制造商是'Toshiba'
Toshiba 二极管 - 整流器 - 单
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 电容量 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 输出电流 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 正向电流 | 最大反向漏电电流 | 工作温度 - 结点 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值) | 平均整流电流(Io) | 正向电压 | 最大反向电压(DC) | 平均整流电流 | 相位的数量 | 反向恢复时间 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | Rep Pk反向电压-最大值 | 电容@Vr, F | 峰值非恢复性浪涌电流 | 最大非代表Pk前进电流 | 反向电压 | 反向电流-最大值 | 最大正向浪涌电流(Ifsm) | 恢复时间 | 反向电压(直流电) | 自然的热阻 | 反向测试电压 | 频带 | 二极管电容-最大值 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||
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![]() | 1SS193,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.15W | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | SILICON | 1 | Tape & Reel (TR) | 2014 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | 125°C | -55°C | DUAL | 鸥翼 | unknown | 1SS193 | AEC-Q101 | Single | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard | 500nA @ 80V | 1.2V @ 100mA | 100mA | 125°C Max | 0.1A | 80V | 100mA | 4 ns | 85V | 3pF @ 0V 1MHz | 2A | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBS10S40,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 2-SMD, No Lead | SILICON | 1 | Tape & Reel (TR) | 2014 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | 125°C | -55°C | BOTTOM | 未说明 | unknown | 未说明 | R-PBCC-N2 | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 150μA @ 40V | 550mV @ 1A | CATHODE | 1A | 125°C Max | 1A | 40V | 1A | 40V | 120pF @ 0V 1MHz | 3A | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS05TE12L | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | CMS05(TE12L) | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 0.45 V | 1.83 | YES | SILICON | 2 | M-FLAT-2 | 无 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | 未说明 | unknown | 2 | R-PDSO-F2 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | 5 A | 1 | 30 V | 70 A | 800 µA | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS02(TE85L) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 150 °C | 无 | CRS02(TE85L) | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 1 | 生命周期结束 | TOSHIBA CORP | 0.4 V | 5.78 | YES | SILICON | 2 | R-PDSO-F2 | 无 | EAR99 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | 未说明 | unknown | 2 | R-PDSO-F2 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | 1 A | 30 V | 20 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CCS15F40,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 0603 (1608 Metric) | CST2C | Tape & Reel (TR) | 2016 | 活跃 | 1 (Unlimited) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 25μA @ 40V | 640mV @ 1.5A | 150°C Max | 40V | 1.5A | 40V | 1.5A | 130pF @ 0V 1MHz | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS15I30B(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | SOD-123F | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 100μA @ 30V | 400mV @ 1.5A | 150°C Max | 30V | 1.5A | 82pF @ 10V 1MHz | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS10I30A(TE85L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | CRS10I30A(TE85L,Q) | 东芝美国电子元器件 | 接触制造商 | TOSHIBA CORP | 5.74 | 有 | unknown | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS11(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-123F | 2 | S-FLAT (1.6x3.5) | Cut Tape (CT) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | CRS11 | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 1.5mA @ 30V | 360mV @ 1A | 1A | -40°C~125°C | 30V | 1A | 30V | 1A | 1.5mA | 30V | 20A | 30V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRF02(TE85L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | CRF02(TE85L,Q) | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 1.7 | 表面贴装 | 2 | Compliant | Tape & Reel (TR) | 150 °C | -40 °C | unknown | Single | 10 A | 3 V | 800 V | 500 mA | 100 ns | 50 µA | 800 V | 10 A | 800 V | 100 ns | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMH05A(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-128 | M-FLAT (2.4x3.8) | Tape & Reel (TR) | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | CMH05 | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 10μA @ 400V | 1.8V @ 1A | 1A | -40°C~150°C | 400V | 1A | 400V | 1A | 35 ns | 10μA | 400V | 10A | 16 °C/W | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS405,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-79, SOD-523 | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -55°C | 150mW | unknown | 1SS405 | Single | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Schottky | 500nA @ 20V | 550mV @ 50mA | 50mA | 125°C Max | 500mV | 20V | 50mA | 500nA | 25V | 3.9pF @ 0V 1MHz | 1A | 1A | 20V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 20FWJ2CZ47M | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 125 °C | 无 | 20FWJ2CZ47M | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 2 | Obsolete | TOSHIBA CORP | 0.47 V | 5.91 | NO | SILICON | 3 | R-PSFM-T3 | 无 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 低噪音 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 接收电极 | ISOLATED | 20 A | 1 | 30 V | 220 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS09(TE85L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | 有 | CRS09(TE85L,Q) | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 0.46 V | 1.72 | YES | SILICON | 2 | 3-2A1A, S-FLAT-2 | GENERAL PURPOSE | 研磨二极管 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | unknown | R-PDSO-F2 | SINGLE | 接收电极 | 1.5 A | 1 | 30 V | 30 A | 50 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMF05(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-128 | Tape & Reel (TR) | 2010 | 活跃 | 4 (72 Hours) | 125°C | -40°C | CMF05 | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 50μA @ 800V | 2.7V @ 500mA | 500mA | -40°C~125°C | 10A | 1000V | 1kV | 500mA | 100 ns | 10μA | 1kV | 10A | 400V | 35 ns | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMH08(TE12L,Q) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 有 | CMH08(TE12L,Q) | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.66 | 表面贴装 | 2 | Compliant | Tape & Reel (TR) | 150 °C | -40 °C | unknown | Single | 2 A | 20 A | 400 V | 2 A | 50 ns | 10 µA | 400 V | 30 A | 400 V | 35 ns | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS01(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOD-123F | 2 | SILICON | 1 | Cut Tape (CT) | 2005 | no | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | 40pF | 30V | DUAL | FLAT | 未说明 | unknown | 1A | 未说明 | CRS01 | 2 | 不合格 | Standard | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 1.5mA @ 30V | 1A | 360mV @ 1A | -40°C~125°C | 30V | 1A | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CUS04 | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | R-PDSO-F2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 3-2B1A | -40 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | CUS04 | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 1 | 生命周期结束 | TOSHIBA CORP | 0.58 V | 5.56 | 表面贴装 | YES | 2 | SILICON | 2 | Compliant | 无 | EAR99 | 150 °C | -40 °C | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | SCHOTTKY | DUAL | FLAT | 未说明 | unknown | 2 | R-PDSO-F2 | 不合格 | SINGLE | Single | 接收电极 | CATHODE | 0.7 A | 1 | 100 µA | 60 V | 60 V | 20 A | 20 A | 100 µA | 60 V | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS294,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | EAR99 | 125°C | -55°C | 150mW | unknown | 1SS294 | Single | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Schottky | 5μA @ 40V | 600mV @ 100mA | 100mA | 125°C Max | 600mV | 40V | 100mA | 5μA | 45V | 25pF @ 0V 1MHz | 300mA | 40V | 1.1mm | 2.9mm | 1.5mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CES520,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-79, SOD-523 | Tape & Reel (TR) | 2001 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 100°C | -40°C | unknown | CES520 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Schottky | 5μA @ 30V | 600mV @ 200mA | 125°C Max | 1A | 30V | 200mA | 17pF @ 0V 1MHz | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSF05S30U(TPH3,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-76, SOD-323 | 2 | Tape & Reel (TR) | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 125°C | -55°C | unknown | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 450mV @ 500mA | 500mA | 125°C Max | 30V | 500mA | 50μA | 30V | 5A | 900μm | 1.7mm | 1.25mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS416CT(TPL3) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1SS416CT(TPL3) | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 2.07 | 表面贴装 | 2 | Compliant | Cut Tape (CT) | 100 °C | -40 °C | unknown | 50 µA | 1 A | 30 V | 100 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS381(TPH3,F) | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 125 °C | 有 | 1SS381(TPH3,F) | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 1 | 不推荐 | TOSHIBA CORP | 0.85 V | 5.69 | SOD | YES | SILICON | 2 | R-PDSO-F2 | EAR99 | 8541.10.00.60 | 研磨二极管 | DUAL | FLAT | unknown | 2 | R-PDSO-F2 | SINGLE | 混频器芯片 | 0.1 A | 30 V | 极高频率 | 1.2 pF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CUS10F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-76, SOD-323 | Cut Tape (CT) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | CUS10F30 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 50μA @ 30V | 500mV @ 1A | 125°C Max | 30V | 30V | 1A | 170pF @ 0V 1MHz | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRS10I30C(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | SOD-123F | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Schottky | 100μA @ 30V | 360mV @ 1A | 150°C Max | 30V | 1A | 82pF @ 10V 1MHz | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | U1G4B42 | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 150 °C | 无 | U1G4B42 | RECTANGULAR | 东芝美国电子元器件 | 4 | Obsolete | TOSHIBA CORP | 1 V | 8.68 | SOD | YES | SILICON | 4 | R-PDSO-G4 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.10.00.80 | 桥式整流二极管 | DUAL | 鸥翼 | unknown | 4 | R-PDSO-G4 | 不合格 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 桥式整流二极管 | 1 A | 1 | 400 V | 33 A |