 3 | 共阴极 | Schottky | 50 mA | 500 nA | 12 V | 共阴极 | 1 A | 1.1 mm | 2.9 mm | 1.5 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRS12(TE85L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | CRS12(TE85L,Q) | 东芝美国电子元器件 | 1 | Obsolete | TOSHIBA CORP | 0.58 V | 8.61 | YES | 150 °C | EAR99 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | unknown | SINGLE | 接收电极 | 1 A | 60 V | 20 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25CD13 | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 25CD13 | 东芝美国电子元器件 | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 1.2 V | 2.15 | NO | 150 °C | EAR99 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | unknown | SINGLE | 接收电极 | 25 A | 150 V | 300 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRS20I40B(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | SOD-123F | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 100μA @ 40V | 520mV @ 2A | 150°C Max | 40V | 2A | 62pF @ 10V 1MHz | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2S6.2S(TPL3,F) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.73 | DF2S6.2S(TPL3,F) | unknown | 泽纳电极 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUS06(TE85L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CUS06(TE85L,Q) | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 2.3 | 有 | unknown | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS193S,LF(D | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 125°C | 0.15W | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SILICON | 1 | Tape & Reel (TR) | 2014 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 8541.10.00.70 | DUAL | 鸥翼 | R-PDSO-G3 | SINGLE | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard | 500nA @ 80V | 1.2V @ 100mA | 125°C Max | 0.1A | 80V | 80V | 100mA | 4 ns | 3pF @ 0V 1MHz | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUS03(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-76, SOD-323 | 2 | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 150°C | -40°C | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 100μA @ 40V | 520mV @ 700mA | -40°C~150°C | 700mA | 100μA | 40V | 45pF @ 10V 1MHz | 20A | 40V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CMH01(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-128 | 2 | Tape & Reel (TR) | 2016 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 10μA @ 200V | 980mV @ 3A | 3A | -40°C~150°C | 100ns | 10μA | 200V | 40A | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U1GWJ44(N,TE12L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CRS20I30A(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-123F | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | unknown | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 60μA @ 30V | 490mV @ 2A | 150°C Max | 30V | 30V | 2A | 50pF @ 10V 1MHz | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMG02(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-128 | 2 | Tape & Reel (TR) | 2013 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | Single | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard | 10μA @ 400V | 1.1V @ 2A | 2A | -40°C~150°C | 10μA | 400V | 80A | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLH06(TE16R,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | L-FLAT™ | Bulk | 2017 | Obsolete | 1 (Unlimited) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 300V | 5A DC | 35ns | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLH01(TE16R,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | L-FLAT™ | Bulk | 2013 | Obsolete | 1 (Unlimited) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 10μA @ 200V | 0.98V @ 3A | -40°C~150°C | 200V | 3A DC | 35ns | 符合RoHS标准 |